Разработка сцинтилляторов на основе соединений AIIBVI для медицинского и технического радиационного приборостроения
Рассмотрены физико-технологические проблемы получения и основные свойства сцинтилляционных материалов на основе селенида цинка и других соединений АIIВVI. Приводятся данные о применении сцинтилляторов в различных радиационно-чувствительных устройствах. Розглянуто фізико-технологічні проблеми отриман...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Дата: | 2009 |
| Автори: | Старжинский, Н.Г., Зеня, И.М., Катрунов, К.А., Рыжиков, В.Д. |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Російська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2009
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52065 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Разработка сцинтилляторов на основе соединений AIIBVI для медицинского и технического радиационного приборостроения / Н.Г. Старжинский, И.М. Зеня, К.А. Катрунов, В.Д. Рыжиков // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2009. — № 3. — С. 51-58. — Бібліогр.: 52 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
Разработка сцинтилляторов на основе соединений AIIBVI для медицинского и технического радиационного приборостроения
за авторством: Starzhinskiy, N. G., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Starzhinskiy, N. G., та інші
Опубліковано: (2009)
Широкозонные халькогенидные сцинтилляторы на основе соединений AIIBVI
за авторством: Старжинский, Н.Г., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Старжинский, Н.Г., та інші
Опубліковано: (2012)
Эффективные сцинтилляционные материалы на основе твердых растворов ZnS1–xTex и перспективы их применения
за авторством: Катрунов, К.А., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Катрунов, К.А., та інші
Опубліковано: (2011)
Широкозонные халькогенидные сцинтилляторы на основе соединений AIIBVI
за авторством: Starzhinskiy, N. G., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Starzhinskiy, N. G., та інші
Опубліковано: (2012)
Немессбауэровский гамма-лазер на основе прямозонных полупроводниковых соединений
за авторством: Гаркавенко, А.С.
Опубліковано: (2001)
за авторством: Гаркавенко, А.С.
Опубліковано: (2001)
Кристаллы сцинтилляторов АIIBVI и детекторы на их основе для цифровой радиографии
за авторством: Рыжиков, В.Д., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Рыжиков, В.Д., та інші
Опубліковано: (2008)
Выращивание крупногабаритных монокристаллов вольфрамата кадмия с высокой оптической однородностью
за авторством: Сольский, И.М.
Опубліковано: (2005)
за авторством: Сольский, И.М.
Опубліковано: (2005)
Разработка новых титановых биосовместимых сплавов для медицинского применения
за авторством: Топольский, В.Ф., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Топольский, В.Ф., та інші
Опубліковано: (2012)
Новые возможности радиационного контроля качества сварных соединений
за авторством: Троицкий, В.А.
Опубліковано: (2015)
за авторством: Троицкий, В.А.
Опубліковано: (2015)
Получение оптически однородных монокристаллов ниобата лития больших размеров
за авторством: Сольский, И.М., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Сольский, И.М., та інші
Опубліковано: (2005)
Гибкие фольгированные диэлектрики: классификация и анализ направлений применения и совершенствования
за авторством: Воробьев, А.В., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Воробьев, А.В., та інші
Опубліковано: (2014)
Влияние морфологии поверхности подложек ZnSe:Te на их оптические свойства
за авторством: Махний, В.П., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Махний, В.П., та інші
Опубліковано: (2016)
Высокотемпературная люминесценция кристаллов ZnSe:Yb
за авторством: Махний, В.П., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Махний, В.П., та інші
Опубліковано: (2016)
Всеукраинскому НИИ аналитического приборостроения "Украналит" — 45 лет
за авторством: Dashkovsky, A. A., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Dashkovsky, A. A., та інші
Опубліковано: (2014)
Всеукраинскому НИИ аналитического приборостроения "Украналит" — 45 лет
за авторством: Дашковский, А.А., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Дашковский, А.А., та інші
Опубліковано: (2014)
Влияние обработки водородом монокристаллов теллурида кадмия на их спектры оптического пропускания
за авторством: Пигур, О.Н., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Пигур, О.Н., та інші
Опубліковано: (2011)
Использование керамики на основе твердых растворов (Ni, Co, Mn, Cu)₃O₄для толстопленочных терморезисторов
за авторством: Шпотюк, О.И., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Шпотюк, О.И., та інші
Опубліковано: (2002)
Исследование процесса термической деполяризации сегнетокерамики (Pb,Sr)(Zr,Ti)O₃
за авторством: Кузенко, Д.В., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Кузенко, Д.В., та інші
Опубліковано: (2011)
Формирование наноструктурированных состояний и связанных с ними улучшенных свойств материалов медицинского и технического назначения
за авторством: Колобов, Ю.Р., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Колобов, Ю.Р., та інші
Опубліковано: (2011)
Radiation-induced changes in dielectric and photoelectric properties of AᴵᴵBⱽᴵ crystals
за авторством: Ryzhikov, V., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Ryzhikov, V., та інші
Опубліковано: (2004)
Изучение механических свойств кристаллических молекулярных сцинтилляторов n-терфенила методами индентирования
за авторством: Мильман, Ю.В., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Мильман, Ю.В., та інші
Опубліковано: (2016)
Молекулярная модель и химическая связь теллура
за авторством: Ащеулов, А.А., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Ащеулов, А.А., та інші
Опубліковано: (2010)
Получение пригодного для сенсорики пористого кремния методом неэлектролитического травления MacEtch
за авторством: Яцунский, И.Р.
