Моделирование электрических характеристик и расчет конструктивных параметров кремниевого стабилитрона с напряжением стабилизации 6,5 В
Предложена технология изготовления кремниевого стабилитрона. Определены удельное сопротивление подложки, режим диффузии фосфора в подложку, обеспечивающие требуемые значения напряжения стабилизации в заданном диапазоне температуры. Приведено результати оптимізаційного моделювання оригінального техпр...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Дата: | 2009 |
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2009
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52054 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Моделирование электрических характеристик и расчет конструктивных параметров кремниевого стабилитрона с напряжением стабилизации 6,5 В / Н.Л. Дудар, В.С. Сякерский, Н.Н. Корытко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2009. — № 3. — С. 10-12. — Бібліогр.: 5 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-52054 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Дудар, Н.Л. Сякерский, В.С. Корытко, Н.Н. 2013-12-26T23:31:56Z 2013-12-26T23:31:56Z 2009 Моделирование электрических характеристик и расчет конструктивных параметров кремниевого стабилитрона с напряжением стабилизации 6,5 В / Н.Л. Дудар, В.С. Сякерский, Н.Н. Корытко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2009. — № 3. — С. 10-12. — Бібліогр.: 5 назв. — рос. 2225-5818 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52054 Предложена технология изготовления кремниевого стабилитрона. Определены удельное сопротивление подложки, режим диффузии фосфора в подложку, обеспечивающие требуемые значения напряжения стабилизации в заданном диапазоне температуры. Приведено результати оптимізаційного моделювання оригінального техпроцесу виготовлення та електричних характеристик стабілітронів з напругою стабілізації Uст=6,5±0,5 В. Маршрут виготовлення стабілітрона включає формування областей охоронних кілець n⁺-типу в підкладці р-типу формування р-n-переходу в підкладці р-типу формування міжшарового оксиду напилення металу. В результаті розрахунків електричних характеристик були одержані значення напруги стабілізації і диференціального опору зворотньої гілки ВАХ стабілітрона нормальної, зниженої і підвищеної температури. The results of an optimization simulation of original manufacturing process and electric characteristics of stabilitrons with stabilizing voltage Ust=(6,5 ±0,5) V are presented. The flow of manufacturing process of simulated stabilitron includes the n⁺-type guard rings regions formation in the p-type substrate; the p-n-junction formation in the ptype substrate; intermediate oxide formation; metal deposition. The stabilizing voltage and differential resistance of the stabilitron voltage-current characteristic reverse branch values were received as the result of calculations at the normal, reduced and high temperature. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Электронные средства: исследования, разработки Моделирование электрических характеристик и расчет конструктивных параметров кремниевого стабилитрона с напряжением стабилизации 6,5 В Моделюваня електричних характеристик та розрахунок конструктивних параметрів кремнієвого стабілітрона з напругою стабілізації 6,5 В The electric characteristics simulation and structural parameters calculation of Si-based stabilitron with stabilizing voltage 6,5 Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Моделирование электрических характеристик и расчет конструктивных параметров кремниевого стабилитрона с напряжением стабилизации 6,5 В |
| spellingShingle |
Моделирование электрических характеристик и расчет конструктивных параметров кремниевого стабилитрона с напряжением стабилизации 6,5 В Дудар, Н.Л. Сякерский, В.С. Корытко, Н.Н. Электронные средства: исследования, разработки |
| title_short |
Моделирование электрических характеристик и расчет конструктивных параметров кремниевого стабилитрона с напряжением стабилизации 6,5 В |
| title_full |
Моделирование электрических характеристик и расчет конструктивных параметров кремниевого стабилитрона с напряжением стабилизации 6,5 В |
| title_fullStr |
Моделирование электрических характеристик и расчет конструктивных параметров кремниевого стабилитрона с напряжением стабилизации 6,5 В |
| title_full_unstemmed |
Моделирование электрических характеристик и расчет конструктивных параметров кремниевого стабилитрона с напряжением стабилизации 6,5 В |
| title_sort |
моделирование электрических характеристик и расчет конструктивных параметров кремниевого стабилитрона с напряжением стабилизации 6,5 в |
| author |
Дудар, Н.Л. Сякерский, В.С. Корытко, Н.Н. |
| author_facet |
Дудар, Н.Л. Сякерский, В.С. Корытко, Н.Н. |
| topic |
Электронные средства: исследования, разработки |
| topic_facet |
Электронные средства: исследования, разработки |
| publishDate |
2009 |
| language |
Russian |
| container_title |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| format |
Article |
| title_alt |
Моделюваня електричних характеристик та розрахунок конструктивних параметрів кремнієвого стабілітрона з напругою стабілізації 6,5 В The electric characteristics simulation and structural parameters calculation of Si-based stabilitron with stabilizing voltage 6,5 |
| description |
Предложена технология изготовления кремниевого стабилитрона. Определены удельное сопротивление подложки, режим диффузии фосфора в подложку, обеспечивающие требуемые значения напряжения стабилизации в заданном диапазоне температуры.
