Влияние облучения кремния низкоэнергетическими ионами аргона на образование в нем электрически активных дефектов
Показано, что травление кремния ионами с низкой энергией является эффективным средством целенаправленной модификации электрофизических свойств его поверхности. Досліджено вплив травлення кремнію р-типу іонами аргону з енергією 3,6 кеВ на утворення електрично активних дефектів (ЕАД) в приповерхневому...
Saved in:
| Published in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Date: | 2009 |
| Main Authors: | , , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2009
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52098 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Влияние облучения кремния низкоэнергетическими ионами аргона на образование в нем электрически активных дефектов / В.М. Попов, Ю.М. Шустов, А.С. Клименко, А.П. Поканевич // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2009. — № 4. — С. 48-51. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1859520333676019712 |
|---|---|
| author | Попов, В.М. Шустов, Ю.М. Клименко, А.С. Поканевич, А.П. |
| author_facet | Попов, В.М. Шустов, Ю.М. Клименко, А.С. Поканевич, А.П. |
| citation_txt | Влияние облучения кремния низкоэнергетическими ионами аргона на образование в нем электрически активных дефектов / В.М. Попов, Ю.М. Шустов, А.С. Клименко, А.П. Поканевич // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2009. — № 4. — С. 48-51. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description | Показано, что травление кремния ионами с низкой энергией является эффективным средством целенаправленной модификации электрофизических свойств его поверхности.
Досліджено вплив травлення кремнію р-типу іонами аргону з енергією 3,6 кеВ на утворення електрично активних дефектів (ЕАД) в приповерхневому шарі напівпровідника. Фоточутливість діодів Шотки, що сформовані на іонно-травленій поверхні, зростає, досягаючи максимальних значень в області ЕАД. Показано, що таке травлення кремнію є ефективним засобом модифікації електрофізичних властивостей його поверхні.
The article displays the results of investigation of influence of low energy (3-6 keV) argon ion etching of p-type silicon on electrically active defects (EAD) formation. The photosensitivity of Schottky diodes on etched silicon surface is increased, reaching maximum values in sites of EAD. The etching of silicon by lowenergy ions was shown to be an effective tool for task - oriented modification of electrophysical properties of semiconductor surface.
|
| first_indexed | 2025-11-25T21:00:26Z |
| format | Article |
| fulltext |
Òåõíîëîãèÿ è êîíñòðóèðîâàíèå â ýëåêòðîííîé àïïàðàòóðå, 2009, ¹ 4
48
ÌÀÒÅÐÈÀËÛ ÝËÅÊÒÐÎÍÈÊÈ
Äàòà ïîñòóïëåíèÿ â ðåäàêöèþ
23.04 2009 ã.
Îïïîíåíò ä. ò. í. Â. À. ÌÎÊÐÈÖÊÈÉ
(ÎÍÏÓ, ã. Îäåññà)
Ê. ô.-ì. í. Â. Ì. ÏÎÏÎÂ, Þ. Ì. ØÓÑÒÎÂ,
À. Ñ. ÊËÈÌÅÍÊÎ, À. Ï. ÏÎÊÀÍÅÂÈ×
Óêðàèíà, ã. Êèåâ, Öåíòð «Ìèêðîàíàëèòèêà» ÍÈÈ ìèêðîïðèáîðîâ
Å-mail: popovmc@i.kiev.ua
ÂËÈßÍÈÅ ÎÁËÓ×ÅÍÈß ÊÐÅÌÍÈß
ÍÈÇÊÎÝÍÅÐÃÅÒÈ×ÅÑÊÈÌÈ ÈÎÍÀÌÈ ÀÐÃÎÍÀ
ÍÀ ÎÁÐÀÇÎÂÀÍÈÅ Â ÍÅÌ
ÝËÅÊÒÐÈ×ÅÑÊÈ ÀÊÒÈÂÍÛÕ ÄÅÔÅÊÒÎÂ
Ïîêàçàíî, ÷òî òðàâëåíèå êðåìíèÿ èîíà-
ìè ñ íèçêîé ýíåðãèåé ÿâëÿåòñÿ ýôôåê-
òèâíûì ñðåäñòâîì öåëåíàïðàâëåííîé
ìîäèôèêàöèè ýëåêòðîôèçè÷åñêèõ ñâîéñòâ
åãî ïîâåðõíîñòè.
Óïðàâëåíèå ñâîéñòâàìè ïîâåðõíîñòè ïîëóïðîâîä-
íèêîâûõ ìàòåðèàëîâ ÿâëÿåòñÿ îäíèì èç ïåðñïåêòèâ-
íûõ íàïðàâëåíèé ñîâåðøåíñòâîâàíèÿ ïàðàìåòðîâ
ïðèáîðîâ íà èõ îñíîâå. Â íàñòîÿùåå âðåìÿ ñóùå-
ñòâåííîå âíèìàíèå óäåëÿåòñÿ èçó÷åíèþ âëèÿíèÿ íèç-
êîýíåðãåòè÷åñêèõ èîíîâ íà ñâîéñòâà ïîâåðõíîñòè
ïîëóïðîâîäíèêîâ. Îáëó÷åíèå ïîâåðõíîñòè êðåìíèÿ
èîíàìè àðãîíà èñïîëüçóåòñÿ â öåëÿõ ïëàíàðèçàöèè è
ïîëó÷åíèÿ àòîìàðíî ÷èñòîé ïîâåðõíîñòè [1]. Ïîíè-
ìàíèå ôèçè÷åñêèõ ïðîöåññîâ, ïðîèñõîäÿùèõ ïðè âçàè-
ìîäåéñòâèè èîíîâ ñ ïîâåðõíîñòüþ ïîëóïðîâîäíèêî-
âûõ ñòðóêòóð, íåîáõîäèìî è ïðè ïîäãîòîâêå îáðàç-
öîâ äëÿ àíàëèòè÷åñêèõ èññëåäîâàíèé ìåòîäàìè ïðî-
ñâå÷èâàþùåé ýëåêòðîííîé ìèêðîñêîïèè [2]. Êðîìå
òîãî, ïðè èîííîì ðàñïûëåíèè ìàòåðèàëîâ âîçìîæíî
ôîðìèðîâàíèå ñïåöèôè÷åñêîãî ðåëüåôà, â ÷àñòíîñòè
â ðåçóëüòàòå ÿâëåíèÿ ñàìîîðãàíèçàöèè íà ïîâåðõíî-
ñòè ôîðìèðóþòñÿ êâàçèïåðèîäè÷åñêèå, â òîì ÷èñëå
íàíîðàçìåðíûå, ñòðóêòóðû [3].
