Разработка сцинтилляторов на основе соединений AIIBVI для медицинского и технического радиационного приборостроения

• Опубліковано в: : Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Дата: 2009
• Автори: Старжинский, Н.Г., Зеня, И.М., Катрунов, К.А., Рыжиков, В.Д.
• Формат: Стаття
• Мова: Російська
• Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2009
• Теми: Материалы электроники
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52065
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Разработка сцинтилляторов на основе соединений AIIBVI для медицинского и технического радиационного приборостроения / Н.Г. Старжинский, И.М. Зеня, К.А. Катрунов, В.Д. Рыжиков // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2009. — № 3. — С. 51-58. — Бібліогр.: 52 назв. — рос.

Рассмотрены физико-технологические проблемы получения и основные свойства сцинтилляционных материалов на основе селенида цинка и других соединений АIIВVI. Приводятся данные о применении сцинтилляторов в различных радиационно-чувствительных устройствах. Розглянуто фізико-технологічні проблеми отримання і основні властивості сцинтиляційних матеріалів на основі селеніду цинку і інших сполук АIIВVI. Визначено вплив властивостей легуючих домішок на процеси формування комплексних дефектів грат, які виступають в ролі центрів світіння. Показано, що такі особливості властивостей як високий світловихід і дуже низький рівень післясвітіння, а також унікальне поєднання сцинтиляційних і напівпровідникових властивостей дозволяють використовувати їх в різних областях радіаційного приладобудування.· Physico-technological problems of preparation and main properties of scintillation materials based on zinc selenide and other ÀIIÂVI compounds are considered. Effects have been determined of dopant properties on formation processes of complex lattice defects playing the role of luminescence centers. It is shown that such property features as high light output and very low afterglow level, as well as a unique combination of scintillation and semiconductor properties allow application of these materials in different fields of radiation instrument technologies.