Влияние облучения кремния низкоэнергетическими ионами аргона на образование в нем электрически активных дефектов
Показано, что травление кремния ионами с низкой энергией является эффективным средством целенаправленной модификации электрофизических свойств его поверхности. Досліджено вплив травлення кремнію р-типу іонами аргону з енергією 3,6 кеВ на утворення електрично активних дефектів (ЕАД) в приповерхневому...
Saved in:
| Published in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Date: | 2009 |
| Main Authors: | , , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2009
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52098 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Влияние облучения кремния низкоэнергетическими ионами аргона на образование в нем электрически активных дефектов / В.М. Попов, Ю.М. Шустов, А.С. Клименко, А.П. Поканевич // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2009. — № 4. — С. 48-51. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-52098 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Попов, В.М. Шустов, Ю.М. Клименко, А.С. Поканевич, А.П. 2013-12-28T00:16:13Z 2013-12-28T00:16:13Z 2009 Влияние облучения кремния низкоэнергетическими ионами аргона на образование в нем электрически активных дефектов / В.М. Попов, Ю.М. Шустов, А.С. Клименко, А.П. Поканевич // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2009. — № 4. — С. 48-51. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. 2225-5818 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52098 Показано, что травление кремния ионами с низкой энергией является эффективным средством целенаправленной модификации электрофизических свойств его поверхности. Досліджено вплив травлення кремнію р-типу іонами аргону з енергією 3,6 кеВ на утворення електрично активних дефектів (ЕАД) в приповерхневому шарі напівпровідника. Фоточутливість діодів Шотки, що сформовані на іонно-травленій поверхні, зростає, досягаючи максимальних значень в області ЕАД. Показано, що таке травлення кремнію є ефективним засобом модифікації електрофізичних властивостей його поверхні. The article displays the results of investigation of influence of low energy (3-6 keV) argon ion etching of p-type silicon on electrically active defects (EAD) formation. The photosensitivity of Schottky diodes on etched silicon surface is increased, reaching maximum values in sites of EAD. The etching of silicon by lowenergy ions was shown to be an effective tool for task - oriented modification of electrophysical properties of semiconductor surface. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Материалы электроники Влияние облучения кремния низкоэнергетическими ионами аргона на образование в нем электрически активных дефектов Вплив опромінення кремнію низькоенергетичними іонами аргону на утворення у ньому електрично активних дефектів The influence of low energy argon ion irradiation on generation of electrically active defects in silicon Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Влияние облучения кремния низкоэнергетическими ионами аргона на образование в нем электрически активных дефектов |
| spellingShingle |
Влияние облучения кремния низкоэнергетическими ионами аргона на образование в нем электрически активных дефектов Попов, В.М. Шустов, Ю.М. Клименко, А.С. Поканевич, А.П. Материалы электроники |
| title_short |
Влияние облучения кремния низкоэнергетическими ионами аргона на образование в нем электрически активных дефектов |
| title_full |
Влияние облучения кремния низкоэнергетическими ионами аргона на образование в нем электрически активных дефектов |
| title_fullStr |
Влияние облучения кремния низкоэнергетическими ионами аргона на образование в нем электрически активных дефектов |
| title_full_unstemmed |
Влияние облучения кремния низкоэнергетическими ионами аргона на образование в нем электрически активных дефектов |
| title_sort |
влияние облучения кремния низкоэнергетическими ионами аргона на образование в нем электрически активных дефектов |
| author |
Попов, В.М. Шустов, Ю.М. Клименко, А.С. Поканевич, А.П. |
| author_facet |
Попов, В.М. Шустов, Ю.М. Клименко, А.С. Поканевич, А.П. |
| topic |
Материалы электроники |
| topic_facet |
Материалы электроники |
| publishDate |
2009 |
| language |
Russian |
| container_title |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| format |
Article |
| title_alt |
Вплив опромінення кремнію низькоенергетичними іонами аргону на утворення у ньому електрично активних дефектів The influence of low energy argon ion irradiation on generation of electrically active defects in silicon |
| description |
Показано, что травление кремния ионами с низкой энергией является эффективным средством целенаправленной модификации электрофизических свойств его поверхности.
Досліджено вплив травлення кремнію р-типу іонами аргону з енергією 3,6 кеВ на утворення електрично активних дефектів (ЕАД) в приповерхневому шарі напівпровідника. Фоточутливість діодів Шотки, що сформовані на іонно-травленій поверхні, зростає, досягаючи максимальних значень в області ЕАД. Показано, що таке травлення кремнію є ефективним засобом модифікації електрофізичних властивостей його поверхні.
The article displays the results of investigation of influence of low energy (3-6 keV) argon ion etching of p-type silicon on electrically active defects (EAD) formation. The photosensitivity of Schottky diodes on etched silicon surface is increased, reaching maximum values in sites of EAD. The etching of silicon by lowenergy ions was shown to be an effective tool for task - oriented modification of electrophysical properties of semiconductor surface.
|
| issn |
2225-5818 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52098 |
| fulltext |
|
| citation_txt |
Влияние облучения кремния низкоэнергетическими ионами аргона на образование в нем электрически активных дефектов / В.М. Попов, Ю.М. Шустов, А.С. Клименко, А.П. Поканевич // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2009. — № 4. — С. 48-51. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. |
| work_keys_str_mv |
AT popovvm vliânieoblučeniâkremniânizkoénergetičeskimiionamiargonanaobrazovanievnemélektričeskiaktivnyhdefektov AT šustovûm vliânieoblučeniâkremniânizkoénergetičeskimiionamiargonanaobrazovanievnemélektričeskiaktivnyhdefektov AT klimenkoas vliânieoblučeniâkremniânizkoénergetičeskimiionamiargonanaobrazovanievnemélektričeskiaktivnyhdefektov AT pokanevičap vliânieoblučeniâkremniânizkoénergetičeskimiionamiargonanaobrazovanievnemélektričeskiaktivnyhdefektov AT popovvm vplivopromínennâkremníûnizʹkoenergetičnimiíonamiargonunautvorennâunʹomuelektričnoaktivnihdefektív AT šustovûm vplivopromínennâkremníûnizʹkoenergetičnimiíonamiargonunautvorennâunʹomuelektričnoaktivnihdefektív AT klimenkoas vplivopromínennâkremníûnizʹkoenergetičnimiíonamiargonunautvorennâunʹomuelektričnoaktivnihdefektív AT pokanevičap vplivopromínennâkremníûnizʹkoenergetičnimiíonamiargonunautvorennâunʹomuelektričnoaktivnihdefektív AT popovvm theinfluenceoflowenergyargonionirradiationongenerationofelectricallyactivedefectsinsilicon AT šustovûm theinfluenceoflowenergyargonionirradiationongenerationofelectricallyactivedefectsinsilicon AT klimenkoas theinfluenceoflowenergyargonionirradiationongenerationofelectricallyactivedefectsinsilicon AT pokanevičap theinfluenceoflowenergyargonionirradiationongenerationofelectricallyactivedefectsinsilicon |
| first_indexed |
2025-11-25T21:00:26Z |
| last_indexed |
2025-11-25T21:00:26Z |
| _version_ |
1850539452195143680 |