Кремний мультипористой текстуры для фотоэлектрических преобразователей солнечной энергии

• Published in: Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Date: 2009
• Main Authors: Ерохов, В.Ю., Дружинин, А.О.
• Format: Article
• Language: Russian
• Published: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2009
• Subjects: Энергетическая электроника
• Online Access: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52057
• Journal Title: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Cite this: Кремний мультипористой текстуры для фотоэлектрических преобразователей солнечной энергии / В.Ю. Ерохов, А.О. Дружинин // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2009. — № 3. — С. 21-23. — Бібліогр.: 1 назв. — рос.

Эффективность преобразования солнечной энергии можно существенно увеличить, если использовать в качестве фронтальной поверхности солнечного элемента кремний мультипористой текстуры. Показано можливість створення кремнію мультипористої текстури як матеріалу структури фотоелектричних·перетворювачів (ФЕП). Розглянуто морфологічні елементи пористого кремнію щодо різних параметрів пори.Показано, що при використанні колоноподібного мультипористого кремнію, який виростили хімічним і електрохімічним методами, інтегральний коефіцієнт відбивання фронтальної поверхні ФЕП зменшується.· The possibility of creation of porous silicon s multitexture, as material of structure of photoelectric converter (FEC) is shown. The morphological elements of porous silicon are considered relative to different pore parameters. The integral coefficient of frontal surface reflection of FEC with using of columnar multitexture in the range from 400 nm up to 1150 nm decreased.