Арсенид-галлиевые p+–n–p+-структуры с обедняемой базовой областью
Показано, что механизм токопереноса через p⁺GaAs-nGaAs-p⁺GaAs-структуру определяется инжекционно-туннельным и генерационно-рекомбинационным механизмами. Структуры представляют интерес для создания ограничителей напряжения и электронных переключателей....
Saved in:
| Date: | 2009 |
|---|---|
| Main Authors: | , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2009
|
| Series: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52060 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Арсенид-галлиевые p⁺–n–p⁺-структуры с обедняемой базовой областью / А.В. Каримов, Д.М. Ёдгорова, О.А. Абдулхаев // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2009. — № 3. — С. 28-31. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. |