Áîëüøîé èíòåðåñ ïðåäñòàâëÿåò âîçìîæíîñòü íèç-
êîòåìïåðàòóðíîãî ôîðìèðîâàíèÿ p�n-ïåðåõîäîâ â
êðåìíèè ïóòåì åãî îáðàáîòêè â ïëàçìå, ñîäåðæàùåé
èîíû àðãîíà ñ íèçêîé ýíåðãèåé [4].
Âëèÿíèå îáëó÷åíèÿ èîíàìè àðãîíà íà ðÿä âàæíûõ
ýëåêòðîôèçè÷åñêèõ ñâîéñòâ ìàòåðèàëà èçó÷åíî íå-
äîñòàòî÷íî, â ÷àñòíîñòè, îòñóòñòâóþò ñâåäåíèÿ îá
îáðàçîâàíèè ýëåêòðè÷åñêè àêòèâíûõ äåôåêòîâ (ÝÀÄ)
ïðè âçàèìîäåéñòâèè èîííûõ ïîòîêîâ ñ ïîâåðõíî-
ñòüþ êðåìíèÿ. Ïîñêîëüêó ÝÀÄ îòâåòñòâåííû çà ñêî-
ðîñòü ïðîòåêàíèÿ ãåíåðàöèîííî-ðåêîìáèíàöèîííûõ
ïðîöåññîâ â ïîëóïðîâîäíèêå è ñóùåñòâåííî âëèÿþò
íà ýëåêòðè÷åñêèå ïàðàìåòðû ïðèáîðîâ, èçó÷åíèå èõ
ñâîéñòâ ÿâëÿåòñÿ àêòóàëüíîé çàäà÷åé. Ïðè ýòîì îñî-
áóþ öåííîñòü ïðèîáðåòàþò èññëåäîâàíèÿ, õàðàêòåðè-
çóåìûå âûñîêîé ëîêàëüíîñòüþ, ïðè êîòîðûõ âîçìîæ-
íî èçó÷åíèå ñâîéñòâ îòäåëüíûõ äåôåêòîâ. Ýòî îñî-
áåííî âàæíî â óñëîâèÿõ ïîñòîÿííî ðàñòóùåé ñòåïå-
íè èíòåãðàöèè ïðèáîðîâ ìèêðîýëåêòðîíèêè, ïðè êî-
òîðîé ðàçìåðû äåôåêòîâ è àêòèâíûõ ýëåìåíòîâ èí-
òåãðàëüíûõ ñõåì ñòàíîâÿòñÿ ñîèçìåðèìûìè, â ðåçóëü-
òàòå ÷åãî ñâîéñòâà îòäåëüíûõ äåôåêòîâ ñóùåñòâåííî
âëèÿþò íà ïàðàìåòðû è íàäåæíîñòü èçäåëèé. Â ñâÿçè
ñ ýòèì äëÿ âûÿâëåíèÿ è èññëåäîâàíèÿ ÝÀÄ íåîáõî-
äèìî ïðèìåíåíèå ìåòîäîâ, õàðàêòåðèçóåìûõ âûñî-
êîé ëîêàëüíîñòüþ. Ê òàêèì ìåòîäàì îòíîñèòñÿ ðà-
ñòðîâàÿ ýëåêòðîííàÿ ìèêðîñêîïèÿ (ÐÝÌ) â ðåæèìå
òîêîâ, èíäóöèðîâàííûõ ýëåêòðîííûì ëó÷îì (ÒÈÝË)
[5�7], à òàêæå ëàçåðíàÿ ñêàíèðóþùàÿ ìèêðîñêî-
ïèÿ, îñíîâàííàÿ íà ðåãèñòðàöèÿ ôîòîòîêîâ, íàâåäåí-
íûõ â ïîëóïðîâîäíèêîâûõ ñòðóêòóðàõ (p�n-ïåðåõî-
äàõ, äèîäàõ Øîòòêè) ñôîêóñèðîâàííûì ëàçåðíûì
çîíäîì [8].
Öåëüþ ðàáîòû ÿâëÿëîñü èññëåäîâàíèå âëèÿíèÿ
òðàâëåíèÿ êðåìíèÿ ð-òèïà íèçêîýíåðãåòè÷åñêèìè
èîíàìè àðãîíà íà ýëåêòðîôèçè÷åñêèå ñâîéñòâà ìàòå-
ðèàëà, â òîì ÷èñëå íà îáðàçîâàíèå ÝÀÄ â ïðèïîâåðõ-
íîñòíîì ñëîå ïîëóïðîâîäíèêà.
