Модель линии передачи для наноэлектроники
Предложена новая модель для решения квантово-механических задач. В рамках этой модели получены аналитические выражения для резонансных параметров и характеристик типичных барьерных структур наноэлектроники. На основі моделі лінії передачі отримано аналітичні вирази для резонансних параметрів і харак...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Datum: | 2009 |
| 1. Verfasser: | |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russian |
| Veröffentlicht: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2009
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52095 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Модель линии передачи для наноэлектроники / Е.А. Нелин // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2009. — № 4. — С. 30-37. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-52095 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Нелин, Е.А. 2013-12-28T00:06:10Z 2013-12-28T00:06:10Z 2009 Модель линии передачи для наноэлектроники / Е.А. Нелин // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2009. — № 4. — С. 30-37. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. 2225-5818 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52095 Предложена новая модель для решения квантово-механических задач. В рамках этой модели получены аналитические выражения для резонансных параметров и характеристик типичных барьерных структур наноэлектроники. На основі моделі лінії передачі отримано аналітичні вирази для резонансних параметрів і характеристик типових бар'єрних структур наноелектроніки. Приведено характеристики, що ілюструють ефективність такого підходу. Analytical expressions for resonant parametres and characteristics of typical barrier nanoelectronic structures have been received on the basis of the transmission line model. Characteristics illustrating the efficiency of such approach are presented in the article. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Функциональная микро- и наноэлектроника Модель линии передачи для наноэлектроники Модель лінії передачі для наноелектроніки Transmission line model for nanoelectronics Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Модель линии передачи для наноэлектроники |
| spellingShingle |
Модель линии передачи для наноэлектроники Нелин, Е.А. Функциональная микро- и наноэлектроника |
| title_short |
Модель линии передачи для наноэлектроники |
| title_full |
Модель линии передачи для наноэлектроники |
| title_fullStr |
Модель линии передачи для наноэлектроники |
| title_full_unstemmed |
Модель линии передачи для наноэлектроники |
| title_sort |
модель линии передачи для наноэлектроники |
| author |
Нелин, Е.А. |
| author_facet |
Нелин, Е.А. |
| topic |
Функциональная микро- и наноэлектроника |
| topic_facet |
Функциональная микро- и наноэлектроника |
| publishDate |
2009 |
| language |
Russian |
| container_title |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| format |
Article |
| title_alt |
Модель лінії передачі для наноелектроніки Transmission line model for nanoelectronics |
| description |
Предложена новая модель для решения квантово-механических задач. В рамках этой модели получены аналитические выражения для резонансных параметров и характеристик типичных барьерных структур наноэлектроники.
На основі моделі лінії передачі отримано аналітичні вирази для резонансних параметрів і характеристик типових бар'єрних структур наноелектроніки. Приведено характеристики, що ілюструють ефективність такого підходу.
Analytical expressions for resonant parametres and characteristics of typical barrier nanoelectronic structures have been received on the basis of the transmission line model. Characteristics illustrating the efficiency of such approach are presented in the article.
|
| issn |
2225-5818 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52095 |
| citation_txt |
Модель линии передачи для наноэлектроники / Е.А. Нелин // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2009. — № 4. — С. 30-37. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. |
| work_keys_str_mv |
AT nelinea modelʹliniiperedačidlânanoélektroniki AT nelinea modelʹlínííperedačídlânanoelektroníki AT nelinea transmissionlinemodelfornanoelectronics |
| first_indexed |
2025-12-02T11:16:04Z |
| last_indexed |
2025-12-02T11:16:04Z |
| _version_ |
1850862358253010944 |