СБИС для микроэлектронного координатно-чувствительного детектора приборов элементного анализа материалов
Разработана СБИС, обеспечивающая одновременный анализ всех входящих в состав вещества элементов с высокой чувствительностью и точностью. Ее применение позволяет значительно снизить массу, габариты и энергопотребление детектора. Розроблено НВІС, яка забезпечує одночасний аналіз всіх елементів, що уві...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Datum: | 2009 |
| Hauptverfasser: | Сидоренко, В.П., Вербицкий, В.Г., Прокофьев, Ю.В., Кизяк, А.Ю., Николаенко, Ю.Е. |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russisch |
| Veröffentlicht: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2009
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52041 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | СБИС для микроэлектронного координатно-чувствительного детектора приборов элементного анализа материалов / В.П. Сидоренко, В.Г. Вербицкий, Ю.В. Прокофьев, А.Ю. Кизяк, Ю.Е. Николаенко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2009. — № 2. — С. 25-29. — Бібліогр.: 2 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineÄhnliche Einträge
Схемотехника СБИС для микроэлектронного координатно-чувствительного детектора для элементного анализа материалов
von: Сидоренко, В.П., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Сидоренко, В.П., et al.
Veröffentlicht: (2012)
СБИС для микроэлектронного координатно-чувствительного детектора нового поколения с расширенным полем анализа для масс-спектрометрии
von: Сидоренко, В.П., et al.
Veröffentlicht: (2018)
von: Сидоренко, В.П., et al.
Veröffentlicht: (2018)
Схемотехника СБИС для микроэлектронного координатно-чувствительного детектора для элементного анализа материалов
von: Sidorenko, V. P., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Sidorenko, V. P., et al.
Veröffentlicht: (2012)
СБИС для микроэлектронного координатно-чувствительного детектора приборов элементного анализа материалов
von: Sidorenko, V. P., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Sidorenko, V. P., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Координатно-чувствительный детектор заряженных частиц для спектроскопии
von: Сидоренко, В.П., et al.
Veröffentlicht: (2016)
von: Сидоренко, В.П., et al.
Veröffentlicht: (2016)
Координатно-чувствительный приемник на основе анизотропного оптико-термоэлемента
von: Ащеулов, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2006)
von: Ащеулов, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2006)
Особенности проектирования высокочастотных КМОП ИC для генераторов с кварцевой стабилизацией частоты
von: Вербицкий, В.Г., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Вербицкий, В.Г., et al.
Veröffentlicht: (2011)
Кремниевый термостатированный p–i–n-фотодиод
von: Добровольский, Ю.Г.
Veröffentlicht: (2006)
von: Добровольский, Ю.Г.
Veröffentlicht: (2006)
Фотодиод на основе GaP с повышенной чувствительностью в коротковолновой области УФ-спектра
von: Добровольский, Ю.Г.
Veröffentlicht: (2012)
von: Добровольский, Ю.Г.
Veröffentlicht: (2012)
Спектры фоточувствительности поверхностно-барьерных структур Ni–n–GaAs
von: Мелебаев, Д., et al.
Veröffentlicht: (2008)
von: Мелебаев, Д., et al.
Veröffentlicht: (2008)
Новые возможности фотоэлектрического метода определения высоты барьера в структурах Au–n-GaAs
von: Мелебаев, Д., et al.
Veröffentlicht: (2007)
von: Мелебаев, Д., et al.
Veröffentlicht: (2007)
Кремниевый p–i–n-фотодиод с малым темновым током
von: Добровольский, Ю.Г., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Добровольский, Ю.Г., et al.
Veröffentlicht: (2011)
Анализ влияния способа соединения столбиковых выводов интегральных схем на их сопротивление
von: Готра, З.Ю., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Готра, З.Ю., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Исследование термометрических характеристик GaP-диодов p+–n-типа
von: Краснов, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2008)
von: Краснов, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2008)
Зависимость эффективности электролюминесцентных индикаторов от параметров источника питания
von: Ленков, С.В., et al.
Veröffentlicht: (2008)
von: Ленков, С.В., et al.
Veröffentlicht: (2008)
Симметричный двухкоординатный фотодиод
von: Добровольский, Ю.Г., et al.
Veröffentlicht: (2008)
von: Добровольский, Ю.Г., et al.
Veröffentlicht: (2008)
Жидкокристаллические мониторы для авиационной техники
von: Коваленко, Л.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Коваленко, Л.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Изменение сопротивления силовых диодов под действием импульсов ударного тока
von: Павлюк, С.П., et al.
Veröffentlicht: (2007)
von: Павлюк, С.П., et al.
Veröffentlicht: (2007)
Ртутный микрозонд для исследования локальных электрофизических свойств полупроводниковых структур
von: Попов, В.М., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Попов, В.М., et al.