Îáðàçöû è ìåòîäèêà ýêñïåðèìåíòà
Èññëåäîâàíû ïîëèðîâàííûå ïëàñòèíû èñõîäíîãî
ìîíîêðèñòàëëè÷åñêîãî êðåìíèÿ ð-òèïà ÊÄÁ-10 ñ
óäåëüíûì ñîïðîòèâëåíèåì 10 Îì·ñì äèàìåòðîì
100 ìì, èñïîëüçóåìûå ïðè èçãîòîâëåíèè èíòåãðàëü-
íûõ ñõåì. Ïëàñòèíû êðåìíèÿ ðàçðåçàëèñü íà ÷àñòè,
ïîñëå ÷åãî ÷åðåç ìåòàëëè÷åñêóþ ìàñêó ïðîâîäèëîñü
òðàâëåíèå èõ ïîâåðõíîñòè èîíàìè àðãîíà ñ ýíåðãèåé
3�6 êýÂ íà îïðåäåëåííóþ ãëóáèíó íà óñòàíîâêå
FAB 306B (Ion Tech Ltd.), ïðèìåíÿåìîé ïðè ïîäãî-
òîâêå îáðàçöîâ äëÿ èññëåäîâàíèÿ ìåòîäîì ïðîñâå-
÷èâàþùåé ýëåêòðîííîé ìèêðîñêîïèè. Âåëè÷èíà èîí-
íîãî òîêà ñîñòàâëÿëà 50 ìêÀ, ñðåäíÿÿ ñêîðîñòü òðàâ-
ëåíèÿ � 2 Å â ñåêóíäó, òåìïåðàòóðà ïîâåðõíîñòè îá-
ðàçöà íå ïðåâûøàëà 100°Ñ. Èñïîëüçîâàëèñü ìàñêè ñ
îêíàìè ðàçìåðîì îò 0,5×0,5 äî 3,0×3,0 ìì.
Áûëè ïîäãîòîâëåíû òðè ãðóïïû îáðàçöîâ ñ ãëó-
áèíîé òðàâëåíèÿ 0,25, 0,65 è 1,0 ìêì. Íà èõ ïîâåð-
õíîñòü ÷åðåç ìàñêó íà óñòàíîâêå êàòîäíîãî ðàñïû-
ëåíèÿ IB-3 (Giko Engineering) îñàæäàëàñü òîíêàÿ îï-
òè÷åñêè ïîëóïðîçðà÷íàÿ ïëåíêà çîëîòà òîëùèíîé
350�400 Å. Îñàæäåíèå ïðÿìîóãîëüíûõ ýëåêòðîäîâ
îñóùåñòâëÿëîñü òàêèì îáðàçîì, ÷òîáû ïîä îäíèì
ýëåêòðîäîì ðàñïîëàãàëèñü êàê òðàâëåííàÿ, òàê è íå
òðàâëåííàÿ (èñõîäíàÿ) ïîâåðõíîñòè êðåìíèÿ. Êðîìå
òîãî, íåêîòîðûå ýëåêòðîäû ñîçäàâàëèñü òîëüêî íà
òðàâëåííûõ, à íåêîòîðûå � òîëüêî íà èñõîäíûõ ó÷à-
ñòêàõ. Â ðåçóëüòàòå ôîðìèðîâàëèñü äèîäû Øîòòêè
(Au�Si). Äëÿ ñíèæåíèÿ îáðàòíîãî òîêà äèîäîâ ïëàñ-
òèíû îòæèãàëèñü íà âîçäóõå ïðè òåìïåðàòóðå 275°Ñ
â òå÷åíèå 30 ìèíóò.
Òåõíîëîãèÿ è êîíñòðóèðîâàíèå â ýëåêòðîííîé àïïàðàòóðå, 2009, ¹ 4
49
ÌÀÒÅÐÈÀËÛ ÝËÅÊÒÐÎÍÈÊÈ
Âèçóàëèçàöèÿ ÝÀÄ â êðåìíèè â äèîäàõ Øîòòêè
ïðîâåäåíà â ÐÝÌ JSM IC845 (JEOL) â ðåæèìå ÒÈÝË.
Èñïîëüçîâàíû óñêîðÿþùåå íàïðÿæåíèå 15�25 ê è
òîê ýëåêòðîííîãî çîíäà 3·10�10�1·10�9 À. Ëîêàëü-
íîñòü îïðåäåëåíèÿ ÝÀÄ ñîñòàâëÿëà 3�5 ìêì. Ïðî-
ôèëîãðàììû òîêîâ, èíäóöèðîâàííûõ ýëåêòðîííûì
çîíäîì â îáëàñòè îòäåëüíûõ äåôåêòîâ, ðåãèñòðèðî-
âàëèñü ýëåêòðîìåòðîì Â7-30 è çàïèñûâàëèñü íà ñà-
ìîïèñöå Í-307, ñèíõðîíèçèðîâàííîì ñî ñêàíèðóþ-
ùèì ëó÷îì.
Ïðèìåñíûé ñîñòàâ ïîâåðõíîñòè êðåìíèÿ êîíòðî-
ëèðîâàëñÿ ìåòîäîì ëîêàëüíîãî ðåíòãåíîñïåêòðàëü-
íîãî ìèêðîàíàëèçà íà óñòàíîâêå AN 10000/95S (Link
Analytical), ñîâìåùåííîãî ñ ÐÝÌ.