Приведено результати оптимізаційного моделювання оригінального техпроцесу виготовлення та електричних характеристик стабілітронів з напругою стабілізації Uст=6,5±0,5 В. Маршрут виготовлення стабілітрона включає формування областей охоронних кілець n⁺-типу в підкладці р-типу формування р-n-переходу в підкладці р-типу формування міжшарового оксиду напилення металу. В результаті розрахунків електричних характеристик були одержані значення напруги стабілізації і диференціального опору зворотньої гілки ВАХ стабілітрона нормальної, зниженої і підвищеної температури.
The results of an optimization simulation of original manufacturing process and electric characteristics of stabilitrons with stabilizing voltage Ust=(6,5 ±0,5) V are presented. The flow of manufacturing process of simulated stabilitron includes the n⁺-type guard rings regions formation in the p-type substrate; the p-n-junction formation in the ptype substrate; intermediate oxide formation; metal deposition. The stabilizing voltage and differential resistance of the stabilitron voltage-current characteristic reverse branch values were received as the result of calculations at the normal, reduced and high temperature.
|
| issn |
2225-5818 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52054 |
| citation_txt |
Моделирование электрических характеристик и расчет конструктивных параметров кремниевого стабилитрона с напряжением стабилизации 6,5 В / Н.Л. Дудар, В.С. Сякерский, Н.Н. Корытко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2009. — № 3. — С. 10-12. — Бібліогр.: 5 назв. — рос. |
| work_keys_str_mv |
AT dudarnl modelirovanieélektričeskihharakteristikirasčetkonstruktivnyhparametrovkremnievogostabilitronasnaprâženiemstabilizacii65v AT sâkerskiivs modelirovanieélektričeskihharakteristikirasčetkonstruktivnyhparametrovkremnievogostabilitronasnaprâženiemstabilizacii65v AT korytkonn modelirovanieélektričeskihharakteristikirasčetkonstruktivnyhparametrovkremnievogostabilitronasnaprâženiemstabilizacii65v AT dudarnl modelûvanâelektričnihharakteristiktarozrahunokkonstruktivnihparametrívkremníêvogostabílítronaznaprugoûstabílízacíí65v AT sâkerskiivs modelûvanâelektričnihharakteristiktarozrahunokkonstruktivnihparametrívkremníêvogostabílítronaznaprugoûstabílízacíí65v AT korytkonn modelûvanâelektričnihharakteristiktarozrahunokkonstruktivnihparametrívkremníêvogostabílítronaznaprugoûstabílízacíí65v AT dudarnl theelectriccharacteristicssimulationandstructuralparameterscalculationofsibasedstabilitronwithstabilizingvoltage65 AT sâkerskiivs theelectriccharacteristicssimulationandstructuralparameterscalculationofsibasedstabilitronwithstabilizingvoltage65 AT korytkonn theelectriccharacteristicssimulationandstructuralparameterscalculationofsibasedstabilitronwithstabilizingvoltage65 |
| first_indexed |
2025-12-07T18:14:46Z |
| last_indexed |
2025-12-07T18:14:46Z |
| _version_ |
1850874303559499776 |