Cover Image

Модель линии передачи для наноэлектроники

Предложена новая модель для решения квантово-механических задач. В рамках этой модели получены аналитические выражения для резонансных параметров и характеристик типичных барьерных структур наноэлектроники. На основі моделі лінії передачі отримано аналітичні вирази для резонансних параметрів і харак...

Full description

Saved in:

Bibliographic Details
Published in:	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Date:	2009
Main Author:	Нелин, Е.А.
Format:	Article
Language:	Russian
Published:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2009
Subjects:	Функциональная микро- и наноэлектроника
Online Access:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52095
Tags:	Add Tag No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Cite this:	Модель линии передачи для наноэлектроники / Е.А. Нелин // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2009. — № 4. — С. 30-37. — Бібліогр.: 9 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Similar Items

Волоконно-оптические демультиплексоры для систем передачи информации
by: Дементьев, С.Г., et al.
Published: (2010)

Модель алмазного транзистора
by: Алтухов, А.А., et al.
Published: (2011)

Анизотропная термоэлектрическая матрица для регистрации излучения
by: Ащеулов, А.А.
Published: (2007)

Схемотехника СБИС для микроэлектронного координатно-чувствительного детектора для элементного анализа материалов
by: Сидоренко, В.П., et al.
Published: (2012)

СБИС для микроэлектронного координатно-чувствительного детектора нового поколения с расширенным полем анализа для масс-спектрометрии
by: Сидоренко, В.П., et al.
Published: (2018)

Формирование прозрачных омических контактов к р-GaN для светоизлучающих диодов
by: Босый, В.И., et al.
Published: (2007)

Гибридная интегральная схема для обработки звукового сигнала
by: Ковальчук, В.А., et al.
Published: (2011)

Жидкокристаллические мониторы для авиационной техники
by: Коваленко, Л.Ф., et al.
Published: (2009)

Координатно-чувствительный детектор заряженных частиц для спектроскопии
by: Сидоренко, В.П., et al.
Published: (2016)

Микросборка на кремниевой плате для акселерометра
by: Спирин, В.Г.
Published: (2013)

Разработка конструкции и технологии изготовления комплементарных транзисторов для радиационно стойких ИС
by: Горбань, А.Н., et al.
Published: (2011)

Инфракрасные отрезающие фильтры на основе монокристаллов CdSb, ZnSb для оптофотоэлектронных устройств
by: Ащеулов, А.А., et al.
Published: (2009)

Влияние термического окисления на анизотропию электропроводности и фотопроводимости наноструктурированного кремния
by: Форш, П.А., et al.
Published: (2009)

Исследование пленок поликристаллического кремния для применения в фильтровых спектральных приборах
by: Джавадов, Н.Г.
Published: (2005)

Расчет транспортных свойств детекторов гамма-излучения на основе полуизолирующих полупроводников
by: Захарченко, А.А., et al.
Published: (2008)

Алмазные фотоприемники ультрафиолетового диапазона
by: Алтухов, А.А., et al.
Published: (2007)

Модуляционная поляриметрия полного внутреннего отражения, нарушенного алмазоподобными пленками
by: Максименко, Л.С., et al.
Published: (2013)

Вольт-фарадные измерения в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs
by: Горев, Н.Б., et al.
Published: (2009)

Структура Те–CdTe со свойством электронного переключения с памятью
by: Байдуллаева, А., et al.
Published: (2007)

Прогнозирование разброса параметров полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs
by: Горев, Н.Б., et al.
Published: (2006)

Индуктивность, электрически перестраиваемая полупроводниковой структурой
by: Семенов, А.А., et al.
Published: (2012)

Фотоэлектрические свойства гетеропереходов n-SiC/n-Si
by: Семенов, А.В., et al.
Published: (2012)

Кинетика деформации ВАХ оксидных варисторных структур, обусловленная перезарядкой локализованных состояний
by: Тонкошкур, А.С., et al.
Published: (2014)

Кремниевый p–i–n-фотодиод с малым темновым током
by: Добровольский, Ю.Г., et al.
Published: (2011)

Повышение надежности диодов Шоттки при воздействии разрядов cтатического электричества
by: Солодуха, В.А., et al.
Published: (2012)

Некоторые особенности ограничителя тока на полевом транзисторе
by: Каримов, А.В., et al.
Published: (2011)

Некоторые особенности фотоэлектрических характеристик двухбазовой Ag–N⁰Al₀,₂Ga₀,₈As–n+GaAs–n⁰Ga₀,₉In₀,₁As–Au-структуры
by: Ёдгорова, Д.М., et al.
Published: (2008)

Роль пластической деформации в получении нанокремния
by: Смынтына, В.А., et al.
Published: (2011)

Аномальный фотовольтаический эффект в структуре с барьером Шоттки–Мотта
by: Каримов, А.В., et al.
Published: (2008)

Исследование импульсных характеристик ограничителей напряжения
by: Каримов, А.В., et al.
Published: (2012)

Особенности фотоэлектрических характеристик фотоэлектропреобразовательных структур
by: Каримов, А.В., et al.
Published: (2007)

Арсенид-галлиевые p+–n–p+-структуры с обедняемой базовой областью
by: Каримов, А.В., et al.
Published: (2009)

Тонкая структура спектров лазерного излучения при электронной накачке на основе радиационно модифицированных оптически однородных нелегированных кристаллов GaAs
by: Гаркавенко, А.С.
Published: (2011)

Нестационарные электронные процессы в барьерных структурах и приборы на их основе
by: Джафарова, Э.А.
Published: (2006)

Зависимость сопротивления металлических квантовых проводов от температуры
by: Обухов, И.А.
Published: (2007)

Многофункциональная гомопереходная арсенид-галлиевая n–p–m-структура
by: Каримов, А.В., et al.
Published: (2009)

Модель линии передачи для наноэлектроники
by: Nelin, E. A.
Published: (2009)

Координатно-чувствительный приемник на основе анизотропного оптико-термоэлемента
by: Ащеулов, А.А., et al.
Published: (2006)

Моделирование магнитотранзисторов на основе одномерного уравнения непрерывности
by: Глауберман, М.А., et al.
Published: (2013)

Температурные поля в растущем кристалле «солнечного кремния»
by: Кондрик, А.И., et al.
Published: (2012)