Äëÿ ðåãèñòðàöèè ôîòîòîêîâ â äèîäàõ Øîòòêè ïðè-
ìåíÿëàñü ñèñòåìà ñêàíèðîâàíèÿ ñôîêóñèðîâàííûì
ëàçåðíûì çîíäîì (äëèíà âîëíû 0,63 ìêì) ìîùíî-
ñòüþ 5 ìÂò, ñîçäàííàÿ íà áàçå àíàëèòè÷åñêîé çîíäî-
âîé ñòàíöèè MM 7000 (Micromanipulator), îñíàùåí-
íîé îïòè÷åñêèì ìèêðîñêîïîì âûñîêîãî ðàçðåøåíèÿ
(óâåëè÷åíèå äî 2000 ðàç). Îñîáåííîñòüþ ðåàëèçîâàí-
íîé êîíñòðóêöèè ÿâëÿåòñÿ ñîâìåùåíèå ëàçåðíîãî ëó÷à
ñ îïòè÷åñêîé ñèñòåìîé ìèêðîñêîïà.  ðåçóëüòàòå ñòà-
ëà âîçìîæíîé ôîêóñèðîâêà ëàçåðíîãî çîíäà äî ìè-
íèìàëüíîãî äèàìåòðà 3 ìêì ïðè îäíîâðåìåííîì íà-
áëþäåíèè çà îáëó÷àåìîé îáëàñòüþ îáðàçöà ïðè áîëü-
øèõ óâåëè÷åíèÿõ. Ñêàíèðîâàíèå ëàçåðíûì çîíäîì
îñóùåñòâëÿëîñü ïóòåì ýëåêòðè÷åñêîãî ïåðåìåùåíèÿ
äåðæàòåëÿ îáðàçöîâ ëèáî ïðåöèçèîííûì ìåõàíè÷å-
ñêèì ïåðåìåùåíèåì îïòè÷åñêîé ñèñòåìû ìèêðîñêîïà.
Ñ ïîìîùüþ ìèêðîçîíäîâûõ ìàíèïóëÿòîðîâ èññëå-
äóåìûå ïîëóïðîâîäíèêîâûå ñòðóêòóðû (äèîäû Øîò-
òêè) ýëåêòðè÷åñêè ñîåäèíÿëèñü ñ ýëåêòðîìåòðîì è
âûñîêîòî÷íûì èçìåðèòåëåì âûñîêî÷àñòîòíûõ âîëüò-
ôàðàäíûõ õàðàêòåðèñòèê (ÂÔÕ) HP 4061A (Hewlett
Packard).
Èçìåðåíèå ãëóáèíû òðàâëåíèÿ, ìèêðîøåðîõîâàòî-
ñòè ïîâåðõíîñòè êðåìíèÿ, à òàêæå òîëùèíû ýëåêòðîäà
ïðîâîäèëîñü ìèêðîïðîôèìëîìåòðîì Alpha Step 200
(Tencor Instruments) ñ ÷óâñòâèòåëüíîñòüþ ïî âåðòè-
êàëè 5 Å.
Ðåçóëüòàòû è îáñóæäåíèå
Èññëåäîâàíèå ðàñïðåäåëåíèÿ âåëè÷èíû ÒÈÝË ïî
ïëîùàäè äèîäîâ Øîòòêè ïîêàçàëî óâåëè÷åíèå àìï-
ëèòóäû òîêà â îáëàñòÿõ, ïîäâåðãíóòûõ èîííîìó òðàâ-
ëåíèþ, îñîáåííî íà ïåðèôåðèè (ó êðàåâ ìàñêè), ÷òî,
ïî-âèäèìîìó, îáóñëîâëåíî óñèëåíèåì ýëåêòðè÷åñêî-
ãî ïîëÿ è íåêîòîðîé íåðàâíîìåðíîñòüþ èîííîãî òðàâ-
ëåíèÿ çäåñü. Â öåëîì, â îáëàñòè èîííîãî òðàâëåíèÿ
çíà÷åíèÿ ÒÈÝË áûëè â íåñêîëüêî ðàç áîëüøå, ÷åì íà
íåîáëó÷åííûõ ó÷àñòêàõ. Òàê, íàïðèìåð, íà îáðàçöå
êðåìíèÿ ñ ãëóáèíîé òðàâëåíèÿ 0,65 ìêì óñèëåíèå
ÒÈÝË áåç ó÷åòà ýôôåêòîâ íà ïåðèôåðèè ñîñòàâëÿëî
2�3 ðàçà. Íà ó÷àñòêàõ âáëèçè êðàåâ ìàñêè èíäóöè-
ðîâàííûé òîê âîçðàñòàë áîëåå ÷åì íà ïîðÿäîê. Òàêîå
æå óñèëåíèå ôîòîòîêà ó êðàåâ ìàñêè íàáëþäàëîñü è
ïðè ñêàíèðîâàíèè ëàçåðíûì çîíäîì. Àíàëîãè÷íûì
áûë è õàðàêòåð ðàñïðåäåëåíèÿ ôîòîòîêà. Âîçðàñòà-
íèå æå ôîòîòîêà â îáëàñòè èîííîãî òðàâëåíèÿ âíå
ïåðèôåðèéíûõ ó÷àñòêîâ áûëî íåñêîëüêî âûøå è ñî-
ñòàâëÿëî 3�5 ðàç.
Äåòàëüíûé àíàëèç îáëàñòè èîííîãî òðàâëåíèÿ ñ
ïîìîùüþ ÐÝÌ ïîêàçàë íàëè÷èå ëîêàëüíûõ íåîäíî-
ðîäíîñòåé � ÝÀÄ, â êîòîðûõ èìåëî ìåñòî ñóùåñòâåí-
íîå âîçðàñòàíèå ÒÈÝË. Îáíàðóæåíû äåôåêòû ëèíåé-
íîãî, òî÷å÷íîãî è ïðîòÿæåííîãî âèäà (ðèñ. 1), â òî
âðåìÿ êàê íà èñõîäíîì êðåìíèè ÝÀÄ ïðàêòè÷åñêè
îòñóòñòâîâàëè.
