Buchumschlag

Электрические и топологические свойства пленок оксидов, термически выращенных на подложках InSe

Качественные пленки In₂O₃ высокой проводимости получены термическим окислением InSe при невысоких температурах. Обнаружена наноструктуризация поверхности оксида в форме наноигл. Досліджено динаміку поверхневого опору плівок In₂O₃, термічно вирощених на підкладках InSe у двох кристалографічних площин...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Datum:	2010
Hauptverfasser:	Катеринчук, В.Н., Ковалюк, З.Д., Хомяк, В.В.
Format:	Artikel
Sprache:	Russisch
Veröffentlicht:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2010
Schlagworte:	Материалы электроники
Online Zugang:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51986
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:	Электрические и топологические свойства пленок оксидов, термически выращенных на подложках InSe ние / В.Н. Катеринчук, З.Д. Ковалюк, В.В. Хомяк // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2010. — № 5-6. — С. 51-53. — Бібліогр.: 4 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Ähnliche Einträge

Электрические и топологические свойства пленок оксидов, термически выращенных на подложках InSe
von: Katerynchuk, V. M., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Влияние отжига на ВАХ гетероперехода n-ZnO—p-InSe
von: Ковалюк, З.Д., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Гетеропереходы, сформированные отжигом слоистых кристаллов GaSe и InSe в парах цинка
von: Кудринский, З.Р., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Гетероструктуры, полученные методом отжига монокристаллов InSe в парах серы
von: Ковалюк, З.Д., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Влияние электронного облучения на оптические свойства пленок нанокристаллического SiC на подложках из монокристалла Al₂O₃
von: Семенов, A.В., et al.
Veröffentlicht: (2017)

Полупроводниковые гетеропереходы оксид-InSe(GaSe) для фотоэлектрических анализаторов поляризованного излучения
von: Ковалюк, З.Д., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Исследование собственных и примесных точечных дефектов в сапфировых подложках люминесцентными методами
von: Блецкан, Д.И., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Створення гетероструктури n-InSe-графіт
von: Ковалюк, З.Д., et al.
Veröffentlicht: (2016)

Электрические свойства анизотипных гетеропереходов n-TiO₂:Mn/p-CdTe
von: Мостовой, А.И., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Магнитные и кинетические свойства кристаллов Hg1–x–yCdxDyySe
von: Ковалюк, Т.Т., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Процессы переноса электронов, низкотемпературные электрические и гальваномагнитные свойства пленок оксидов цинка и индия
von: Кульбачинский, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Исследование кристаллов Cu₂ZnSnSe₄ и гетеропереходов на их на основе
von: Ковалюк, Т.Т., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Влияние толщины и температуры пленок фталоцианина меди на их свойства
von: Алиева, Х.С.
Veröffentlicht: (2012)

Свойства металлических контактов на пленках TiO₂, изготовленных методом реактивного магнетронного распыления
von: Брус, В.В., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Размерно-геометрические параметры моделей микроструктуры толстых резистивных пленок
von: Стерхова, А.В.
Veröffentlicht: (2002)

Фотоконденсатор на основе нанокомпозита n-InSe<RbNO₃>
von: Нетяга, В.В., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Мощные резисторы нового поколения на основе углеродных (алмазоподобных) пленок
von: Ротнер, С.М., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Влияние морфологии поверхности подложек ZnSe:Te на их оптические свойства
von: Махний, В.П., et al.
Veröffentlicht: (2016)

Взрывная кристаллизация тонких пленок полупроводников при облучении y-квантами
von: Храмов, Е.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2003)

Газочувствительные элементы на основе пленок SiPcCl₂
von: Алиева, Х.С., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Высокотемпературная люминесценция кристаллов ZnSe:Yb
von: Махний, В.П., et al.
Veröffentlicht: (2016)

Методика определения параметров структурной и кластерной моделей толстых резистивных пленок
von: Стерхова, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2001)

Изменение свойств пленок кремнийорганических стекол после термической и плазмохимической обработок
von: Иванчиков, А.Э., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Фотохромная чувствительность модифицированных пленок бактериородопсина для устройств молекулярной электроники
von: Адамов, Г.Е., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Расчет частотной зависимости диэлектрических характеристик тонких пленок системы HfO₂—Nd₂O₃
von: Казаков, А.И., et al.
Veröffentlicht: (2003)

Влияние содержания серы на сцинтилляционные свойства смешанных кристаллов ZnSxSe1–x
von: Трубаева, O.Г., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Строение и высокотемпературная сверхпроводимость пленок Bi₂Sr₂CaCu₂Oy
von: Самойлович, М.И., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Получение, свойства и применение тонких нанонеоднородных пленок Ge на GaAs-подложках
von: Венгер, Е.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Характеристики фотодиодов со структурой «собственный оксид – InSe», облученных высокоэнергетическими электронами
von: Сидор, О.Н., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Вплив інтеркалювання нікелем на властивості шаруватих кристалів InSe
von: Боледзюк, В.Б., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Адсорбционно-кинетическая модель осаждения пленок поликристаллического кремния, легированных фосфором в процессе роста
von: Наливайко, О.Ю., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Дослідження взаємодії літію з n-InSe: спектри імпедансу та рентгенівської дифракції
von: Гаврилюк, С.В., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Получение, свойства и применение тонких нанонеоднородных пленок Ge на GaAs-подложках
von: Venger, E. F., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Вплив температури на оптичні властивості тонких плівок Cu₂ZnSnSe₄
von: Майструк, Е.В., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Електричні властивості шаруватих монокристалів InSe та Bi₂Te₃, інтеркальованих C₃H₈O₃
von: Боледзюк, В.Б., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Сцинтиляційні матеріали на основі твердих розчинів ZnSxSe₁₋x
von: Трубаєва, О.Г., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Исследование ширины запрещенной зоны смешанных кристаллов ZnSxSe₁₋x
von: Трубаева, О.Г., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Формирование гетероструктур GaTe/CdSe для использования в солнечных элементах
von: Балицкий, А.А.
Veröffentlicht: (2005)

Свойства многослойных наноразмерных пленок Ni/Y₂O₃, выращенных в магнитном поле
von: Андреева, А.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Investigation of InS-InSe heterojunctions prepared using sulphurization of p-InSe
von: Z. D. Kovalyuk, et al.
Veröffentlicht: (2012)