Исследование стойкости слоев поликремния в КНИ-структурах при воздействии электронного облучения и сильного магнитного поля

• Veröffentlicht in: Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Datum: 2010
• 1. Verfasser: Ховерко, Ю.Н.
• Format: Artikel
• Sprache: Russisch
• Veröffentlicht: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2010
• Schlagworte: Материалы электроники
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51989
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Исследование стойкости слоев поликремния в КНИ-структурах при воздействии электронного облучения и сильного магнитного поля / Ю.Н. Ховерко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2010. — № 5-6. — С. 63-66. — Бібліогр.: 11 назв. — рос.

Исследованы свойства рекристаллизированных слоев поликремния на изоляторе р-типа проводимости, облученных высокоэнергетическими электронами, в температурном диапазоне 4,2,300 К и в сильном магнитном поле с целью создания датчиков физических величин, работоспособных в жестких условиях эксплуатации. Вивчено властивості рекристалізованих шарів полікремнію на ізоляторі в КНІ-структурах р-типу провідності з різною концентрацією носіїв заряду, опромінених високоенергетичними електронами з потоком частинок до 10¹⁷ см⁻² в температурному діапазоні 4,2 - 300 К та в сильних магнітних полях. Встановлено, що сильнолеговані шари полікремнію на ізоляторі проявляють радіаційну стійкість при опроміненні, а магнітоопір такого матеріалу в магнітному полі до 14 Тл не перевищує 1-2%. Ці властивості можна використовувати для створення мікроелектронних датчиків фізичних величин, працездатних в жорстких умовах експлуатації. The properties of recrystallized polysilicon on insulator layers of p-type conductive SOI-structures with different carrier concentration irradiated with high-energy electrons flow about 10¹⁷ cm⁻² in temperature range 4,2 - 300 K and high magnetic fields were investigated. It was found that heavily doped laser recrystallized polysilicon on insulator layers show its radiation resistance under irradiation with highenergy electrons and magnetoresistance of such material remains quite low in magnetic field about 14 T does not exceed 1-2%. Such qulity can be applied in designing of microelectronic sensors of mechanical values operable in hard conditions of exploitation.