Электроосаждение конформных электродов для получения туннельного перехода с вакуумным нанозазором

• Veröffentlicht in: Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Datum: 2009
• Hauptverfasser: Джангидзе, Л.Б., Тавхелидзе, А.Н., Благидзе, Ю.М., Талиашвили, З.И.
• Format: Artikel
• Sprache: Russisch
• Veröffentlicht: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2009
• Schlagworte: Технологические процессы и оборудование
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52044
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Электроосаждение конформных электродов для получения туннельного перехода с вакуумным нанозазором / Л.Б. Джангидзе, А.Н. Тавхелидзе, Ю.М. Благидзе, З.И. Талиашвили // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2009. — № 2. — С. 37-42. — Бібліогр.: 18 назв. — рос.

Предложены различные технологические приемы, позволяющие получить правильную геометрию электрода в процессе электроосаждения меди и уменьшить внутреннее напряжение осаждаемого слоя. Електроосадження мідного електроду на підкладці Si здійснюється для отримання вакуумного нанозазору великої площі для термотунельних приладів. Для отримання правильної геометрії такого електроду і зменшення внутрішньої напруги в ньому використовували обертання катода, різні захисні маски, асиметричний струмовий режим, регулювання і стабілізацію температуриелектроліту. Зменшення діаметру електроду до 3 мм ізбільшення товщини кремнієвої пластини до 2 мм даєможливість виростити електрод з вигином порядка 2,5 нм/мм. Це дозволило отримати два конформні електроди з нанозазором менше 5 нм на площі 7 мм². Такконформні електроди можна використовувати в пристроях на основі тунельного проходження електронів. Electroplating of a Cu electrode on a Si substrate is carried into effect in order to get vacuum nano-clearance of a big area for the thermotunnel devices. For obtaining the correct geometry of such an electrode and reduction of the internal tension, there were used the rotation of the cathode, various protective masks, the dissymmetric current mode, the regulation and stabilization of electrolit s temperature. The diameter of electrode reduction down to 3 mm and the increase in thickness of an initial silicon plate up to 2 mm enable to grow up an electrode with a bend of about 2,5 nm/mm. Which made it possible to obtain two conform electrodes with the nano-clearance of less than 5 nm on the area of 7 mm². The conform electrodes of this type may be used in the device based on electrons tunnel transition.