Buchumschlag

Молекулярная модель и химическая связь теллура

Рассмотрена молекулярная модель теллура, объясняющая сложную структуру химической связи. Определены его силовые и энергетические характеристики, обусловившие появление ряда технологических решений получения новых материалов. Розглянуто молекулярну модель телура, що пояснює складну структуру хімічног...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Datum:	2010
Hauptverfasser:	Ащеулов, А.А., Маник, О.Н., Маник, Т.О., Билинский-Слотыло, В.Р.
Format:	Artikel
Sprache:	Russisch
Veröffentlicht:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2010
Schlagworte:	Материалы электроники
Online Zugang:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51985
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:	Молекулярная модель и химическая связь теллура / А.А. Ащеулов, О.Н. Маник, Т.О. Маник, В.Р. Билинский-Слотыло // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2010. — № 5-6. — С. 46-50. — Бібліогр.: 12 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Ähnliche Einträge

Химическая связь сурьмы. Технологические аспекты
von: Ащеулов, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Молекулярная модель и химическая связь теллура
von: Azcheulov, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Математические модели формирования химической связи твердых растворов CdSb–ZnSb
von: Ащеулов, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Степенная связь параметров композиционного материала и его компонентов
von: Дмитриев, М.В.
Veröffentlicht: (2002)

Адсорбционно-кинетическая модель осаждения пленок поликристаллического кремния, легированных фосфором в процессе роста
von: Наливайко, О.Ю., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Деградационные превращения в топологически разупорядоченных твердых телах: 2. Мономолекулярная модель кинетики
von: Балицкая, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Структура полимерных композитов на основе диоксида ванадия и их диэлектрические свойства в диапазоне радиочастот
von: Колбунов, В.Р., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Электропроводность композита «полиэтилен - диоксид ванадия»
von: Антонова, Е.В., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Исследование термоупругих свойств ветвей термоэлектрических модулей Пельтье
von: Ащеулов, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Химическая связь сурьмы. Технологические аспекты
von: Ashcheulov, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Гетероструктуры, полученные методом отжига монокристаллов InSe в парах серы
von: Ковалюк, З.Д., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Влияние обработки водородом монокристаллов теллурида кадмия на их спектры оптического пропускания
von: Пигур, О.Н., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Формирование гетероструктур GaTe/CdSe для использования в солнечных элементах
von: Балицкий, А.А.
Veröffentlicht: (2005)

Исследование допустимой импульсной мощности кремниевой p+–p–n+-структуры
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Фотолюминесцентный метод исследования пластической деформации на границе раздела «SiO₂—Si»
von: Кулинич, О.А., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Элементы твердотельной электроники на основе КНИ-структур и нитевидных кристаллов Si для криогенных температур
von: Дружинин, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Электропроводящие тонкие пленки для BaCuTeF прозрачных контактов в полупроводниковой электронике
von: Готра, З.Ю., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Влияние слоя поликристаллического кремния на механизмы токопереноса в контактах «металл — p-кремний»
von: Смынтына, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Влияние исходных дефектов на распределение механических напряжений и деформаций при окислении кремния
von: Кулинич, О.А., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Условия использования стеклообразных халькогенидных сплавов в дозиметрии высокоэнергетичных γ-квантов
von: Вакив, Н.М., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Сцинтиляційні матеріали на основі твердих розчинів ZnSxSe₁₋x
von: Трубаєва, О.Г., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Модификация барьерной структуры на основе pAlGaInAs–nGaAs последовательно соединенными потенциальными барьерами
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Физические свойства и зонная структура кристаллов (3HgTe)1-x(Al₂Te₃)x, легированных марганцем
von: Марьянчук, П.Д., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Фотоэлектростимулированная пассивация спектрометрических Cd1–xZnxTe-детекторов
von: Загоруйко, Ю.А., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Термостабильные интерференционные оксидные покрытия для активных элементов лазеров ИК-диапазона
von: Загоруйко, Ю.А., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Эффекты переключения и памяти в МОП-структурах Al-SiO₂-Si
von: Искендер-заде, З.А., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Диэлектрическая релаксация Гавриляки-Негами
von: Новиков, В.В., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Использование "эффекта текстуры" для повышения прочности конструкционных материалов
von: Гохман, А.Р., et al.
Veröffentlicht: (2000)

Исследование собственных и примесных точечных дефектов в сапфировых подложках люминесцентными методами
von: Блецкан, Д.И., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Исследование влияни кислорода на скорость и анизотропию глубинного травления кремния в плазмохимическом реакторе с управляемым магнитним полем
von: Гладковский, В.В., et al.
Veröffentlicht: (2017)

Диэлектрическая релаксация Коул-Коула
von: Новиков, В.В., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Исследование ширины запрещенной зоны смешанных кристаллов ZnSxSe₁₋x
von: Трубаева, О.Г., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Получение пригодного для сенсорики пористого кремния методом неэлектролитического травления MacEtch
von: Яцунский, И.Р.
Veröffentlicht: (2013)

Ионизационный отжиг полупроводниковых кристаллов. Часть первая: Теоретические предпосылки
von: Гаркавенко, А.С., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Ионизационный отжиг полупроводниковых кристаллов. Часть вторая: эксперимент
von: Гаркавенко, А.С., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Получение высокочистых галлия, цинка, кадмия и теллура для микроэлектроники
von: Ковтун, Г.П., et al.
Veröffentlicht: (2001)

Расчет частотной зависимости диэлектрических характеристик тонких пленок системы HfO₂—Nd₂O₃
von: Казаков, А.И., et al.
Veröffentlicht: (2003)

Повышение радиационной устойчивости кремниевых монокристаллических эпитаксиальных слоев
von: Курмашев, Ш.Д., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Перспективные материалы для низкоомных толстопленочных резистивных элементов
von: Смирнов, А.Н., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Радиационная модификация структурной сетки халькогенидного стекла
von: Кавецкий, Т.С., et al.
Veröffentlicht: (2008)