Прибор и методы измерения параметров и степени однородности пленочных структур

• Veröffentlicht in: Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Datum: 2009
• Hauptverfasser: Макара, В.А., Одарич, В.А., Кепич, Т.Ю., Преображенская, Т.Д., Руденко, О.В.
• Format: Artikel
• Sprache: Russian
• Veröffentlicht: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2009
• Schlagworte: Технологические процессы и оборудование
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52063
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Прибор и методы измерения параметров и степени однородности пленочных структур / В.А. Макара, В.А. Одарич, Т.Ю. Кепич, Т.Д. Преображенская, О.В. Руденко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2009. — № 3. — С. 40-46. — Бібліогр.: 12 назв. — рос.

Разработана блок-схема, изготовлен макет прибора и создан пакет автоматизированных программ для измерения показателя преломления и контроля толщины пленок в процессе изготовления пленочных структур. У роботі проведено конструкторсько-технологічний аналіз схеми вимірювання еліпсометричних параметрів, розрахунку показника заломлення і товщини плівки, розроблено блок-схему і створено макет приладу для контролю однорідності плівкових структур в процесі їх виготовлення. Розроблено пакет автоматизованих програм обчислення показника заломлення і товщини плівок по зміряних еліпсометричних параметрах, які засновані на ітераційному методі вирішення рівняння еліпсометрії. Проведено апробацію приладу на прикладі визначення показника заломлення і товщини плівок CdTe і плівок HfO₂, яка показала можливість контролю однорідностіплівок як за площею, так і по товщині.· The designer-technological analysis of ellipsometric parameters measuring and calculation of the film refraction index and thickness scheme is conducted in this article. The flow-chart is developed and the model of apparatus for the film refraction index and thickness measuring and control of the film structures technology making is created. Package of automated programs of the film refraction index and thicknes calculating on the measured ellipsometric parameters, based on the iteration method of decision of ellipsometry equation was developed. The approbation of device, which showed the checking feature of films homogeneity both on an area and on a thickness on the example of determination of CdTe and HfO₂ films refraction index and thickness is conducted.