Зображення обкладинки

СБИС для микроэлектронного координатно-чувствительного детектора приборов элементного анализа материалов

Разработана СБИС, обеспечивающая одновременный анализ всех входящих в состав вещества элементов с высокой чувствительностью и точностью. Ее применение позволяет значительно снизить массу, габариты и энергопотребление детектора. Розроблено НВІС, яка забезпечує одночасний аналіз всіх елементів, що уві...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Дата:	2009
Автори:	Сидоренко, В.П., Вербицкий, В.Г., Прокофьев, Ю.В., Кизяк, А.Ю., Николаенко, Ю.Е.
Формат:	Стаття
Мова:	Російська
Опубліковано:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2009
Теми:	Функциональная микро- и наноэлектроника
Онлайн доступ:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52041
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	СБИС для микроэлектронного координатно-чувствительного детектора приборов элементного анализа материалов / В.П. Сидоренко, В.Г. Вербицкий, Ю.В. Прокофьев, А.Ю. Кизяк, Ю.Е. Николаенко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2009. — № 2. — С. 25-29. — Бібліогр.: 2 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси

Схемотехника СБИС для микроэлектронного координатно-чувствительного детектора для элементного анализа материалов
за авторством: Сидоренко, В.П., та інші
Опубліковано: (2012)

СБИС для микроэлектронного координатно-чувствительного детектора нового поколения с расширенным полем анализа для масс-спектрометрии
за авторством: Сидоренко, В.П., та інші
Опубліковано: (2018)

Схемотехника СБИС для микроэлектронного координатно-чувствительного детектора для элементного анализа материалов
за авторством: Sidorenko, V. P., та інші
Опубліковано: (2012)

СБИС для микроэлектронного координатно-чувствительного детектора приборов элементного анализа материалов
за авторством: Sidorenko, V. P., та інші
Опубліковано: (2009)

Координатно-чувствительный детектор заряженных частиц для спектроскопии
за авторством: Сидоренко, В.П., та інші
Опубліковано: (2016)

Координатно-чувствительный приемник на основе анизотропного оптико-термоэлемента
за авторством: Ащеулов, А.А., та інші
Опубліковано: (2006)

Особенности проектирования высокочастотных КМОП ИC для генераторов с кварцевой стабилизацией частоты
за авторством: Вербицкий, В.Г., та інші
Опубліковано: (2011)

Кремниевый термостатированный p–i–n-фотодиод
за авторством: Добровольский, Ю.Г.
Опубліковано: (2006)

Фотодиод на основе GaP с повышенной чувствительностью в коротковолновой области УФ-спектра
за авторством: Добровольский, Ю.Г.
Опубліковано: (2012)

Спектры фоточувствительности поверхностно-барьерных структур Ni–n–GaAs
за авторством: Мелебаев, Д., та інші
Опубліковано: (2008)

Новые возможности фотоэлектрического метода определения высоты барьера в структурах Au–n-GaAs
за авторством: Мелебаев, Д., та інші
Опубліковано: (2007)

Кремниевый p–i–n-фотодиод с малым темновым током
за авторством: Добровольский, Ю.Г., та інші
Опубліковано: (2011)

Анализ влияния способа соединения столбиковых выводов интегральных схем на их сопротивление
за авторством: Готра, З.Ю., та інші
Опубліковано: (2009)

Исследование термометрических характеристик GaP-диодов p+–n-типа
за авторством: Краснов, В.А., та інші
Опубліковано: (2008)

Зависимость эффективности электролюминесцентных индикаторов от параметров источника питания
за авторством: Ленков, С.В., та інші
Опубліковано: (2008)

Симметричный двухкоординатный фотодиод
за авторством: Добровольский, Ю.Г., та інші
Опубліковано: (2008)

Жидкокристаллические мониторы для авиационной техники
за авторством: Коваленко, Л.Ф., та інші
Опубліковано: (2009)

Изменение сопротивления силовых диодов под действием импульсов ударного тока
за авторством: Павлюк, С.П., та інші
Опубліковано: (2007)

Ртутный микрозонд для исследования локальных электрофизических свойств полупроводниковых структур
за авторством: Попов, В.М., та інші
Опубліковано: (2010)

Повышение зонной избирательности электромагнитных кристаллов
за авторством: Назарько, А.И., та інші
Опубліковано: (2009)

Помехоподавляющие магнитопроводы из микропровода в стеклянной изоляции
за авторством: Колпакович, Ю.И., та інші
Опубліковано: (2006)

Разработка схемы и топологии элементов матрицы управляемых автоэмиссионных кремниевых микрокатодов
за авторством: Дружинин, А.А., та інші
Опубліковано: (2009)

Фотоприемники ультрафиолетового излучения на основе тонких пленок ZnS
за авторством: Бобренко, Ю.Н., та інші
Опубліковано: (2009)

Влияние термического окисления на анизотропию электропроводности и фотопроводимости наноструктурированного кремния
за авторством: Форш, П.А., та інші
Опубліковано: (2009)

Алмазные фотоприемники ультрафиолетового диапазона
за авторством: Алтухов, А.А., та інші
Опубліковано: (2007)

Модель алмазного транзистора
за авторством: Алтухов, А.А., та інші
Опубліковано: (2011)

Влияние распределения примеси в базе на фотоэлектрические свойства поверхностно-барьерных УФ-фотоприемников
за авторством: Бобренко, Ю.Н., та інші
Опубліковано: (2012)

Локальные свойства электрически активных дефектов в солнечных батареях на основе кремния
за авторством: Попов, В.М., та інші
Опубліковано: (2010)

Свойства двойных гетеропереходов p⁺-InP/n-InGaAsP/n-InP, изготовленных методом жидкофазной эпитаксии
за авторством: Вакив, Н.М., та інші
Опубліковано: (2012)

Механизм насыщения тока стока полевого транзистора с р–n-переходом
за авторством: Ёдгорова, Д.М.
Опубліковано: (2006)

Гибридная интегральная схема для обработки звукового сигнала
за авторством: Ковальчук, В.А., та інші
Опубліковано: (2011)

Исследование кремниевых диффузионных резисторов при протекании импульса тока большой плотности
за авторством: Кушниренко, В.В., та інші
Опубліковано: (2005)

Определение радиационной стойкости ИС с помощью низкоэнергетического излучения
за авторством: Перевертайло, В.Л.
Опубліковано: (2012)

Исследование температурной зависимости контактного сопротивления омических контактов к InP
за авторством: Новицкий, С.В.
Опубліковано: (2012)

Формирование прозрачных омических контактов к р-GaN для светоизлучающих диодов
за авторством: Босый, В.И., та інші
Опубліковано: (2007)

Характеристики фотодиодов со структурой «собственный оксид – InSe», облученных высокоэнергетическими электронами
за авторством: Сидор, О.Н., та інші
Опубліковано: (2012)

Некоторые особенности ограничителя тока на полевом транзисторе
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2011)

Моделирование магнитотранзисторов на основе одномерного уравнения непрерывности
за авторством: Глауберман, М.А., та інші
Опубліковано: (2013)

Поверхностные нанообразования при окислении слоистых кристаллов SnS₂
за авторством: Катеринчук, В.Н., та інші
Опубліковано: (2007)

Нестационарные электронные процессы в барьерных структурах и приборы на их основе
за авторством: Джафарова, Э.А.
Опубліковано: (2006)