Изменение свойств пленок кремнийорганических стекол после термической и плазмохимической обработок

Установлено, что оценка качества пленки после различных технологических операций изготовления ИС может проводиться по изменению спектра пропускания пленки. Это позволяет исключить брак ИС, обусловленный обрывом слоя металла. Встановлено, що оцінка якості плівки після різних технологічних операцій ви...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Datum:2009
ISSN:2225-5818
Hauptverfasser: Иванчиков, А.Э., Кисель, А.М., Медведева, А.Б., Плебанович, В.И.
Format: Artikel
Sprache:Russisch
Veröffentlicht: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2009
Schlagworte:
Online Zugang:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52046
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Изменение свойств пленок кремнийорганических стекол после термической и плазмохимической обработок / А.Э. Иванчиков, А.М. Кисель, А.Б. Медведева, В.И. Плебанович // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2009. — № 2. — С. 46-50. — Бібліогр.: 2 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Beschreibung
Zusammenfassung:Установлено, что оценка качества пленки после различных технологических операций изготовления ИС может проводиться по изменению спектра пропускания пленки. Это позволяет исключить брак ИС, обусловленный обрывом слоя металла. Встановлено, що оцінка якості плівки після різних технологічних операцій виготовлення ІС може проводитися по зміні спектру пропускання плівки. Це дозволяє виключити брак ІС, обумовлений обривом шару металу. It is established, that the estimation of quality of a film after various technological operations of IC manufacturing can be realized by means of changing the transmission spectrum of the film. It allows to exclude rejects of ICs caused by breakage of a metal layer.
ISSN:2225-5818