Buchumschlag

Электроосаждение конформных электродов для получения туннельного перехода с вакуумным нанозазором

Предложены различные технологические приемы, позволяющие получить правильную геометрию электрода в процессе электроосаждения меди и уменьшить внутреннее напряжение осаждаемого слоя. Електроосадження мідного електроду на підкладці Si здійснюється для отримання вакуумного нанозазору великої площі для...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Datum:	2009
Hauptverfasser:	Джангидзе, Л.Б., Тавхелидзе, А.Н., Благидзе, Ю.М., Талиашвили, З.И.
Format:	Artikel
Sprache:	Russisch
Veröffentlicht:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2009
Schlagworte:	Технологические процессы и оборудование
Online Zugang:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52044
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:	Электроосаждение конформных электродов для получения туннельного перехода с вакуумным нанозазором / Л.Б. Джангидзе, А.Н. Тавхелидзе, Ю.М. Благидзе, З.И. Талиашвили // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2009. — № 2. — С. 37-42. — Бібліогр.: 18 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Ähnliche Einträge

Электроосаждение конформных электродов для получения туннельного перехода с вакуумным нанозазором
von: Djanghidze, L. B., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Физико-технологические основы получения резкого p–n-перехода
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Технология получения пленок силицида палладия для мощных диодов Шоттки
von: Ануфриев, Л.П., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Магнитосопротивление нестационарного магнитного туннельного перехода
von: Абдулкадыров, Д.В., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Приборно-технологическое моделирование автоэмиссионных кремниевых микрокатодов
von: Дружинин, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Новое технологическое оборудование для инновационных технологий микро-, нано- и радиоэлектроники
von: Одиноков, В.В., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Технологические источники ионов на основе контрагированных разрядов
von: Никитинский, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Радиационная технология улучшения омических контактов к элементам электронной техники
von: Конакова, Р.В., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Особенности конструкции и технологии сборки микроэлектронных координатно-чувствительных детекторов
von: Сидоренко, В.П., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Технологии изготовления фотонных кристаллов
von: Березянский, Б.М.
Veröffentlicht: (2007)

Оптимизация струйной технологии изготовления токопроводящих элементов печатных плат
von: Лесюк, Р.И., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Формирование МОП-транзисторов с изоляцией активных элементов окисленным пористым кремнием
von: Новосядлый, С.П., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Аналитические электронные весы с цифроаналоговым каналом компенсации
von: Липинский, А.Ю., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Получение, свойства и применение тонких нанонеоднородных пленок Ge на GaAs-подложках
von: Венгер, Е.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Получение поверхностно-барьерных структур на основе четырехкомпонентных твердых растворов А⁴В⁶
von: Ткачук, А.И., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Лазерное текстурирование поверхности предварительно нагретого монокристалла кремния
von: Крапивко, Г.И.
Veröffentlicht: (2005)

Источник бескапельных плазменных потоков для наноэлектроники
von: Борисенко, А.Г.
Veröffentlicht: (2013)

Технология изготовления гибких терморезисторов на полиимидной основе
von: Динев, Д.А., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Безадгезивные акустические мембраны на полиимидной основе
von: Воробьев, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Метод определения температуры и теплового сопротивления точек поверхности кристалла интегральной схемы
von: Попов, В.М., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Получение двухсторонних высоковольтных эпитаксиальных кремниевых p—i—n-структур методом ЖФЭ
von: Вакив, Н.М., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Improvement of the reverse characteristics of Schottky diodes using gettering
von: Litvinenko, V.N., et al.
Veröffentlicht: (2019)

Сетевая система контроля технологического процесса выращивания полупроводниковых кристаллов и тонких пленок
von: Рогов, Р.В., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Сравнительный анализ технологий изготовления кремниевых схем считывания информации с ИК-фотодиодов
von: Рева, В.П., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Информационные параметры для реализации адаптивной зарядки вторичных химических источников тока
von: Житник, Н.Е., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Макет экспериментальной установки для исследования пространственно-временного интегрирования в акустооптической среде
von: Рудякова, А.Н., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Разработка процесса глубокого плазменного травления кремния для технологии трехмерной интеграции кристаллов
von: Голишников, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Лазерная абляция и фотостимулированная пассивация поверхности кристаллов Cd1–хZnхTe
von: Загоруйко, Ю.А., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Исследование линейной корреляционной связи в парных выборках малого объема
von: Попукайло, В.С.
Veröffentlicht: (2016)

Монтаж микросборок с подложкой из кремния
von: Спирин, В.Г.
Veröffentlicht: (2005)

Испаритель для термического напыления материалов в вакууме
von: Босый, В.И., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Приборное обеспечение измерения параметров ультразвуковых воздействий в технологических процессах
von: Ланин, В.Л., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Установка для регенерации сорбентов в электромагнитном поле
von: Головко, М.И., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Плазмохимическое травление эпитаксиальных структур нитрида галлия
von: Борисенко, А.Г., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Химическое осаждение из газовой фази гетеро- и наноструктур соединений III–V
von: Воронин, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Автоматизированная система регистрации циклов при вибрационных испытаниях образца
von: Усов, В.В., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Современная инфракрасная термография в контроле и диагностике оборудования
von: Стевич, З., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Алгоритм выбора интервала пересчета параметров объектов контроля и управления в АСУ ТП
von: Тыныныка, А.Н
Veröffentlicht: (2016)

Особенности изготовления Cd1-xZnxTe-детектора ионизирующего излучения
von: Томашик, З.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Высокочувствительная установка для оценки изменения показателя преломления водных растворов
von: Подкамень, Л.И., et al.
Veröffentlicht: (2011)