Зображення обкладинки

Квантовое ограничение закона Мура

Закон Мура точно предсказывал темпы роста мощности вычислительной техники, исходя из возрастания плотности транзисторов в кристалле интегральной схемы (ИС), начиная с 1965 г. Многие полагают, что эта тенденция будет продолжаться неопределенное время, однако законы квантовой физики могут ограничить п...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Опубліковано в:	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Дата:	2009
ISSN:	2225-5818
Автор:	Пауэлл, Джеймс Р.
Формат:	Стаття
Мова:	Російська
Опубліковано:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2009
Теми:	Функциональная микро- и наноэлектроника
Онлайн доступ:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52059
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Квантовое ограничение закона Мура / Джеймс Р. Пауэлл // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2009. — № 3. — С. 26-27. — Бібліогр.: 3 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси

Квантовое ограничение закона Мура
за авторством: Powell, J. R.
Опубліковано: (2009)

Роль пластической деформации в получении нанокремния
за авторством: Смынтына, В.А., та інші
Опубліковано: (2011)

Аномальный фотовольтаический эффект в структуре с барьером Шоттки–Мотта
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2008)

Некоторые особенности фотоэлектрических характеристик двухбазовой Ag–N⁰Al₀,₂Ga₀,₈As–n+GaAs–n⁰Ga₀,₉In₀,₁As–Au-структуры
за авторством: Ёдгорова, Д.М., та інші
Опубліковано: (2008)

Изменение сопротивления силовых диодов под действием импульсов ударного тока
за авторством: Павлюк, С.П., та інші
Опубліковано: (2007)

Исследование удельного сопротивления омических контактов Au—Ti—Pd—n-Si для лавинно-пролетных диодов
за авторством: Басанец, В.В., та інші
Опубліковано: (2015)

Некоторые особенности ограничителя тока на полевом транзисторе
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2011)

Свойства двойных гетеропереходов p⁺-InP/n-InGaAsP/n-InP, изготовленных методом жидкофазной эпитаксии
за авторством: Вакив, Н.М., та інші
Опубліковано: (2012)

Измерения ВАХ импульсных кремниевых ЛПД на участке лавинного пробоя
за авторством: Кудрик, Я.Я.
Опубліковано: (2009)

Фотоприемники ультрафиолетового излучения на основе тонких пленок ZnS
за авторством: Бобренко, Ю.Н., та інші
Опубліковано: (2009)

Влияние термического окисления на анизотропию электропроводности и фотопроводимости наноструктурированного кремния
за авторством: Форш, П.А., та інші
Опубліковано: (2009)

Модель линии передачи для наноэлектроники
за авторством: Нелин, Е.А.
Опубліковано: (2009)

Многофункциональная гомопереходная арсенид-галлиевая n–p–m-структура
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2009)

Анализ влияния способа соединения столбиковых выводов интегральных схем на их сопротивление
за авторством: Готра, З.Ю., та інші
Опубліковано: (2009)

Жидкокристаллические мониторы для авиационной техники
за авторством: Коваленко, Л.Ф., та інші
Опубліковано: (2009)

Арсенид-галлиевые p+–n–p+-структуры с обедняемой базовой областью
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2009)

Измерение температуры с использованием оптических датчиков на основе двулучепреломляющих кристаллов
за авторством: Габа, В.М.
Опубліковано: (2009)

Применение гибких носителей при сборке кремниевых детекторов
за авторством: Перевертайло, В.Л., та інші
Опубліковано: (2009)

Вольт-фарадные измерения в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs
за авторством: Горев, Н.Б., та інші
Опубліковано: (2009)

Объемные оптические покрытия из халькогенидных стекол для полупроводниковых источников ИК-излучения
за авторством: Кабаций, В.Н.
Опубліковано: (2009)

Повышение зонной избирательности электромагнитных кристаллов
за авторством: Назарько, А.И., та інші
Опубліковано: (2009)

Инфракрасные отрезающие фильтры на основе монокристаллов CdSb, ZnSb для оптофотоэлектронных устройств
за авторством: Ащеулов, А.А., та інші
Опубліковано: (2009)

СБИС для микроэлектронного координатно-чувствительного детектора приборов элементного анализа материалов
за авторством: Сидоренко, В.П., та інші
Опубліковано: (2009)

Разработка схемы и топологии элементов матрицы управляемых автоэмиссионных кремниевых микрокатодов
за авторством: Дружинин, А.А., та інші
Опубліковано: (2009)

Механизм насыщения тока стока полевого транзистора с р–n-переходом
за авторством: Ёдгорова, Д.М.
Опубліковано: (2006)

Гибридная интегральная схема для обработки звукового сигнала
за авторством: Ковальчук, В.А., та інші
Опубліковано: (2011)

Исследование кремниевых диффузионных резисторов при протекании импульса тока большой плотности
за авторством: Кушниренко, В.В., та інші
Опубліковано: (2005)

Определение радиационной стойкости ИС с помощью низкоэнергетического излучения
за авторством: Перевертайло, В.Л.
Опубліковано: (2012)

Исследование температурной зависимости контактного сопротивления омических контактов к InP
за авторством: Новицкий, С.В.
Опубліковано: (2012)

Формирование прозрачных омических контактов к р-GaN для светоизлучающих диодов
за авторством: Босый, В.И., та інші
Опубліковано: (2007)

Кремниевый термостатированный p–i–n-фотодиод
за авторством: Добровольский, Ю.Г.
Опубліковано: (2006)

Характеристики фотодиодов со структурой «собственный оксид – InSe», облученных высокоэнергетическими электронами
за авторством: Сидор, О.Н., та інші
Опубліковано: (2012)

Моделирование магнитотранзисторов на основе одномерного уравнения непрерывности
за авторством: Глауберман, М.А., та інші
Опубліковано: (2013)

Поверхностные нанообразования при окислении слоистых кристаллов SnS₂
за авторством: Катеринчук, В.Н., та інші
Опубліковано: (2007)

Нестационарные электронные процессы в барьерных структурах и приборы на их основе
за авторством: Джафарова, Э.А.
Опубліковано: (2006)

Интегральные двухсторонние кремниевые микростриповые детекторы
за авторством: Перевертайло, В.Л.
Опубліковано: (2011)

Структура Те–CdTe со свойством электронного переключения с памятью
за авторством: Байдуллаева, А., та інші
Опубліковано: (2007)

Фотоэлектрические свойства гетеропереходов n-SiC/n-Si
за авторством: Семенов, А.В., та інші
Опубліковано: (2012)

Спектры фоточувствительности поверхностно-барьерных структур Ni–n–GaAs
за авторством: Мелебаев, Д., та інші
Опубліковано: (2008)

Микрочиповые лазеры с пассивной модуляцией добротности на основе эпитаксиальных структур Nd:АИГ/Сr+4:АИГ
за авторством: Ижнин, И.И., та інші
Опубліковано: (2005)