Жидкокристаллические мониторы для авиационной техники
Рассматриваются особенности конструирования авиационных мониторов на ЖК-панелях. Выделены ключевые вопросы обеспечения заданных эксплуатационных характеристик ЖК-мониторов в кабине самолета. Розглянуто умови експлуатації РК-моніторів в складі авіаційних бортових приладів. Сформульовано вимоги до кон...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Дата: | 2009 |
| Автори: | , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Російська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2009
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52061 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Жидкокристаллические мониторы для авиационной техники / Л.Ф. Коваленко, И.Ю. Жураковский, В.В. Сташевский, В.В. Севастьянов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2009. — № 3. — С. 32-34. — Бібліогр.: 4 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
Жидкокристаллические мониторы для авиационной техники
за авторством: Kovalenko, L. F., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Kovalenko, L. F., та інші
Опубліковано: (2009)
Гибридная интегральная схема для обработки звукового сигнала
за авторством: Ковальчук, В.А., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Ковальчук, В.А., та інші
Опубліковано: (2011)
Разработка конструкции и технологии изготовления комплементарных транзисторов для радиационно стойких ИС
за авторством: Горбань, А.Н., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Горбань, А.Н., та інші
Опубліковано: (2011)
Схемотехника СБИС для микроэлектронного координатно-чувствительного детектора для элементного анализа материалов
за авторством: Сидоренко, В.П., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Сидоренко, В.П., та інші
Опубліковано: (2012)
СБИС для микроэлектронного координатно-чувствительного детектора нового поколения с расширенным полем анализа для масс-спектрометрии
за авторством: Сидоренко, В.П., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Сидоренко, В.П., та інші
Опубліковано: (2018)
Формирование прозрачных омических контактов к р-GaN для светоизлучающих диодов
за авторством: Босый, В.И., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Босый, В.И., та інші
Опубліковано: (2007)
Координатно-чувствительный детектор заряженных частиц для спектроскопии
за авторством: Сидоренко, В.П., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Сидоренко, В.П., та інші
Опубліковано: (2016)
Микросборка на кремниевой плате для акселерометра
за авторством: Спирин, В.Г.
Опубліковано: (2013)
за авторством: Спирин, В.Г.
Опубліковано: (2013)
Зависимость эффективности электролюминесцентных индикаторов от параметров источника питания
за авторством: Ленков, С.В., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Ленков, С.В., та інші
Опубліковано: (2008)
Симметричный двухкоординатный фотодиод
за авторством: Добровольский, Ю.Г., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Добровольский, Ю.Г., та інші
Опубліковано: (2008)
Волоконно-оптические демультиплексоры для систем передачи информации
за авторством: Дементьев, С.Г., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Дементьев, С.Г., та інші
Опубліковано: (2010)
Акустооптические свойства стекол GexS100–x и акустооптический модулятор на их основе
за авторством: Блецкан, Д.И., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Блецкан, Д.И., та інші
Опубліковано: (2014)
Исследование кремниевых диффузионных резисторов при протекании импульса тока большой плотности
за авторством: Кушниренко, В.В., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Кушниренко, В.В., та інші
Опубліковано: (2005)
Влияние разброса значений электрических параметров RGB-светодиодов на однородность свечения светодиодных экранов при минимальной градации яркости
за авторством: Велещук, В.П., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Велещук, В.П., та інші
Опубліковано: (2017)
Изменение сопротивления силовых диодов под действием импульсов ударного тока
за авторством: Павлюк, С.П., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Павлюк, С.П., та інші
Опубліковано: (2007)
Моделирование магнитотранзисторов на основе одномерного уравнения непрерывности
за авторством: Глауберман, М.А., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Глауберман, М.А., та інші
Опубліковано: (2013)
Модель линии передачи для наноэлектроники
за авторством: Нелин, Е.А.
Опубліковано: (2009)
за авторством: Нелин, Е.А.
Опубліковано: (2009)
Инфракрасные отрезающие фильтры на основе монокристаллов CdSb, ZnSb для оптофотоэлектронных устройств
за авторством: Ащеулов, А.А., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Ащеулов, А.А., та інші
Опубліковано: (2009)
Анизотропная термоэлектрическая матрица для регистрации излучения
за авторством: Ащеулов, А.А.
