Buchumschlag

Квантовое ограничение закона Мура

Закон Мура точно предсказывал темпы роста мощности вычислительной техники, исходя из возрастания плотности транзисторов в кристалле интегральной схемы (ИС), начиная с 1965 г. Многие полагают, что эта тенденция будет продолжаться неопределенное время, однако законы квантовой физики могут ограничить п...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Datum:	2009
1. Verfasser:	Пауэлл, Джеймс Р.
Format:	Artikel
Sprache:	Russisch
Veröffentlicht:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2009
Schlagworte:	Функциональная микро- и наноэлектроника
Online Zugang:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52059
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:	Квантовое ограничение закона Мура / Джеймс Р. Пауэлл // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2009. — № 3. — С. 26-27. — Бібліогр.: 3 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Ähnliche Einträge

Квантовое ограничение закона Мура
von: Powell, J. R.
Veröffentlicht: (2009)

Роль пластической деформации в получении нанокремния
von: Смынтына, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Аномальный фотовольтаический эффект в структуре с барьером Шоттки–Мотта
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Некоторые особенности фотоэлектрических характеристик двухбазовой Ag–N⁰Al₀,₂Ga₀,₈As–n+GaAs–n⁰Ga₀,₉In₀,₁As–Au-структуры
von: Ёдгорова, Д.М., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Изменение сопротивления силовых диодов под действием импульсов ударного тока
von: Павлюк, С.П., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Исследование удельного сопротивления омических контактов Au—Ti—Pd—n-Si для лавинно-пролетных диодов
von: Басанец, В.В., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Некоторые особенности ограничителя тока на полевом транзисторе
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Свойства двойных гетеропереходов p⁺-InP/n-InGaAsP/n-InP, изготовленных методом жидкофазной эпитаксии
von: Вакив, Н.М., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Измерения ВАХ импульсных кремниевых ЛПД на участке лавинного пробоя
von: Кудрик, Я.Я.
Veröffentlicht: (2009)

Фотоприемники ультрафиолетового излучения на основе тонких пленок ZnS
von: Бобренко, Ю.Н., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Влияние термического окисления на анизотропию электропроводности и фотопроводимости наноструктурированного кремния
von: Форш, П.А., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Модель линии передачи для наноэлектроники
von: Нелин, Е.А.
Veröffentlicht: (2009)

Многофункциональная гомопереходная арсенид-галлиевая n–p–m-структура
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Анализ влияния способа соединения столбиковых выводов интегральных схем на их сопротивление
von: Готра, З.Ю., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Жидкокристаллические мониторы для авиационной техники
von: Коваленко, Л.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Арсенид-галлиевые p+–n–p+-структуры с обедняемой базовой областью
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Измерение температуры с использованием оптических датчиков на основе двулучепреломляющих кристаллов
von: Габа, В.М.
Veröffentlicht: (2009)

Применение гибких носителей при сборке кремниевых детекторов
von: Перевертайло, В.Л., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Вольт-фарадные измерения в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs
von: Горев, Н.Б., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Инфракрасные отрезающие фильтры на основе монокристаллов CdSb, ZnSb для оптофотоэлектронных устройств
von: Ащеулов, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2009)

СБИС для микроэлектронного координатно-чувствительного детектора приборов элементного анализа материалов
von: Сидоренко, В.П., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Объемные оптические покрытия из халькогенидных стекол для полупроводниковых источников ИК-излучения
von: Кабаций, В.Н.
Veröffentlicht: (2009)

Повышение зонной избирательности электромагнитных кристаллов
von: Назарько, А.И., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Разработка схемы и топологии элементов матрицы управляемых автоэмиссионных кремниевых микрокатодов
von: Дружинин, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Механизм насыщения тока стока полевого транзистора с р–n-переходом
von: Ёдгорова, Д.М.
Veröffentlicht: (2006)

Гибридная интегральная схема для обработки звукового сигнала
von: Ковальчук, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Исследование кремниевых диффузионных резисторов при протекании импульса тока большой плотности
von: Кушниренко, В.В., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Определение радиационной стойкости ИС с помощью низкоэнергетического излучения
von: Перевертайло, В.Л.
Veröffentlicht: (2012)

Исследование температурной зависимости контактного сопротивления омических контактов к InP
von: Новицкий, С.В.
Veröffentlicht: (2012)

Формирование прозрачных омических контактов к р-GaN для светоизлучающих диодов
von: Босый, В.И., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Кремниевый термостатированный p–i–n-фотодиод
von: Добровольский, Ю.Г.
Veröffentlicht: (2006)

Характеристики фотодиодов со структурой «собственный оксид – InSe», облученных высокоэнергетическими электронами
von: Сидор, О.Н., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Моделирование магнитотранзисторов на основе одномерного уравнения непрерывности
von: Глауберман, М.А., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Поверхностные нанообразования при окислении слоистых кристаллов SnS₂
von: Катеринчук, В.Н., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Нестационарные электронные процессы в барьерных структурах и приборы на их основе
von: Джафарова, Э.А.
Veröffentlicht: (2006)

Интегральные двухсторонние кремниевые микростриповые детекторы
von: Перевертайло, В.Л.
Veröffentlicht: (2011)

Структура Те–CdTe со свойством электронного переключения с памятью
von: Байдуллаева, А., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Фотоэлектрические свойства гетеропереходов n-SiC/n-Si
von: Семенов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Спектры фоточувствительности поверхностно-барьерных структур Ni–n–GaAs
von: Мелебаев, Д., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Микрочиповые лазеры с пассивной модуляцией добротности на основе эпитаксиальных структур Nd:АИГ/Сr+4:АИГ
von: Ижнин, И.И., et al.
Veröffentlicht: (2005)