СБИС для микроэлектронного координатно-чувствительного детектора приборов элементного анализа материалов

• Опубліковано в: : Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Дата: 2009
• Автори: Сидоренко, В.П., Вербицкий, В.Г., Прокофьев, Ю.В., Кизяк, А.Ю., Николаенко, Ю.Е.
• Формат: Стаття
• Мова: Російська
• Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2009
• Теми: Функциональная микро- и наноэлектроника
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52041
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: СБИС для микроэлектронного координатно-чувствительного детектора приборов элементного анализа материалов / В.П. Сидоренко, В.Г. Вербицкий, Ю.В. Прокофьев, А.Ю. Кизяк, Ю.Е. Николаенко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2009. — № 2. — С. 25-29. — Бібліогр.: 2 назв. — рос.

Разработана СБИС, обеспечивающая одновременный анализ всех входящих в состав вещества элементов с высокой чувствительностью и точностью. Ее применение позволяет значительно снизить массу, габариты и энергопотребление детектора. Розроблено НВІС, яка забезпечує одночасний аналіз всіх елементів, що увіходять до складу речовини, з високою чутливістю та точністю. НВІС має в своєму складі 384 детектори з кроком 25 мкм. Застосування мікросхеми дозволяє суттєво знизити вагу, розміри, споживану потужність детектора, зменшити час аналізу та витрати матеріалу, що досліджується. VLSI which provides the simultaneous analysis of all composition of substance with a high sensitivity and precision has been developed. VLSI contains 384 detectors with a spatial resolution 25 microns. Application of the microcircuit allows essential lowering of the weight, size and power consumption of the detector, reducing the period of analysis and the expenditure of the material which is investigated.