Veröffentlicht: (2010)
Повышение зонной избирательности электромагнитных кристаллов
von: Назарько, А.И., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Назарько, А.И., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Помехоподавляющие магнитопроводы из микропровода в стеклянной изоляции
von: Колпакович, Ю.И., et al.
Veröffentlicht: (2006)
von: Колпакович, Ю.И., et al.
Veröffentlicht: (2006)
Разработка схемы и топологии элементов матрицы управляемых автоэмиссионных кремниевых микрокатодов
von: Дружинин, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Дружинин, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Фотоприемники ультрафиолетового излучения на основе тонких пленок ZnS
von: Бобренко, Ю.Н., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Бобренко, Ю.Н., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Влияние термического окисления на анизотропию электропроводности и фотопроводимости наноструктурированного кремния
von: Форш, П.А., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Форш, П.А., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Алмазные фотоприемники ультрафиолетового диапазона
von: Алтухов, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2007)
von: Алтухов, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2007)
Модель алмазного транзистора
von: Алтухов, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Алтухов, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2011)
Влияние распределения примеси в базе на фотоэлектрические свойства поверхностно-барьерных УФ-фотоприемников
von: Бобренко, Ю.Н., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Бобренко, Ю.Н., et al.
Veröffentlicht: (2012)
Локальные свойства электрически активных дефектов в солнечных батареях на основе кремния
von: Попов, В.М., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Попов, В.М., et al.
Veröffentlicht: (2010)
Свойства двойных гетеропереходов p⁺-InP/n-InGaAsP/n-InP, изготовленных методом жидкофазной эпитаксии
von: Вакив, Н.М., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Вакив, Н.М., et al.
Veröffentlicht: (2012)
Механизм насыщения тока стока полевого транзистора с р–n-переходом
von: Ёдгорова, Д.М.
Veröffentlicht: (2006)
von: Ёдгорова, Д.М.
Veröffentlicht: (2006)
Гибридная интегральная схема для обработки звукового сигнала
von: Ковальчук, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Ковальчук, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2011)
Исследование кремниевых диффузионных резисторов при протекании импульса тока большой плотности
von: Кушниренко, В.В., et al.
Veröffentlicht: (2005)
von: Кушниренко, В.В., et al.
Veröffentlicht: (2005)
Определение радиационной стойкости ИС с помощью низкоэнергетического излучения
von: Перевертайло, В.Л.
Veröffentlicht: (2012)
von: Перевертайло, В.Л.
Veröffentlicht: (2012)
Исследование температурной зависимости контактного сопротивления омических контактов к InP
von: Новицкий, С.В.
Veröffentlicht: (2012)
von: Новицкий, С.В.
Veröffentlicht: (2012)
Формирование прозрачных омических контактов к р-GaN для светоизлучающих диодов
von: Босый, В.И., et al.
Veröffentlicht: (2007)
von: Босый, В.И., et al.
Veröffentlicht: (2007)
Характеристики фотодиодов со структурой «собственный оксид – InSe», облученных высокоэнергетическими электронами
von: Сидор, О.Н., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Сидор, О.Н., et al.
Veröffentlicht: (2012)
Некоторые особенности ограничителя тока на полевом транзисторе
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2011)
Моделирование магнитотранзисторов на основе одномерного уравнения непрерывности
von: Глауберман, М.А., et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: Глауберман, М.А., et al.
Veröffentlicht: (2013)
Поверхностные нанообразования при окислении слоистых кристаллов SnS₂
von: Катеринчук, В.Н., et al.
Veröffentlicht: (2007)
von: Катеринчук, В.Н., et al.
Veröffentlicht: (2007)
Нестационарные электронные процессы в барьерных структурах и приборы на их основе
von: Джафарова, Э.А.
Veröffentlicht: (2006)
von: Джафарова, Э.А.
Veröffentlicht: (2006)
Ähnliche Einträge
-
Схемотехника СБИС для микроэлектронного координатно-чувствительного детектора для элементного анализа материалов
von: Сидоренко, В.П., et al.
Veröffentlicht: (2012) -
СБИС для микроэлектронного координатно-чувствительного детектора нового поколения с расширенным полем анализа для масс-спектрометрии
von: Сидоренко, В.П., et al.
Veröffentlicht: (2018) -
Схемотехника СБИС для микроэлектронного координатно-чувствительного детектора для элементного анализа материалов
von: Sidorenko, V. P., et al.
Veröffentlicht: (2012) -
СБИС для микроэлектронного координатно-чувствительного детектора приборов элементного анализа материалов
von: Sidorenko, V. P., et al.
Veröffentlicht: (2009) -
Координатно-чувствительный детектор заряженных частиц для спектроскопии
von: Сидоренко, В.П., et al.
Veröffentlicht: (2016)