Исследование стойкости слоев поликремния в КНИ-структурах при воздействии электронного облучения и сильного магнитного поля
Исследованы свойства рекристаллизированных слоев поликремния на изоляторе р-типа проводимости, облученных высокоэнергетическими электронами, в температурном диапазоне 4,2,300 К и в сильном магнитном поле с целью создания датчиков физических величин, работоспособных в жестких условиях эксплуатации. В...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Дата: | 2010 |
| Автор: | |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Російська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2010
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51989 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Исследование стойкости слоев поликремния в КНИ-структурах при воздействии электронного облучения и сильного магнитного поля / Ю.Н. Ховерко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2010. — № 5-6. — С. 63-66. — Бібліогр.: 11 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862595722823598080 |
|---|---|
| author | Ховерко, Ю.Н. |
| author_facet | Ховерко, Ю.Н. |
| citation_txt | Исследование стойкости слоев поликремния в КНИ-структурах при воздействии электронного облучения и сильного магнитного поля / Ю.Н. Ховерко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2010. — № 5-6. — С. 63-66. — Бібліогр.: 11 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description | Исследованы свойства рекристаллизированных слоев поликремния на изоляторе р-типа проводимости, облученных высокоэнергетическими электронами, в температурном диапазоне 4,2,300 К и в сильном магнитном поле с целью создания датчиков физических величин, работоспособных в жестких условиях эксплуатации.
Вивчено властивості рекристалізованих шарів полікремнію на ізоляторі в КНІ-структурах р-типу провідності з різною концентрацією носіїв заряду, опромінених високоенергетичними електронами з потоком частинок до 10¹⁷ см⁻² в температурному діапазоні 4,2 - 300 К та в сильних магнітних полях. Встановлено, що сильнолеговані шари полікремнію на ізоляторі проявляють радіаційну стійкість при опроміненні, а магнітоопір такого матеріалу в магнітному полі до 14 Тл не перевищує 1-2%. Ці властивості можна використовувати для створення мікроелектронних датчиків фізичних величин, працездатних в жорстких умовах експлуатації.
The properties of recrystallized polysilicon on insulator layers of p-type conductive SOI-structures with different carrier concentration irradiated with high-energy electrons flow about 10¹⁷ cm⁻² in temperature range 4,2 - 300 K and high magnetic fields were investigated. It was found that heavily doped laser recrystallized polysilicon on insulator layers show its radiation resistance under irradiation with highenergy electrons and magnetoresistance of such material remains quite low in magnetic field about 14 T does not exceed 1-2%. Such qulity can be applied in designing of microelectronic sensors of mechanical values operable in hard conditions of exploitation.
|
| first_indexed | 2025-11-27T13:44:34Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-51989 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 2225-5818 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-11-27T13:44:34Z |
| publishDate | 2010 |
| publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Ховерко, Ю.Н. 2013-12-22T01:24:31Z 2013-12-22T01:24:31Z 2010 Исследование стойкости слоев поликремния в КНИ-структурах при воздействии электронного облучения и сильного магнитного поля / Ю.Н. Ховерко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2010. — № 5-6. — С. 63-66. — Бібліогр.: 11 назв. — рос. 2225-5818 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51989 Исследованы свойства рекристаллизированных слоев поликремния на изоляторе р-типа проводимости, облученных высокоэнергетическими электронами, в температурном диапазоне 4,2,300 К и в сильном магнитном поле с целью создания датчиков физических величин, работоспособных в жестких условиях эксплуатации. Вивчено властивості рекристалізованих шарів полікремнію на ізоляторі в КНІ-структурах р-типу провідності з різною концентрацією носіїв заряду, опромінених високоенергетичними електронами з потоком частинок до 10¹⁷ см⁻² в температурному діапазоні 4,2 - 300 К та в сильних магнітних полях. Встановлено, що сильнолеговані шари полікремнію на ізоляторі проявляють радіаційну стійкість при опроміненні, а магнітоопір такого матеріалу в магнітному полі до 14 Тл не перевищує 1-2%. Ці властивості можна використовувати для створення мікроелектронних датчиків фізичних величин, працездатних в жорстких умовах експлуатації. The properties of recrystallized polysilicon on insulator layers of p-type conductive SOI-structures with different carrier concentration irradiated with high-energy electrons flow about 10¹⁷ cm⁻² in temperature range 4,2 - 300 K and high magnetic fields were investigated. It was found that heavily doped laser recrystallized polysilicon on insulator layers show its radiation resistance under irradiation with highenergy electrons and magnetoresistance of such material remains quite low in magnetic field about 14 T does not exceed 1-2%. Such qulity can be applied in designing of microelectronic sensors of mechanical values operable in hard conditions of exploitation. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Материалы электроники Исследование стойкости слоев поликремния в КНИ-структурах при воздействии электронного облучения и сильного магнитного поля Дослідження стійкості шарів полікремнію в КНІ-структурах при дії електронного опромінення та сильного магнітного поля Investigation of the stability of polysilicon layers in SOI-structures under irradiation by electrons and hard magnetic field influence Article published earlier |
| spellingShingle | Исследование стойкости слоев поликремния в КНИ-структурах при воздействии электронного облучения и сильного магнитного поля Ховерко, Ю.Н. Материалы электроники |
| title | Исследование стойкости слоев поликремния в КНИ-структурах при воздействии электронного облучения и сильного магнитного поля |
| title_alt | Дослідження стійкості шарів полікремнію в КНІ-структурах при дії електронного опромінення та сильного магнітного поля Investigation of the stability of polysilicon layers in SOI-structures under irradiation by electrons and hard magnetic field influence |
| title_full | Исследование стойкости слоев поликремния в КНИ-структурах при воздействии электронного облучения и сильного магнитного поля |
| title_fullStr | Исследование стойкости слоев поликремния в КНИ-структурах при воздействии электронного облучения и сильного магнитного поля |
| title_full_unstemmed | Исследование стойкости слоев поликремния в КНИ-структурах при воздействии электронного облучения и сильного магнитного поля |
| title_short | Исследование стойкости слоев поликремния в КНИ-структурах при воздействии электронного облучения и сильного магнитного поля |
| title_sort | исследование стойкости слоев поликремния в кни-структурах при воздействии электронного облучения и сильного магнитного поля |
| topic | Материалы электроники |
| topic_facet | Материалы электроники |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51989 |
| work_keys_str_mv | AT hoverkoûn issledovaniestoikostisloevpolikremniâvknistrukturahprivozdeistviiélektronnogooblučeniâisilʹnogomagnitnogopolâ AT hoverkoûn doslídžennâstíikostíšarívpolíkremníûvknístrukturahpridííelektronnogoopromínennâtasilʹnogomagnítnogopolâ AT hoverkoûn investigationofthestabilityofpolysiliconlayersinsoistructuresunderirradiationbyelectronsandhardmagneticfieldinfluence |