Исследование стойкости слоев поликремния в КНИ-структурах при воздействии электронного облучения и сильного магнитного поля
Исследованы свойства рекристаллизированных слоев поликремния на изоляторе р-типа проводимости, облученных высокоэнергетическими электронами, в температурном диапазоне 4,2,300 К и в сильном магнитном поле с целью создания датчиков физических величин, работоспособных в жестких условиях эксплуатации....
Saved in:
| Date: | 2010 |
|---|---|
| Main Author: | Ховерко, Ю.Н. |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2010
|
| Series: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51989 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Исследование стойкости слоев поликремния в КНИ-структурах при воздействии электронного облучения и сильного магнитного поля / Ю.Н. Ховерко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2010. — № 5-6. — С. 63-66. — Бібліогр.: 11 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineSimilar Items
-
Элементы твердотельной электроники на основе КНИ-структур и нитевидных кристаллов Si для криогенных температур
by: Дружинин, А.А., et al.
Published: (2014) -
Стимулируемая водородом миграция атомов металлов в структурах «металл — полупроводник»
by: Матюшин, В.М., et al.
Published: (2012) -
Влияние облучения кремния низкоэнергетическими ионами аргона на образование в нем электрически активных дефектов
by: Попов, В.М., et al.
Published: (2009) -
Формирование резких границ раздела в эпитаксиальных структурах p+-AlGaAs/n-GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии
by: Вакив, Н.М., et al.
Published: (2014) -
Эффекты переключения и памяти в МОП-структурах Al-SiO₂-Si
by: Искендер-заде, З.А., et al.
Published: (2004)