Íà ïîëó÷åííûõ èçîáðàæåíèÿõ ëîêàëüíîå âîçðà-
ñòàíèå ÒÈÝË â îáëàñòè ÝÀÄ èìååò âèä ñâåòëûõ ó÷àñò-
êîâ íà òåìíîì ôîíå ëèáî ó÷àñòêîâ, íà êîòîðûõ íà-
áëþäàåòñÿ ïåðåïàä ÿðêîñòè. Êàê ïîêàçàëè èññëåäî-
âàíèÿ, ñâåòëûå ó÷àñòêè ñâîéñòâåííû ÝÀÄ ñ ïëàâíûì
ïðîôèëåì ÒÈÝË â îáëàñòè äåôåêòà, à ïåðåïàä ÿðêî-
ñòè ïðèñóù ëèíåéíûì è òî÷å÷íûì äåôåêòàì, ïðîôèëü
ÒÈÝË â êîòîðûõ èìååò äîñòàòî÷íî ðåçêèé ìàêñèìóì.
 èñïîëüçîâàííîé ýëåêòðè÷åñêîé ñõåìå ôîðìèðîâà-
íèÿ èçîáðàæåíèÿ â ÐÝÌ òàêîé õàðàêòåð ñèãíàëà ïðè-
âîäèò ê åãî äèôôåðåíöèðîâàíèþ è ðåãèñòðàöèè ïåðå-
ïàäà ÿðêîñòè â öåíòðàëüíîé ÷àñòè äåôåêòà.
Óñòàíîâëåíî, ÷òî â îòäåëüíûõ ÝÀÄ àìïëèòóäà
ÒÈÝË ïî ñðàâíåíèþ ñ áåçäåôåêòíîé îáëó÷åííîé îá-
ëàñòüþ âîçðàñòàåò íå ìåíüøå ÷åì íà ïîðÿäîê.
Êàê âèäíî èç ðèñ. 1, ïðè ìàëûõ çíà÷åíèÿõ ãëóáèíû
èîííîãî òðàâëåíèÿ áîëåå òèïè÷íûìè ÿâëÿþòñÿ ëèíåé-
íûå äåôåêòû ïîâåðõíîñòè êðåìíèÿ (à, á). Íàèáîëåå
à) á)
â) ã)
ä) å)
100 ìêì 50 ìêì
250 ìêì 500 ìêì
500 ìêì 500 ìêì
Ðèñ. 1. Ðàñïðåäåëåíèå ýëåêòðè÷åñêè àêòèâíûõ äåôåêòîâ
íà ïîâåðõíîñòè êðåìíèÿ (äèîäû Øîòòêè Au�Si) ïîñëå
èîííîãî òðàâëåíèÿ íà ãëóáèíó 0,25 (à, á), 0,65 (â, ã) è
1,0 ìêì (ä, å)
(Ìåòîä ÐÝÌ â ðåæèìå ÒÈÝË. Óñêîðÿþùåå íàïðÿæåíèå
ýëåêòðîííîãî çîíäà 25 êÂ. Îáëàñòü ëîêàëüíîãî ñêàíèðî-
âàíèÿ ïî îòäåëüíîìó ÝÀÄ (á) ïîêàçàíà ñòðåëêîé)
Òåõíîëîãèÿ è êîíñòðóèðîâàíèå â ýëåêòðîííîé àïïàðàòóðå, 2009, ¹ 4
50
ÌÀÒÅÐÈÀËÛ ÝËÅÊÒÐÎÍÈÊÈ
êðóïíûå ïî ïëîùàäè ó÷àñòêè óñèëåíèÿ ÒÈÝË îòìå-
÷åíû ïðè ãëóáèíå òðàâëåíèÿ 0,65 ìêì.  ñëó÷àå òðàâ-
ëåíèÿ íà ãëóáèíó 1 ìêì ïðåâàëèðóþùèì òèïîì ÝÀÄ
ÿâëÿþòñÿ òî÷å÷íûå è ïðàêòè÷åñêè îòñóòñòâóþò äå-
ôåêòû ëèíåéíîãî âèäà, ÷òî, âîçìîæíî, ñâÿçàíî ñ óäà-
ëåíèåì íàèáîëåå íàðóøåííîãî ñëîÿ, ðàñïîëîæåííî-
ãî íåïîñðåäñòâåííî íà ïîâåðõíîñòè ïëàñòèí. Îáùàÿ
ïîâåðõíîñòíàÿ êîíöåíòðàöèÿ äåôåêòîâ ñíèæàåòñÿ ñ
óâåëè÷åíèåì ãëóáèíû òðàâëåíèÿ.
Ïîëó÷åííûå ñ ïîìîùüþ ÐÝÌ äàííûå î ðàñïðåäå-
ëåíèè äåôåêòîâ íà ïîâåðõíîñòè êðåìíèÿ ïîëíîñòüþ
ñîâïàäàþò ñ ðåçóëüòàòàìè êàðòîãðàôèðîâàíèÿ ëîêàëü-
íûõ ôîòîòîêîâ.
 êà÷åñòâå ïðèìåðà íà ðèñ. 2 ïðèâåäåíû ïðîôè-
ëîãðàììû ðàñïðåäåëåíèÿ ÒÈÝË è ëîêàëüíîãî ôîòî-
òîêà ïðè ñêàíèðîâàíèè ïåðïåíäèêóëÿðíî ëèíåéíîìó
äåôåêòó, ïîêàçàííîìó íà ðèñ. 1, á. Îáå ïðîôèëî-
ãðàììû, íîðìèðîâàííûå íà âåëè÷èíó òîêà âíå îáëà-
ñòè ÝÀÄ, êà÷åñòâåííî îäèíàêîâû. Áîëåå ñèëüíàÿ ìî-
äóëÿöèÿ ñèãíàëà ÒÈÝË ïî ñðàâíåíèþ ñ ôîòîòîêîì â
äåôåêòå îáúÿñíÿåòñÿ áîëåå ãëóáîêèì ïðîíèêíîâåíè-
åì çîíû âîçáóæäåíèÿ ýëåêòðîííî-äûðî÷íûõ ïàð â
ïîëóïðîâîäíèê, ïðîèñõîäÿùåì ïðè ýíåðãèè ýëåêòðîí-
íîãî çîíäà 25 êýÂ.