Опубліковано: (2013)
за авторством: Яцунский, И.Р.
Опубліковано: (2013)
Получение и свойства пористого карбида кремния
за авторством: Светличная, Л.А., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Светличная, Л.А., та інші
Опубліковано: (2005)
Электрические свойства анизотипных гетеропереходов n-TiO₂:Mn/p-CdTe
за авторством: Мостовой, А.И., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Мостовой, А.И., та інші
Опубліковано: (2013)
Вольт-фарадные характеристики ионно-имплантированных структур GaAs
за авторством: Горев, Н.Б., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Горев, Н.Б., та інші
Опубліковано: (2008)
Влагоустойчивость транзисторов в пластмассовых корпусах на основе эпоксинаволачных смол
за авторством: Ануфриев, Л.П., та інші
Опубліковано: (2001)
за авторством: Ануфриев, Л.П., та інші
Опубліковано: (2001)
Химическая связь сурьмы. Технологические аспекты
за авторством: Ащеулов, А.А., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Ащеулов, А.А., та інші
Опубліковано: (2011)
Свойства металлических контактов на пленках TiO₂, изготовленных методом реактивного магнетронного распыления
за авторством: Брус, В.В., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Брус, В.В., та інші
Опубліковано: (2010)
Влияние содержания серы на сцинтилляционные свойства смешанных кристаллов ZnSxSe1–x
за авторством: Трубаева, O.Г., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Трубаева, O.Г., та інші
Опубліковано: (2018)
Сцинтиляційні матеріали на основі твердих розчинів ZnSxSe₁₋x
за авторством: Трубаєва, О.Г., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Трубаєва, О.Г., та інші
Опубліковано: (2018)
Исследование влияни кислорода на скорость и анизотропию глубинного травления кремния в плазмохимическом реакторе с управляемым магнитним полем
за авторством: Гладковский, В.В., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Гладковский, В.В., та інші
Опубліковано: (2017)
Способ электродугового восстановления кремния
за авторством: Соловьев, О.В., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Соловьев, О.В., та інші
Опубліковано: (2005)
Структура полимерных композитов на основе диоксида ванадия и их диэлектрические свойства в диапазоне радиочастот
за авторством: Колбунов, В.Р., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Колбунов, В.Р., та інші
Опубліковано: (2015)
Формирование резких границ раздела в эпитаксиальных структурах p+-AlGaAs/n-GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии
за авторством: Вакив, Н.М., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Вакив, Н.М., та інші
Опубліковано: (2014)
Моделирование деградации радиационно-оптических свойств халькогенидных стеклообразных полупроводников
за авторством: Вакив, Н.М.
Опубліковано: (2000)
за авторством: Вакив, Н.М.
Опубліковано: (2000)
Нанокомпозиты на основе опаловых матриц с кристаллическими ферротороидальными мультиферроиками
за авторством: Самойлович, М.И., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Самойлович, М.И., та інші
Опубліковано: (2012)
Модификация барьерной структуры на основе pAlGaInAs–nGaAs последовательно соединенными потенциальными барьерами
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2009)
Исследование стойкости слоев поликремния в КНИ-структурах при воздействии электронного облучения и сильного магнитного поля
за авторством: Ховерко, Ю.Н.
Опубліковано: (2010)
за авторством: Ховерко, Ю.Н.
Опубліковано: (2010)
Строение и высокотемпературная сверхпроводимость пленок Bi₂Sr₂CaCu₂Oy
за авторством: Самойлович, М.И., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Самойлович, М.И., та інші
Опубліковано: (2007)
Схожі ресурси
-
Разработка сцинтилляторов на основе соединений AIIBVI для медицинского и технического радиационного приборостроения
за авторством: Starzhinskiy, N. G., та інші
Опубліковано: (2009) -
Широкозонные халькогенидные сцинтилляторы на основе соединений AIIBVI
за авторством: Старжинский, Н.Г., та інші
Опубліковано: (2012) -
Эффективные сцинтилляционные материалы на основе твердых растворов ZnS1–xTex и перспективы их применения
за авторством: Катрунов, К.А., та інші
Опубліковано: (2011) -
Широкозонные халькогенидные сцинтилляторы на основе соединений AIIBVI
за авторством: Starzhinskiy, N. G., та інші
Опубліковано: (2012) -
Немессбауэровский гамма-лазер на основе прямозонных полупроводниковых соединений
за авторством: Гаркавенко, А.С.
Опубліковано: (2001)