Свойства металлических контактов на пленках TiO₂, изготовленных методом реактивного магнетронного распыления

• Опубліковано в: : Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Дата: 2010
• Автори: Брус, В.В., Ковалюк, З.Д., Марьянчук, П.Д., Орлецкий, И.Г., Майструк, Э.В.
• Формат: Стаття
• Мова: Russian
• Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2010
• Теми: Материалы электроники
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51988
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Свойства металлических контактов на пленках TiO₂, изготовленных методом реактивного магнетронного распыления / В.В. Брус, З.Д. Ковалюк, П.Д. Марьянчук, И.Г. Орлецкий, Э.В. Майструк // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2010. — № 5-6. — С. 60-62. — Бібліогр.: 4 назв. — рос.

Исследованы вольт-амперные характеристики металлических контактов на тонких пленках диоксида титана, а также влияние отжига структур в вакууме на их электрические свойства. Досліджено вольт-амперні характеристики металевих кон тактів (Al, Cr, In, Mo, Ti) на тонких плівках діоксиду титану, а також вплив відпалу структур у вакуумі на їх електричні ластивості. Вимірювання ВАХ металевих контактів проодилися за допомогою трьохзондового методу. Встановлено, що контакт індію на тонких плівках TiO₂ відзначається чітко вираженими омічними властивостями. The article deals with research on volt-ampere characteristics of metal contacts (Al, Cr, In, Mo, Ti) on titanium dioxide thin films and influence of annealing in vacuum on their electric properties. Volt-ampere characteristics measurements were taken by three-probe method. There was established that indium contact on TiO₂ thin films possessed sharply defined ohmic properties.