Объемные оптические покрытия из халькогенидных стекол для полупроводниковых источников ИК-излучения
Многокомпонентные халькогенидные стекла использованы для оптического покрытия полупроводниковых излучающих активных элементов, работающих при комнатной температуре. Разработан эффективный способ нанесения оптического покрытия различной формы. Показана можливість використання халькогенідних стекол Ge...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Datum: | 2009 |
| 1. Verfasser: | |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russian |
| Veröffentlicht: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2009
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52096 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Объемные оптические покрытия из халькогенидных стекол для полупроводниковых источников ИК-излучения / В.Н. Кабаций // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2009. — № 4. — С. 38-44. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-52096 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Кабаций, В.Н. 2013-12-28T00:08:32Z 2013-12-28T00:08:32Z 2009 Объемные оптические покрытия из халькогенидных стекол для полупроводниковых источников ИК-излучения / В.Н. Кабаций // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2009. — № 4. — С. 38-44. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. 2225-5818 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52096 Многокомпонентные халькогенидные стекла использованы для оптического покрытия полупроводниковых излучающих активных элементов, работающих при комнатной температуре. Разработан эффективный способ нанесения оптического покрытия различной формы. Показана можливість використання халькогенідних стекол Ge(Pb)-Sb(Ga)-S(Se) як діелектричних матеріалів для оптичного покриття напівпровідникових випромінюючих активних елементів, які працюють в спектральному діапазоні 2,5-5,0 мкм. Розроблено спосіб нанесення оптичного покриття різної форми, завдяки якому вдається звузити діаграму направленості вздовж осі випромінювання активного елемента до 15° та·збільшити потужність його випромінювання в 3-4 рази. The article demonstrates the possibility of using the multi component chalcogenide glasses Ge(Pb)-Sb(Ga)-S(Se) as dielectric materials for optical covering of semiconductor radiating active elements which function in the spectral diapason 2,5-5,0 mkm. An effective way to put optical covering of various shapes has been developed. It is possible to narrow the diagram of direction along the radiating axis of the active elements to 15° and increase three or four times the capacity of its radiation. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Функциональная микро- и наноэлектроника Объемные оптические покрытия из халькогенидных стекол для полупроводниковых источников ИК-излучения Об'ємні оптичні покриття з халькогенідних стекол для напівпровідникових джерел ІЧ-випромінювання Optical chalcogenide glass coats for semiconductor sources of IR-radiation Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Объемные оптические покрытия из халькогенидных стекол для полупроводниковых источников ИК-излучения |
| spellingShingle |
Объемные оптические покрытия из халькогенидных стекол для полупроводниковых источников ИК-излучения Кабаций, В.Н. Функциональная микро- и наноэлектроника |
| title_short |
Объемные оптические покрытия из халькогенидных стекол для полупроводниковых источников ИК-излучения |
| title_full |
Объемные оптические покрытия из халькогенидных стекол для полупроводниковых источников ИК-излучения |
| title_fullStr |
Объемные оптические покрытия из халькогенидных стекол для полупроводниковых источников ИК-излучения |
| title_full_unstemmed |
Объемные оптические покрытия из халькогенидных стекол для полупроводниковых источников ИК-излучения |
| title_sort |
объемные оптические покрытия из халькогенидных стекол для полупроводниковых источников ик-излучения |
| author |
Кабаций, В.Н. |
| author_facet |
Кабаций, В.Н. |
| topic |
Функциональная микро- и наноэлектроника |
| topic_facet |
Функциональная микро- и наноэлектроника |
| publishDate |
2009 |
| language |
Russian |
| container_title |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| format |
Article |
| title_alt |
Об'ємні оптичні покриття з халькогенідних стекол для напівпровідникових джерел ІЧ-випромінювання Optical chalcogenide glass coats for semiconductor sources of IR-radiation |
| description |
Многокомпонентные халькогенидные стекла использованы для оптического покрытия полупроводниковых излучающих активных элементов, работающих при комнатной температуре. Разработан эффективный способ нанесения оптического покрытия различной формы.
Показана можливість використання халькогенідних стекол Ge(Pb)-Sb(Ga)-S(Se) як діелектричних матеріалів для оптичного покриття напівпровідникових випромінюючих активних елементів, які працюють в спектральному діапазоні 2,5-5,0 мкм. Розроблено спосіб нанесення оптичного покриття різної форми, завдяки якому вдається звузити діаграму направленості вздовж осі випромінювання активного елемента до 15° та·збільшити потужність його випромінювання в 3-4 рази.
The article demonstrates the possibility of using the multi component chalcogenide glasses Ge(Pb)-Sb(Ga)-S(Se) as dielectric materials for optical covering of semiconductor radiating active elements which function in the spectral diapason 2,5-5,0 mkm. An effective way to put optical covering of various shapes has been developed. It is possible to narrow the diagram of direction along the radiating axis of the active elements to 15° and increase three or four times the capacity of its radiation.
|
| issn |
2225-5818 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52096 |
| citation_txt |
Объемные оптические покрытия из халькогенидных стекол для полупроводниковых источников ИК-излучения / В.Н. Кабаций // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2009. — № 4. — С. 38-44. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. |
| work_keys_str_mv |
AT kabaciivn obʺemnyeoptičeskiepokrytiâizhalʹkogenidnyhstekoldlâpoluprovodnikovyhistočnikovikizlučeniâ AT kabaciivn obêmníoptičnípokrittâzhalʹkogenídnihstekoldlânapívprovídnikovihdžerelíčvipromínûvannâ AT kabaciivn opticalchalcogenideglasscoatsforsemiconductorsourcesofirradiation |
| first_indexed |
2025-12-07T20:04:03Z |
| last_indexed |
2025-12-07T20:04:03Z |
| _version_ |
1850881179174043648 |