Зображення обкладинки

Молекулярная модель и химическая связь теллура

Рассмотрена молекулярная модель теллура, объясняющая сложную структуру химической связи. Определены его силовые и энергетические характеристики, обусловившие появление ряда технологических решений получения новых материалов. Розглянуто молекулярну модель телура, що пояснює складну структуру хімічног...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Дата:	2010
Автори:	Ащеулов, А.А., Маник, О.Н., Маник, Т.О., Билинский-Слотыло, В.Р.
Формат:	Стаття
Мова:	Російська
Опубліковано:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2010
Теми:	Материалы электроники
Онлайн доступ:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51985
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Молекулярная модель и химическая связь теллура / А.А. Ащеулов, О.Н. Маник, Т.О. Маник, В.Р. Билинский-Слотыло // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2010. — № 5-6. — С. 46-50. — Бібліогр.: 12 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси

Химическая связь сурьмы. Технологические аспекты
за авторством: Ащеулов, А.А., та інші
Опубліковано: (2011)

Молекулярная модель и химическая связь теллура
за авторством: Azcheulov, A. A., та інші
Опубліковано: (2010)

Математические модели формирования химической связи твердых растворов CdSb–ZnSb
за авторством: Ащеулов, А.А., та інші
Опубліковано: (2009)

Степенная связь параметров композиционного материала и его компонентов
за авторством: Дмитриев, М.В.
Опубліковано: (2002)

Адсорбционно-кинетическая модель осаждения пленок поликристаллического кремния, легированных фосфором в процессе роста
за авторством: Наливайко, О.Ю., та інші
Опубліковано: (2009)

Деградационные превращения в топологически разупорядоченных твердых телах: 2. Мономолекулярная модель кинетики
за авторством: Балицкая, В.А., та інші
Опубліковано: (2004)

Структура полимерных композитов на основе диоксида ванадия и их диэлектрические свойства в диапазоне радиочастот
за авторством: Колбунов, В.Р., та інші
Опубліковано: (2015)

Электропроводность композита «полиэтилен - диоксид ванадия»
за авторством: Антонова, Е.В., та інші
Опубліковано: (2013)

Химическая связь сурьмы. Технологические аспекты
за авторством: Ashcheulov, A. A., та інші
Опубліковано: (2011)

Гетероструктуры, полученные методом отжига монокристаллов InSe в парах серы
за авторством: Ковалюк, З.Д., та інші
Опубліковано: (2009)

Исследование термоупругих свойств ветвей термоэлектрических модулей Пельтье
за авторством: Ащеулов, А.А., та інші
Опубліковано: (2005)

Формирование гетероструктур GaTe/CdSe для использования в солнечных элементах
за авторством: Балицкий, А.А.
Опубліковано: (2005)

Исследование допустимой импульсной мощности кремниевой p+–p–n+-структуры
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2011)

Влияние обработки водородом монокристаллов теллурида кадмия на их спектры оптического пропускания
за авторством: Пигур, О.Н., та інші
Опубліковано: (2011)

Фотолюминесцентный метод исследования пластической деформации на границе раздела «SiO₂—Si»
за авторством: Кулинич, О.А., та інші
Опубліковано: (2012)

Элементы твердотельной электроники на основе КНИ-структур и нитевидных кристаллов Si для криогенных температур
за авторством: Дружинин, А.А., та інші
Опубліковано: (2014)

Влияние слоя поликристаллического кремния на механизмы токопереноса в контактах «металл — p-кремний»
за авторством: Смынтына, В.А., та інші
Опубліковано: (2011)

Электропроводящие тонкие пленки для BaCuTeF прозрачных контактов в полупроводниковой электронике
за авторством: Готра, З.Ю., та інші
Опубліковано: (2008)

Влияние исходных дефектов на распределение механических напряжений и деформаций при окислении кремния
за авторством: Кулинич, О.А., та інші
Опубліковано: (2008)

Сцинтиляційні матеріали на основі твердих розчинів ZnSxSe₁₋x
за авторством: Трубаєва, О.Г., та інші
Опубліковано: (2018)

Модификация барьерной структуры на основе pAlGaInAs–nGaAs последовательно соединенными потенциальными барьерами
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2009)

Физические свойства и зонная структура кристаллов (3HgTe)1-x(Al₂Te₃)x, легированных марганцем
за авторством: Марьянчук, П.Д., та інші
Опубліковано: (2014)

Фотоэлектростимулированная пассивация спектрометрических Cd1–xZnxTe-детекторов
за авторством: Загоруйко, Ю.А., та інші
Опубліковано: (2010)

Термостабильные интерференционные оксидные покрытия для активных элементов лазеров ИК-диапазона
за авторством: Загоруйко, Ю.А., та інші
Опубліковано: (2010)

Эффекты переключения и памяти в МОП-структурах Al-SiO₂-Si
за авторством: Искендер-заде, З.А., та інші
Опубліковано: (2004)

Использование "эффекта текстуры" для повышения прочности конструкционных материалов
за авторством: Гохман, А.Р., та інші
Опубліковано: (2000)

Исследование влияни кислорода на скорость и анизотропию глубинного травления кремния в плазмохимическом реакторе с управляемым магнитним полем
за авторством: Гладковский, В.В., та інші
Опубліковано: (2017)

Исследование ширины запрещенной зоны смешанных кристаллов ZnSxSe₁₋x
за авторством: Трубаева, О.Г., та інші
Опубліковано: (2018)

Диэлектрическая релаксация Коул-Коула
за авторством: Новиков, В.В., та інші
Опубліковано: (2004)

Исследование собственных и примесных точечных дефектов в сапфировых подложках люминесцентными методами
за авторством: Блецкан, Д.И., та інші
Опубліковано: (2006)

Ионизационный отжиг полупроводниковых кристаллов. Часть первая: Теоретические предпосылки
за авторством: Гаркавенко, А.С., та інші
Опубліковано: (2014)

Ионизационный отжиг полупроводниковых кристаллов. Часть вторая: эксперимент
за авторством: Гаркавенко, А.С., та інші
Опубліковано: (2014)

Получение пригодного для сенсорики пористого кремния методом неэлектролитического травления MacEtch
за авторством: Яцунский, И.Р.
Опубліковано: (2013)

Расчет частотной зависимости диэлектрических характеристик тонких пленок системы HfO₂—Nd₂O₃
за авторством: Казаков, А.И., та інші
Опубліковано: (2003)

Радиационная модификация структурной сетки халькогенидного стекла
за авторством: Кавецкий, Т.С., та інші
Опубліковано: (2008)

Способ электродугового восстановления кремния
за авторством: Соловьев, О.В., та інші
Опубліковано: (2005)

Ректификационная очистка трихлорида мышьяка от примеси кислорода
за авторством: Мазницкая, О.В., та інші
Опубліковано: (2008)

Деградационные превращения в топологически разупорядоченных твердых телах: 1. Математические модели кинетики
за авторством: Вакив, Н.М., та інші
Опубліковано: (2003)

Исследование кристаллов Cu₂ZnSnTe₄ и гетеропереходов на их основе
за авторством: Ковалюк, Т.Т., та інші
Опубліковано: (2015)

Гетеропереходы, сформированные отжигом слоистых кристаллов GaSe и InSe в парах цинка
за авторством: Кудринский, З.Р., та інші
Опубліковано: (2012)