Моделирование электрических характеристик и расчет конструктивных параметров кремниевого стабилитрона с напряжением стабилизации 6,5 В

• Veröffentlicht in: Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Datum: 2009
• Hauptverfasser: Дудар, Н.Л., Сякерский, В.С., Корытко, Н.Н.
• Format: Artikel
• Sprache: Russian
• Veröffentlicht: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2009
• Schlagworte: Электронные средства: исследования, разработки
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52054
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Моделирование электрических характеристик и расчет конструктивных параметров кремниевого стабилитрона с напряжением стабилизации 6,5 В / Н.Л. Дудар, В.С. Сякерский, Н.Н. Корытко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2009. — № 3. — С. 10-12. — Бібліогр.: 5 назв. — рос.

Предложена технология изготовления кремниевого стабилитрона. Определены удельное сопротивление подложки, режим диффузии фосфора в подложку, обеспечивающие требуемые значения напряжения стабилизации в заданном диапазоне температуры. Приведено результати оптимізаційного моделювання оригінального техпроцесу виготовлення та електричних характеристик стабілітронів з напругою стабілізації Uст=6,5±0,5 В. Маршрут виготовлення стабілітрона включає формування областей охоронних кілець n⁺-типу в підкладці р-типу формування р-n-переходу в підкладці р-типу формування міжшарового оксиду напилення металу. В результаті розрахунків електричних характеристик були одержані значення напруги стабілізації і диференціального опору зворотньої гілки ВАХ стабілітрона нормальної, зниженої і підвищеної температури. The results of an optimization simulation of original manufacturing process and electric characteristics of stabilitrons with stabilizing voltage Ust=(6,5 ±0,5) V are presented. The flow of manufacturing process of simulated stabilitron includes the n⁺-type guard rings regions formation in the p-type substrate; the p-n-junction formation in the ptype substrate; intermediate oxide formation; metal deposition. The stabilizing voltage and differential resistance of the stabilitron voltage-current characteristic reverse branch values were received as the result of calculations at the normal, reduced and high temperature.