Модель линии передачи для наноэлектроники
Предложена новая модель для решения квантово-механических задач. В рамках этой модели получены аналитические выражения для резонансных параметров и характеристик типичных барьерных структур наноэлектроники. На основі моделі лінії передачі отримано аналітичні вирази для резонансних параметрів і харак...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Datum: | 2009 |
| 1. Verfasser: | |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russian |
| Veröffentlicht: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2009
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52095 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Модель линии передачи для наноэлектроники / Е.А. Нелин // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2009. — № 4. — С. 30-37. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| Zusammenfassung: | Предложена новая модель для решения квантово-механических задач. В рамках этой модели получены аналитические выражения для резонансных параметров и характеристик типичных барьерных структур наноэлектроники.
На основі моделі лінії передачі отримано аналітичні вирази для резонансних параметрів і характеристик типових бар'єрних структур наноелектроніки. Приведено характеристики, що ілюструють ефективність такого підходу.
Analytical expressions for resonant parametres and characteristics of typical barrier nanoelectronic structures have been received on the basis of the transmission line model. Characteristics illustrating the efficiency of such approach are presented in the article.
|
|---|---|
| ISSN: | 2225-5818 |