Ñëåäóåò îòìåòèòü, ÷òî ïðè âîçðàñòàíèè ýíåðãèè
ýëåêòðîííîãî çîíäà îò 15 äî 25 êý óâåëè÷åíèÿ îá-
ùåé êîíöåíòðàöèè íàáëþäàåìûõ äåôåêòîâ íå íàáëþ-
äàëîñü. Ñëåäîâàòåëüíî, ÝÀÄ ðàñïîëîæåíû, â îñíîâ-
íîì, â ïðèïîâåðõíîñòíîì ñëîå êðåìíèÿ.
Íàèáîëüøåå óñèëåíèå ëîêàëüíûõ çíà÷åíèé ÒÈÝË
è âåëè÷èíû ôîòîòîêà â îòäåëüíûõ ÝÀÄ îáíàðóæåíî
ïðè ãëóáèíå òðàâëåíèÿ 0,65 ìêì. Â íåêîòîðûõ ÝÀÄ
ëîêàëüíûé ôîòîòîê âîçðàñòàë íà îäèí-äâà ïîðÿäêà
ïî ñðàâíåíèþ ñ áåçäåôåêòíîé ïîâåðõíîñòüþ. Òàêèå
ñâîéñòâà ïðèñóùè, â ÷àñòíîñòè, ÝÀÄ, ïîêàçàííûì
íà ðèñ. 1 â, ã.
 òðàäèöèîííûõ è õîðîøî èçó÷åííûõ äåôåêòàõ â
êðåìíèè, èìåþùèõ ðåêîìáèíàöèîííóþ ïðèðîäó, ñèã-
íàë ÒÈÝË ëîêàëüíî ïîíèæàåòñÿ [9]. Óâåëè÷åíèå æå
íàâåäåííîãî òîêà â âûÿâëåííûõ ÝÀÄ óêàçûâàåò íà
èíóþ ïðèðîäó íàéäåííûõ íåîäíîðîäíîñòåé. Âîçðà-
ñòàíèå ÒÈÝË â ÝÀÄ íàáëþäàåòñÿ äîñòàòî÷íî ðåäêî
è, â îñíîâíîì, ñâÿçàíî ñ óâåëè÷åíèåì íåðàâíîâåñ-
íûõ ýëåêòðîííî-äûðî÷íûõ ïàð â îáëàñòè ëîêàëüíîãî
óñèëåíèÿ ýëåêòðè÷åñêîãî ïîëÿ â ïîëóïðîâîäíèêå.
Äëÿ âûÿñíåíèÿ âîçìîæíîé ïðèðîäû íàéäåííûõ
ÝÀÄ áûëè ïðîâåäåíû èññëåäîâàíèÿ âëèÿíèÿ èîííî-
ãî òðàâëåíèÿ íà ïðîôèëü êîíöåíòðàöèè ñâîáîäíûõ
íîñèòåëåé çàðÿäà ð â ïðèïîâåðõíîñòíîì ñëîå êðåì-
íèÿ p=f(x). Ñ ýòîé öåëüþ íà äèîäàõ Øîòòêè, ñôîðìè-
ðîâàííûõ îòäåëüíî íà èñõîäíîé è íà ïîäâåðãíóòîé
èîííîìó âîçäåéñòâèþ ïîâåðõíîñòÿõ êðåìíèÿ, áûëè
èçìåðåíû âûñîêî÷àñòîòíûå ÂÔÕ è ïðîâåäåí ðàñ÷åò
çàâèñèìîñòåé p=f(x). Óñòàíîâëåíî, ÷òî â ðåçóëüòàòå
èîííîãî òðàâëåíèÿ êîíöåíòðàöèÿ ñâîáîäíûõ äûðîê íà
ïîâåðõíîñòè êðåìíèÿ ïîíèæàåòñÿ (ðèñ. 3). Òàê, ïðî-
ôèëü ðàñïðåäåëåíèÿ êîíöåíòðàöèè äûðîê íà èñõîäíîé
ïîâåðõíîñòè áûë ïîñòîÿíåí, åå çíà÷åíèå ñîñòàâëÿëî
1·1015 ñì�3 è ñîîòâåòñòâîâàëî óäåëüíîìó ñîïðîòèâëå-
íèþ èñïîëüçîâàííîãî êðåìíèÿ ÊÄÁ-10. Ïîñëå óäàëå-
íèÿ ñëîÿ êðåìíèÿ òîëùèíîé 0,65 ìêì êîíöåíòðàöèÿ
äûðîê ïëàâíî óìåíüøàëàñü ïî íàïðàâëåíèþ ê ïîâåðõ-
íîñòè, ïðèáëèæàÿñü ê âåëè÷èíå 3·1014 ñì�3. Ñíèæå-
íèå êîíöåíòðàöèè ñâîáîäíûõ íîñèòåëåé çàðÿäà íà
èîííî-òðàâëåííîé ïîâåðõíîñòè ïîäòâåðæäåíî âîçðà-
ñòàíèåì ïîâåðõíîñòíîãî ñîïðîòèâëåíèÿ êðåìíèÿ, èç-
ìåðåííîãî ÷åòûðåõçîíäîâûì ìåòîäîì. Íà ïðèâåäåí-
íûõ ãðàôèêàõ ðàññòîÿíèå îò ïîâåðõíîñòè (x=0) äî
à)
Ò
È
Ý
Ë
2,0
1,8
1,6
1,4
1,2
1,0
0 0,04 0,08 0,12
Ðàññòîÿíèå, ìì
Ë
îê
àë
üí
û
é
ô
îò
îò
îê
á) 1,5
1,4
1,3
1,2
1,1
1,0
0 0,04 0,08 0,12 0,16
Ðàññòîÿíèå, ìì
Ðèñ. 2. Íîðìèðîâàííûå ïðîôèëè ðàñïðåäåëåíèÿ ÒÈÝË (à) è ëîêàëüíîãî ôîòîòîêà (á) â äèîäå Øîòòêè (Au�Si) â
