Объемные оптические покрытия из халькогенидных стекол для полупроводниковых источников ИК-излучения

• Опубліковано в: : Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Дата: 2009
• Автор: Кабаций, В.Н.
• Формат: Стаття
• Мова: Russian
• Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2009
• Теми: Функциональная микро- и наноэлектроника
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52096
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Объемные оптические покрытия из халькогенидных стекол для полупроводниковых источников ИК-излучения / В.Н. Кабаций // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2009. — № 4. — С. 38-44. — Бібліогр.: 10 назв. — рос.

Многокомпонентные халькогенидные стекла использованы для оптического покрытия полупроводниковых излучающих активных элементов, работающих при комнатной температуре. Разработан эффективный способ нанесения оптического покрытия различной формы. Показана можливість використання халькогенідних стекол Ge(Pb)-Sb(Ga)-S(Se) як діелектричних матеріалів для оптичного покриття напівпровідникових випромінюючих активних елементів, які працюють в спектральному діапазоні 2,5-5,0 мкм. Розроблено спосіб нанесення оптичного покриття різної форми, завдяки якому вдається звузити діаграму направленості вздовж осі випромінювання активного елемента до 15° та·збільшити потужність його випромінювання в 3-4 рази. The article demonstrates the possibility of using the multi component chalcogenide glasses Ge(Pb)-Sb(Ga)-S(Se) as dielectric materials for optical covering of semiconductor radiating active elements which function in the spectral diapason 2,5-5,0 mkm. An effective way to put optical covering of various shapes has been developed. It is possible to narrow the diagram of direction along the radiating axis of the active elements to 15° and increase three or four times the capacity of its radiation.