Объемные оптические покрытия из халькогенидных стекол для полупроводниковых источников ИК-излучения
Многокомпонентные халькогенидные стекла использованы для оптического покрытия полупроводниковых излучающих активных элементов, работающих при комнатной температуре. Разработан эффективный способ нанесения оптического покрытия различной формы. Показана можливість використання халькогенідних стекол Ge...
Saved in:
| Published in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Date: | 2009 |
| Main Author: | Кабаций, В.Н. |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2009
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52096 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Объемные оптические покрытия из халькогенидных стекол для полупроводниковых источников ИК-излучения / В.Н. Кабаций // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2009. — № 4. — С. 38-44. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineSimilar Items
Оптические сенсоры газов на основе полупроводниковых источников ИК-излучения
by: Кабаций, В.Н.
Published: (2008)
by: Кабаций, В.Н.
Published: (2008)
Волоконно-оптические демультиплексоры для систем передачи информации
by: Дементьев, С.Г., et al.
Published: (2010)
by: Дементьев, С.Г., et al.
Published: (2010)
Акустооптические свойства стекол GexS100–x и акустооптический модулятор на их основе
by: Блецкан, Д.И., et al.
Published: (2014)
by: Блецкан, Д.И., et al.
Published: (2014)
Устройства считывания информации с крупноформатных матриц ИК-фотодиодов
by: Рева, В.П., et al.
Published: (2011)
by: Рева, В.П., et al.
Published: (2011)
Ртутный микрозонд для исследования локальных электрофизических свойств полупроводниковых структур
by: Попов, В.М., et al.
Published: (2010)
by: Попов, В.М., et al.
Published: (2010)
Анизотропная термоэлектрическая матрица для регистрации излучения
by: Ащеулов, А.А.
Published: (2007)
by: Ащеулов, А.А.
Published: (2007)
Определение радиационной стойкости ИС с помощью низкоэнергетического излучения
by: Перевертайло, В.Л.
Published: (2012)
by: Перевертайло, В.Л.
Published: (2012)
Фотоприемники ультрафиолетового излучения на основе тонких пленок ZnS
by: Бобренко, Ю.Н., et al.
Published: (2009)
by: Бобренко, Ю.Н., et al.
Published: (2009)
Расчет транспортных свойств детекторов гамма-излучения на основе полуизолирующих полупроводников
by: Захарченко, А.А., et al.
Published: (2008)
by: Захарченко, А.А., et al.
Published: (2008)
Тонкая структура спектров лазерного излучения при электронной накачке на основе радиационно модифицированных оптически однородных нелегированных кристаллов GaAs
by: Гаркавенко, А.С.
Published: (2011)
by: Гаркавенко, А.С.
Published: (2011)
Помехоподавляющие магнитопроводы из микропровода в стеклянной изоляции
by: Колпакович, Ю.И., et al.
Published: (2006)
by: Колпакович, Ю.И., et al.
Published: (2006)
Объемные оптические покрытия из халькогенидных стекол для полупроводниковых источников ИК-излучения
by: Kabatsiy, V. М.
Published: (2009)
by: Kabatsiy, V. М.
Published: (2009)
Оптические сенсоры газов на основе полупроводниковых источников ИК-излучения
by: Kabatsiy, V. N.
Published: (2008)
by: Kabatsiy, V. N.
Published: (2008)
Поверхностные нанообразования при окислении слоистых кристаллов SnS₂
by: Катеринчук, В.Н., et al.
Published: (2007)
by: Катеринчук, В.Н., et al.
Published: (2007)
Инфракрасные отрезающие фильтры на основе монокристаллов CdSb, ZnSb для оптофотоэлектронных устройств
by: Ащеулов, А.А., et al.
Published: (2009)
by: Ащеулов, А.А., et al.
Published: (2009)
Исследование фотоэлектрических свойств симметричной гетероструктуры "окисел-InSe-окисел"
by: Ковалюк, З.Д., et al.
Published: (2005)
by: Ковалюк, З.Д., et al.
Published: (2005)
Гетеропереход на основе кристалла FeIn₂Se₄, полученного методом Бриджмена
by: Ковалюк, З.Д., et al.
Published: (2007)
by: Ковалюк, З.Д., et al.
Published: (2007)
Оптический аттенюатор
by: Докторович, И.В., et al.
Published: (2005)
by: Докторович, И.В., et al.
Published: (2005)
Методика определения эффективной площади фоточувствительного элемента фотодиода
by: Бутенко, В.К., et al.
Published: (2007)
by: Бутенко, В.К., et al.
Published: (2007)
Влияние распределения примеси в базе на фотоэлектрические свойства поверхностно-барьерных УФ-фотоприемников
by: Бобренко, Ю.Н., et al.
Published: (2012)
by: Бобренко, Ю.Н., et al.
