Объемные оптические покрытия из халькогенидных стекол для полупроводниковых источников ИК-излучения
Многокомпонентные халькогенидные стекла использованы для оптического покрытия полупроводниковых излучающих активных элементов, работающих при комнатной температуре. Разработан эффективный способ нанесения оптического покрытия различной формы. Показана можливість використання халькогенідних стекол Ge...
Saved in:
| Published in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Date: | 2009 |
| Main Author: | |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2009
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52096 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Объемные оптические покрытия из халькогенидных стекол для полупроводниковых источников ИК-излучения / В.Н. Кабаций // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2009. — № 4. — С. 38-44. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862738506320707584 |
|---|---|
| author | Кабаций, В.Н. |
| author_facet | Кабаций, В.Н. |
| citation_txt | Объемные оптические покрытия из халькогенидных стекол для полупроводниковых источников ИК-излучения / В.Н. Кабаций // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2009. — № 4. — С. 38-44. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description | Многокомпонентные халькогенидные стекла использованы для оптического покрытия полупроводниковых излучающих активных элементов, работающих при комнатной температуре. Разработан эффективный способ нанесения оптического покрытия различной формы.
Показана можливість використання халькогенідних стекол Ge(Pb)-Sb(Ga)-S(Se) як діелектричних матеріалів для оптичного покриття напівпровідникових випромінюючих активних елементів, які працюють в спектральному діапазоні 2,5-5,0 мкм. Розроблено спосіб нанесення оптичного покриття різної форми, завдяки якому вдається звузити діаграму направленості вздовж осі випромінювання активного елемента до 15° та·збільшити потужність його випромінювання в 3-4 рази.
The article demonstrates the possibility of using the multi component chalcogenide glasses Ge(Pb)-Sb(Ga)-S(Se) as dielectric materials for optical covering of semiconductor radiating active elements which function in the spectral diapason 2,5-5,0 mkm. An effective way to put optical covering of various shapes has been developed. It is possible to narrow the diagram of direction along the radiating axis of the active elements to 15° and increase three or four times the capacity of its radiation.
|
| first_indexed | 2025-12-07T20:04:03Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-52096 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 2225-5818 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T20:04:03Z |
| publishDate | 2009 |
| publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Кабаций, В.Н. 2013-12-28T00:08:32Z 2013-12-28T00:08:32Z 2009 Объемные оптические покрытия из халькогенидных стекол для полупроводниковых источников ИК-излучения / В.Н. Кабаций // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2009. — № 4. — С. 38-44. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. 2225-5818 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52096 Многокомпонентные халькогенидные стекла использованы для оптического покрытия полупроводниковых излучающих активных элементов, работающих при комнатной температуре. Разработан эффективный способ нанесения оптического покрытия различной формы. Показана можливість використання халькогенідних стекол Ge(Pb)-Sb(Ga)-S(Se) як діелектричних матеріалів для оптичного покриття напівпровідникових випромінюючих активних елементів, які працюють в спектральному діапазоні 2,5-5,0 мкм. Розроблено спосіб нанесення оптичного покриття різної форми, завдяки якому вдається звузити діаграму направленості вздовж осі випромінювання активного елемента до 15° та·збільшити потужність його випромінювання в 3-4 рази. The article demonstrates the possibility of using the multi component chalcogenide glasses Ge(Pb)-Sb(Ga)-S(Se) as dielectric materials for optical covering of semiconductor radiating active elements which function in the spectral diapason 2,5-5,0 mkm. An effective way to put optical covering of various shapes has been developed. It is possible to narrow the diagram of direction along the radiating axis of the active elements to 15° and increase three or four times the capacity of its radiation. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Функциональная микро- и наноэлектроника Объемные оптические покрытия из халькогенидных стекол для полупроводниковых источников ИК-излучения Об'ємні оптичні покриття з халькогенідних стекол для напівпровідникових джерел ІЧ-випромінювання Optical chalcogenide glass coats for semiconductor sources of IR-radiation Article published earlier |
| spellingShingle | Объемные оптические покрытия из халькогенидных стекол для полупроводниковых источников ИК-излучения Кабаций, В.Н. Функциональная микро- и наноэлектроника |
| title | Объемные оптические покрытия из халькогенидных стекол для полупроводниковых источников ИК-излучения |
| title_alt | Об'ємні оптичні покриття з халькогенідних стекол для напівпровідникових джерел ІЧ-випромінювання Optical chalcogenide glass coats for semiconductor sources of IR-radiation |
| title_full | Объемные оптические покрытия из халькогенидных стекол для полупроводниковых источников ИК-излучения |
| title_fullStr | Объемные оптические покрытия из халькогенидных стекол для полупроводниковых источников ИК-излучения |
| title_full_unstemmed | Объемные оптические покрытия из халькогенидных стекол для полупроводниковых источников ИК-излучения |
| title_short | Объемные оптические покрытия из халькогенидных стекол для полупроводниковых источников ИК-излучения |
| title_sort | объемные оптические покрытия из халькогенидных стекол для полупроводниковых источников ик-излучения |
| topic | Функциональная микро- и наноэлектроника |
| topic_facet | Функциональная микро- и наноэлектроника |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52096 |
| work_keys_str_mv | AT kabaciivn obʺemnyeoptičeskiepokrytiâizhalʹkogenidnyhstekoldlâpoluprovodnikovyhistočnikovikizlučeniâ AT kabaciivn obêmníoptičnípokrittâzhalʹkogenídnihstekoldlânapívprovídnikovihdžerelíčvipromínûvannâ AT kabaciivn opticalchalcogenideglasscoatsforsemiconductorsourcesofirradiation |