Опубліковано: (2007)
за авторством: Ащеулов, А.А.
Опубліковано: (2007)
Особенности формирования быстровосстанавливающихся кремниевых диодов
за авторством: Горбань, А.Н., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Горбань, А.Н., та інші
Опубліковано: (2008)
Устройства считывания информации с крупноформатных матриц ИК-фотодиодов
за авторством: Рева, В.П., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Рева, В.П., та інші
Опубліковано: (2011)
Свойства двойных гетеропереходов p⁺-InP/n-InGaAsP/n-InP, изготовленных методом жидкофазной эпитаксии
за авторством: Вакив, Н.М., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Вакив, Н.М., та інші
Опубліковано: (2012)
Исследование пленок поликристаллического кремния для применения в фильтровых спектральных приборах
за авторством: Джавадов, Н.Г.
Опубліковано: (2005)
за авторством: Джавадов, Н.Г.
Опубліковано: (2005)
Структура Те–CdTe со свойством электронного переключения с памятью
за авторством: Байдуллаева, А., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Байдуллаева, А., та інші
Опубліковано: (2007)
Интегральные двухсторонние кремниевые микростриповые детекторы
за авторством: Перевертайло, В.Л.
Опубліковано: (2011)
за авторством: Перевертайло, В.Л.
Опубліковано: (2011)
Определение радиационной стойкости ИС с помощью низкоэнергетического излучения
за авторством: Перевертайло, В.Л.
Опубліковано: (2012)
за авторством: Перевертайло, В.Л.
Опубліковано: (2012)
Спектры фоточувствительности поверхностно-барьерных структур Ni–n–GaAs
за авторством: Мелебаев, Д., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Мелебаев, Д., та інші
Опубліковано: (2008)
Новые возможности фотоэлектрического метода определения высоты барьера в структурах Au–n-GaAs
за авторством: Мелебаев, Д., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Мелебаев, Д., та інші
Опубліковано: (2007)
3D слоистые структуры в качестве основы ненакаливаемых катодов и активных элементов фотодиодов
за авторством: Белянин, А.Ф., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Белянин, А.Ф., та інші
Опубліковано: (2005)
Интегральные схемы самосканируемых линейных фотоприемников в интроскопии и томографии
за авторством: Перевертайло, В.Л., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Перевертайло, В.Л., та інші
Опубліковано: (2005)
Применение гибких носителей при сборке кремниевых детекторов
за авторством: Перевертайло, В.Л., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Перевертайло, В.Л., та інші
Опубліковано: (2009)
Некоторые особенности фотоэлектрических характеристик двухбазовой Ag–N⁰Al₀,₂Ga₀,₈As–n+GaAs–n⁰Ga₀,₉In₀,₁As–Au-структуры
за авторством: Ёдгорова, Д.М., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Ёдгорова, Д.М., та інші
Опубліковано: (2008)
Аномальный фотовольтаический эффект в структуре с барьером Шоттки–Мотта
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2008)
Исследование процесса формирования токовых характеристик кремниевого фотодиода с выпрямляющими барьерами
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2013)
Фотоприемники ультрафиолетового излучения на основе тонких пленок ZnS
за авторством: Бобренко, Ю.Н., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Бобренко, Ю.Н., та інші
Опубліковано: (2009)
Многофункциональная гомопереходная арсенид-галлиевая n–p–m-структура
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2009)
Алмазные фотоприемники ультрафиолетового диапазона
за авторством: Алтухов, А.А., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Алтухов, А.А., та інші
Опубліковано: (2007)
Повышение надежности диодов Шоттки при воздействии разрядов cтатического электричества
за авторством: Солодуха, В.А., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Солодуха, В.А., та інші
Опубліковано: (2012)
Оптический аттенюатор
за авторством: Докторович, И.В., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Докторович, И.В., та інші
Опубліковано: (2005)
Особенности фотоэлектрических характеристик фотоэлектропреобразовательных структур
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2007)