Published: (2012)
Механизм насыщения тока стока полевого транзистора с р–n-переходом
by: Ёдгорова, Д.М.
Published: (2006)
by: Ёдгорова, Д.М.
Published: (2006)
Гибридная интегральная схема для обработки звукового сигнала
by: Ковальчук, В.А., et al.
Published: (2011)
by: Ковальчук, В.А., et al.
Published: (2011)
Исследование кремниевых диффузионных резисторов при протекании импульса тока большой плотности
by: Кушниренко, В.В., et al.
Published: (2005)
by: Кушниренко, В.В., et al.
Published: (2005)
Исследование температурной зависимости контактного сопротивления омических контактов к InP
by: Новицкий, С.В.
Published: (2012)
by: Новицкий, С.В.
Published: (2012)
Формирование прозрачных омических контактов к р-GaN для светоизлучающих диодов
by: Босый, В.И., et al.
Published: (2007)
by: Босый, В.И., et al.
Published: (2007)
Кремниевый термостатированный p–i–n-фотодиод
by: Добровольский, Ю.Г.
Published: (2006)
by: Добровольский, Ю.Г.
Published: (2006)
Характеристики фотодиодов со структурой «собственный оксид – InSe», облученных высокоэнергетическими электронами
by: Сидор, О.Н., et al.
Published: (2012)
by: Сидор, О.Н., et al.
Published: (2012)
Некоторые особенности ограничителя тока на полевом транзисторе
by: Каримов, А.В., et al.
Published: (2011)
by: Каримов, А.В., et al.
Published: (2011)
Моделирование магнитотранзисторов на основе одномерного уравнения непрерывности
by: Глауберман, М.А., et al.
Published: (2013)
by: Глауберман, М.А., et al.
Published: (2013)
Нестационарные электронные процессы в барьерных структурах и приборы на их основе
by: Джафарова, Э.А.
Published: (2006)
by: Джафарова, Э.А.
Published: (2006)
Интегральные двухсторонние кремниевые микростриповые детекторы
by: Перевертайло, В.Л.
Published: (2011)
by: Перевертайло, В.Л.
Published: (2011)
Измерения ВАХ импульсных кремниевых ЛПД на участке лавинного пробоя
by: Кудрик, Я.Я.
Published: (2009)
by: Кудрик, Я.Я.
Published: (2009)
Структура Те–CdTe со свойством электронного переключения с памятью
by: Байдуллаева, А., et al.
Published: (2007)
by: Байдуллаева, А., et al.
Published: (2007)
Фотоэлектрические свойства гетеропереходов n-SiC/n-Si
by: Семенов, А.В., et al.
Published: (2012)
by: Семенов, А.В., et al.
Published: (2012)
Спектры фоточувствительности поверхностно-барьерных структур Ni–n–GaAs
by: Мелебаев, Д., et al.
Published: (2008)
by: Мелебаев, Д., et al.
Published: (2008)
Микрочиповые лазеры с пассивной модуляцией добротности на основе эпитаксиальных структур Nd:АИГ/Сr+4:АИГ
by: Ижнин, И.И., et al.
Published: (2005)
by: Ижнин, И.И., et al.
Published: (2005)
Исследование процесса формирования токовых характеристик кремниевого фотодиода с выпрямляющими барьерами
by: Каримов, А.В., et al.
Published: (2013)
by: Каримов, А.В., et al.
Published: (2013)
Индуктивность, электрически перестраиваемая полупроводниковой структурой
by: Семенов, А.А., et al.
Published: (2012)
by: Семенов, А.А., et al.
Published: (2012)
Влияние разброса значений электрических параметров RGB-светодиодов на однородность свечения светодиодных экранов при минимальной градации яркости
by: Велещук, В.П., et al.
Published: (2017)
by: Велещук, В.П., et al.
Published: (2017)
Свойства двойных гетеропереходов p⁺-InP/n-InGaAsP/n-InP, изготовленных методом жидкофазной эпитаксии
by: Вакив, Н.М., et al.
Published: (2012)
by: Вакив, Н.М., et al.
Published: (2012)
Similar Items
-
Оптические сенсоры газов на основе полупроводниковых источников ИК-излучения
by: Кабаций, В.Н.
Published: (2008) -
Волоконно-оптические демультиплексоры для систем передачи информации
by: Дементьев, С.Г., et al.
Published: (2010) -
Акустооптические свойства стекол GexS100–x и акустооптический модулятор на их основе
by: Блецкан, Д.И., et al.
Published: (2014) -
Устройства считывания информации с крупноформатных матриц ИК-фотодиодов
by: Рева, В.П., et al.
Published: (2011) -
Ртутный микрозонд для исследования локальных электрофизических свойств полупроводниковых структур
by: Попов, В.М., et al.
Published: (2010)