îáëàñòè ëèíåéíîãî ÝÀÄ, ïîêàçàííîãî íà ðèñ. 1, á (ýíåðãèÿ ýëåêòðîííîãî ëó÷à ÐÝÌ ñîñòàâëÿëà 25 êýÂ)
ð, ñì�3
1015
1014
0 1 2 3 4 õ, ìì
1
2
Ðèñ. 3. Ïðîôèëè êîíöåíòðàöèè ñâîáîäíûõ íîñèòåëåé çà-
ðÿäà â ïðèïîâåðõíîñòíîì ñëîå êðåìíèÿ ð-òèïà äî (1) è
ïîñëå (2) òðàâëåíèÿ èîíàìè àðãîíà
Òåõíîëîãèÿ è êîíñòðóèðîâàíèå â ýëåêòðîííîé àïïàðàòóðå, 2009, ¹ 4
51
ÌÀÒÅÐÈÀËÛ ÝËÅÊÒÐÎÍÈÊÈ
òî÷êè íà÷àëà ðàñ÷åòà êîíöåíòðàöèè ñâîáîäíûõ íîñè-
òåëåé îòðàæàåò ðàâíîâåñíóþ ãëóáèíó îáëàñòè ïðî-
ñòðàíñòâåííîãî çàðÿäà (ÎÏÇ) â êðåìíèè. Èç êîíöåí-
òðàöèîííûõ ïðîôèëåé ÿñíî, ÷òî ãëóáèíà ðàâíîâåñ-
íîé ÎÏÇ ïîä ýëåêòðîäîì äèîäîâ Øîòòêè ïîñëå èîí-
íîãî òðàâëåíèÿ âîçðàñòàåò â 2,5 ðàçà. Ïðè áîëåå ãëó-
áîêîì èîííîì òðàâëåíèè íàáëþäàåòñÿ åùå áîëüøåå
ðàñøèðåíèå ñëîÿ ÎÏÇ. Â ðåçóëüòàòå çîíà âîçáóæäå-
íèÿ íåðàâíîâåñíûõ íîñèòåëåé çàðÿäà, ãåíåðèðóåìûõ
ñâåòîâûì èëè ýëåêòðîííûì çîíäîì, ïîëíîñòüþ ðàñ-
ïîëàãàåòñÿ â ñëîå ÎÏÇ ïîä ýëåêòðîäîì, â êîòîðîì
îòñóòñòâóþò ðåêîìáèíàöèîííûå ïîòåðè. Êàê ñëåä-
ñòâèå, ÒÈÝË è ôîòîòîê, ôîðìèðóåìûå â öåïè äèîäà,
íå èñïûòûâàþò ðåêîìáèíàöèîííûõ ïîòåðü è óâåëè-
÷èâàþòñÿ. Áîëåå çíà÷èòåëüíîå óñèëåíèå èíäóöèðîâàí-
íûõ òîêîâ â îáëàñòè ÝÀÄ îáóñëîâëåíî ýëåêòðîôèçè-
÷åñêèìè îñîáåííîñòÿìè ýòèõ äåôåêòîâ, ÷òî ïîäëå-
æèò äàëüíåéøåìó èçó÷åíèþ. Âûÿñíåíèå ñòðóêòóðíî-
ïðèìåñíûõ ñâîéñòâ êðåìíèÿ â ÝÀÄ è èõ âîñïðîèç-
âåäåíèå òåõíîëîãè÷åñêèìè ìåòîäàìè íà îïðåäåëåí-
íûõ ó÷àñòêàõ ïîâåðõíîñòè ïîëóïðîâîäíèêà ïîçâîëèò
ñîçäàòü óñëîâèÿ äëÿ çíà÷èòåëüíîãî ïîâûøåíèÿ ôîòî-
÷óâñòâèòåëüíîñòè äèîäîâ Øîòòêè â ýòèõ îáëàñòÿõ.
Ìîæíî ïðåäïîëîæèòü, ÷òî â ÝÀÄ ëîêàëüíàÿ êîí-
öåíòðàöèÿ ñâîáîäíûõ íîñèòåëåé çàðÿäà ïîñëå òðàâ-
ëåíèÿ åùå íèæå è ïðèáëèæàåòñÿ ê ñîáñòâåííîé êîí-
öåíòðàöèè íîñèòåëåé çàðÿäà â ïîëóïðîâîäíèêå, ò. å.
îáðàçóåò i-ñëîé, â êîòîðîì âîçìîæíî óâåëè÷åíèå íå-
ðàâíîâåñíûõ íîñèòåëåé çàðÿäà.
Îäíîé èç ïðè÷èí ñíèæåíèÿ êîíöåíòðàöèè äûðîê
íà ïîâåðõíîñòè êðåìíèÿ ð-òèïà ïîñëå èîííîãî òðàâ-
ëåíèÿ ìîæåò ÿâëÿòüñÿ ïîòîê áûñòðî äèôôóíäèðóþ-
ùèõ ìåæäîóçåëüíûõ àòîìîâ êðåìíèÿ, îáðàçîâàâøèõ-
ñÿ â ðåçóëüòàòå âçàèìîäåéñòâèÿ èîíîâ àðãîíà ñ ïî-
âåðõíîñòüþ îáðàçöà. Ñîãëàñíî [4], ìåæäîóçåëüíûå
àòîìû, äèôôóíäèðóÿ â ãëóáü ïîëóïðîâîäíèêà è çà-
ìåùàÿ ÷àñòü àòîìîâ áîðà, ðàñïîëîæåííûõ â ðåøåòêå
(ìåõàíèçì «kick-out»), ïåðåâîäÿò èõ â ýëåêòðè÷åñêè
íåàêòèâíîå ñîñòîÿíèå. Êàê ñëåäñòâèå, ïàäåíèå êîí-
öåíòðàöèè ñâîáîäíûõ äûðîê ìàêñèìàëüíî íà ïîâåðõ-
íîñòè è ïîñòåïåííî ñíèæàåòñÿ ïî ìåðå óäàëåíèÿ â
ãëóáü ïîëóïðîâîäíèêà (îò ãðàíèöû âçàèìîäåéñòâèÿ
èîíîâ àðãîíà ñ êðåìíèåì).
