Арсенид-галлиевые p+–n–p+-структуры с обедняемой базовой областью - Каримов, А.В.; Ёдгорова, Д.М.; Абдулхаев, О.А. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2009)
Показано, что механизм токопереноса через p⁺GaAs-nGaAs-p⁺GaAs-структуру определяется инжекционно-туннельным и генерационно-рекомбинационным механизмами. Структуры представляют интерес для создания ограничителей напряжения и электронных переключателей. У роботі експериментально показано, що механізм токопереносу через p⁺GaAs-nGaAs-p⁺GaAs-структуру визначається інжекційно-тунельним і генераційно-рекомбінаційним механізмами. При модуляції частини бази, що містить дефекти, превалює інжекційно-тунельний струм, а при модуляції частини бази з меншою дефектністю визначальними є генераційно-рекомбінаційні струми. Такі структури представляють інтерес для створення на їх основі обмежувачів напруги і електронних перемикачів. It is displayed experimentally, that the current transport's mechanism through p⁺GaAs-nGaAs-p⁺GaAs-structure is formed by injection-tunnel and generation-recombination mechanisms. Injection-tunnel current prevails at modulation of base s part which contains defects, and generationrecombination currents are determinative at modulation of base's part with lesser defectiveness. p⁺GaAs-nGaAs-p⁺GaAs-structures are of interest for creating voltage suppressors and electronic switches on their base.