Зависимость диэлектрической проницаемости кристаллизующейся фазы стеклокерамики от времени спекания

• Veröffentlicht in: Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Datum: 2010
• Hauptverfasser: Дмитриев, М.В., Еримичой, И.Н., Панов, Л.И.
• Format: Artikel
• Sprache: Russian
• Veröffentlicht: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2010
• Schlagworte: Материалы электроники
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51990
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Зависимость диэлектрической проницаемости кристаллизующейся фазы стеклокерамики от времени спекания / М.В. Дмитриев, И.Н. Еримичой, Л.И. Панов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2010. — № 5-6. — С. 67-68. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.

Приведена методика вычисления эффективной диэлектрической проницаемости кристобалита по измеренной диэлектрической проницаемости композиционной стеклокерамики и обнаружена зависимость вычисленного параметра от времени кристаллизации. Наведено методику обчислювання ефективної діелектричної проникності кристобаліту, сформованого у склокерамічному композиційному матеріалі (СКМ), з виміряної діелектричної проникності СКМ. Виявлено залежність обчисленого параметра від часу кристалізації.ѕ The paper deals with computing technique of effective dielectric permittivity of a crystobalite εφπ formed in glassceramic body by means of measured dielectric permittivity of glass-ceramic composit. Dependence of the calculated parameter from the time of crystallization is found.