Влияние облучения кремния низкоэнергетическими ионами аргона на образование в нем электрически активных дефектов

Влияние облучения кремния низкоэнергетическими ионами аргона на образование в нем электрически активных дефектов

Показано, что травление кремния ионами с низкой энергией является эффективным средством целенаправленной модификации электрофизических свойств его поверхности.

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Datum:2009
Hauptverfasser: Попов, В.М., Шустов, Ю.М., Клименко, А.С., Поканевич, А.П.
Format: Artikel
Sprache:Russian
Veröffentlicht: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2009
Schriftenreihe:Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Schlagworte:
Материалы электроники
Online Zugang:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52098
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Влияние облучения кремния низкоэнергетическими ионами аргона на образование в нем электрически активных дефектов / В.М. Попов, Ю.М. Шустов, А.С. Клименко, А.П. Поканевич // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2009. — № 4. — С. 48-51. — Бібліогр.: 9 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-52098
record_format dspace
fulltext
spelling nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-520982025-02-09T11:03:43Z Влияние облучения кремния низкоэнергетическими ионами аргона на образование в нем электрически активных дефектов Вплив опромінення кремнію низькоенергетичними іонами аргону на утворення у ньому електрично активних дефектів The influence of low energy argon ion irradiation on generation of electrically active defects in silicon Попов, В.М. Шустов, Ю.М. Клименко, А.С. Поканевич, А.П. Материалы электроники Показано, что травление кремния ионами с низкой энергией является эффективным средством целенаправленной модификации электрофизических свойств его поверхности. Досліджено вплив травлення кремнію р-типу іонами аргону з енергією 3,6 кеВ на утворення електрично активних дефектів (ЕАД) в приповерхневому шарі напівпровідника. Фоточутливість діодів Шотки, що сформовані на іонно-травленій поверхні, зростає, досягаючи максимальних значень в області ЕАД. Показано, що таке травлення кремнію є ефективним засобом модифікації електрофізичних властивостей його поверхні. The article displays the results of investigation of influence of low energy (3-6 keV) argon ion etching of p-type silicon on electrically active defects (EAD) formation. The photosensitivity of Schottky diodes on etched silicon surface is increased, reaching maximum values in sites of EAD. The etching of silicon by lowenergy ions was shown to be an effective tool for task - oriented modification of electrophysical properties of semiconductor surface. 2009 Article Влияние облучения кремния низкоэнергетическими ионами аргона на образование в нем электрически активных дефектов / В.М. Попов, Ю.М. Шустов, А.С. Клименко, А.П. Поканевич // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2009. — № 4. — С. 48-51. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. 2225-5818 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52098 ru Технология и конструирование в электронной аппаратуре application/pdf Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
language Russian
topic Материалы электроники
Материалы электроники
spellingShingle Материалы электроники
Материалы электроники
Попов, В.М.
Шустов, Ю.М.
Клименко, А.С.
Поканевич, А.П.
Влияние облучения кремния низкоэнергетическими ионами аргона на образование в нем электрически активных дефектов
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
description Показано, что травление кремния ионами с низкой энергией является эффективным средством целенаправленной модификации электрофизических свойств его поверхности.
format Article
author Попов, В.М.
Шустов, Ю.М.
Клименко, А.С.
Поканевич, А.П.
author_facet Попов, В.М.
Шустов, Ю.М.
Клименко, А.С.
Поканевич, А.П.
author_sort Попов, В.М.
title Влияние облучения кремния низкоэнергетическими ионами аргона на образование в нем электрически активных дефектов
title_short Влияние облучения кремния низкоэнергетическими ионами аргона на образование в нем электрически активных дефектов
title_full Влияние облучения кремния низкоэнергетическими ионами аргона на образование в нем электрически активных дефектов
title_fullStr Влияние облучения кремния низкоэнергетическими ионами аргона на образование в нем электрически активных дефектов
title_full_unstemmed Влияние облучения кремния низкоэнергетическими ионами аргона на образование в нем электрически активных дефектов
title_sort влияние облучения кремния низкоэнергетическими ионами аргона на образование в нем электрически активных дефектов
publisher Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
publishDate 2009
topic_facet Материалы электроники
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52098
citation_txt Влияние облучения кремния низкоэнергетическими ионами аргона на образование в нем электрически активных дефектов / В.М. Попов, Ю.М. Шустов, А.С. Клименко, А.П. Поканевич // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2009. — № 4. — С. 48-51. — Бібліогр.: 9 назв. — рос.
series Технология и конструирование в электронной аппаратуре
work_keys_str_mv AT popovvm vliânieoblučeniâkremniânizkoénergetičeskimiionamiargonanaobrazovanievnemélektričeskiaktivnyhdefektov
AT šustovûm vliânieoblučeniâkremniânizkoénergetičeskimiionamiargonanaobrazovanievnemélektričeskiaktivnyhdefektov
AT klimenkoas vliânieoblučeniâkremniânizkoénergetičeskimiionamiargonanaobrazovanievnemélektričeskiaktivnyhdefektov
AT pokanevičap vliânieoblučeniâkremniânizkoénergetičeskimiionamiargonanaobrazovanievnemélektričeskiaktivnyhdefektov
AT popovvm vplivopromínennâkremníûnizʹkoenergetičnimiíonamiargonunautvorennâunʹomuelektričnoaktivnihdefektív
AT šustovûm vplivopromínennâkremníûnizʹkoenergetičnimiíonamiargonunautvorennâunʹomuelektričnoaktivnihdefektív
AT klimenkoas vplivopromínennâkremníûnizʹkoenergetičnimiíonamiargonunautvorennâunʹomuelektričnoaktivnihdefektív
AT pokanevičap vplivopromínennâkremníûnizʹkoenergetičnimiíonamiargonunautvorennâunʹomuelektričnoaktivnihdefektív
AT popovvm theinfluenceoflowenergyargonionirradiationongenerationofelectricallyactivedefectsinsilicon
AT šustovûm theinfluenceoflowenergyargonionirradiationongenerationofelectricallyactivedefectsinsilicon
AT klimenkoas theinfluenceoflowenergyargonionirradiationongenerationofelectricallyactivedefectsinsilicon
AT pokanevičap theinfluenceoflowenergyargonionirradiationongenerationofelectricallyactivedefectsinsilicon
first_indexed 2025-11-25T21:00:26Z
last_indexed 2025-11-25T21:00:26Z
_version_ 1849797563343962112

Ähnliche Einträge