Äëÿ îöåíêè âîçìîæíîãî âëèÿíèÿ ïðèìåñíîãî ôàê-
òîðà íà èçìåíåíèå êîíöåíòðàöèè ñâîáîäíûõ íîñèòå-
ëåé çàðÿäà ïîñëå èîííîãî òðàâëåíèÿ áûë ïðîâåäåí
ëîêàëüíûé ðåíòãåíîñïåêòðàëüíûé ìèêðîàíàëèç ýëå-
ìåíòíîãî ñîñòàâà íà ó÷àñòêàõ êðåìíèÿ ïîñëå òðàâëå-
íèÿ. Â ïðåäåëàõ ÷óâñòâèòåëüíîñòè ìåòîäà (0,2%) ñëå-
äîâ ïðèìåñåé, îáóñëîâëåííûõ ìàòåðèàëàìè ìàñêè è
ýëåìåíòîâ êîíñòðóêöèè èîííîãî èñòî÷íèêà, îáíàðó-
æåíî íå áûëî.
Íåîáõîäèìî îòìåòèòü, ÷òî èñïîëüçîâàííûå ðåæè-
ìû èîííîãî òðàâëåíèÿ õàðàêòåðèçîâàëèñü äîñòàòî÷-
íî ðàâíîìåðíûì óäàëåíèåì ñëîÿ ìàòåðèàëà. Òàê, ìå-
òîäîì ìèêðîïðîôèëîìåòðèè îïðåäåëåíî, ÷òî ïðè äëè-
íå ñêàíèðîâàíèÿ 200 ìêì âî âñåì èçó÷åííîì äèàïà-
çîíå ãëóáèíû òðàâëåíèÿ ìèêðîøåðîõîâàòîñòü ïîâåðõ-
íîñòè â ñðåäíåì ñîñòàâëÿëà 20�50 Å, ìàëî îòëè÷à-
ÿñü îò çíà÷åíèé äàííîãî ïàðàìåòðà íà èñõîäíîé ïî-
ëèðîâàííîé ïîâåðõíîñòè (15�30 Å). Ýòè äàííûå ïî-
ëó÷åíû ïðè äèàìåòðå çàêðóãëåíèÿ îñòðèÿ ìèêðîçîí-
äà ïîðÿäêà 1 ìêì è ïîçâîëÿþò îöåíèòü òîëüêî òå íå-
îäíîðîäíîñòè, ìèíèìàëüíûå ëèíåéíûå ðàçìåðû êî-
òîðûõ ïî ëèíèè ñêàíèðîâàíèÿ ñîñòàâëÿþò äåñÿòûå
äîëè ìèêðîíà. Áîëåå òî÷íûå èññëåäîâàíèÿ ðåëüåôà
ïîâåðõíîñòè òðåáóþò ïðèìåíåíèÿ ìåòîäîâ àòîìíîé ñè-
ëîâîé ìèêðîñêîïèè.
***
Äàííûå, ïîëó÷åííûå â ðàáîòå, ñâèäåòåëüñòâóþò î
âîçìîæíîñòè öåëåíàïðàâëåííîãî èçìåíåíèÿ êîíöåí-
òðàöèè ñâîáîäíûõ íîñèòåëåé çàðÿäà íà ïîâåðõíîñòè
êðåìíèÿ ð-òèïà ïóòåì ïðåöèçèîííîãî òðàâëåíèÿ íèç-
êîýíåðãåòè÷åñêèìè èîíàìè àðãîíà. Âîçðàñòàíèå ôî-
òî÷óâñòâèòåëüíîñòè äèîäîâ Øîòòêè íà èîííî-òðàâëåí-
íîé ïîâåðõíîñòè êðåìíèÿ ïîçâîëÿåò ðàññìàòðèâàòü
äàííûé ìåòîä êàê îäèí èç âîçìîæíûõ ïóòåé ñîâåð-
øåíñòâîâàíèÿ îïòîýëåêòðîííûõ ñâîéñòâ êðåìíèÿ, ÿâ-
ëÿþùåãîñÿ áàçîâûì ìàòåðèàëîì ìèêðîýëåêòðîíèêè.
ÈÑÏÎËÜÇÎÂÀÍÍÛÅ ÈÑÒÎ×ÍÈÊÈ
1. Kim J. C., Ji J.-Y., Kline J. R., Tucker J. R., Shen T.-C.
Preparation of atomically clean and flat Si (100) surfaces by low-
energy ion sputtering and low-temperature annealing //Applied Surface
Science.� 2003.� Vol. 220.� P. 293�297.
2. Áåðò Í. À., Ñîøíèêîâ È. Ï. Ðàñïûëåíèå ïîëóïðîâîäíèêî-
âûõ ìèøåíåé AlõGa1�õAs Ar+ èîíàìè ñ ýíåðãèåé 2�14 êýÂ //
ÆÒÔ.� 1997.� Ò. 67.� Ñ. 113�117.
3. Valbusa U., Boragno C., Buatier de Mongeot F. Nanostructuring
surfaces by ion sputtering // J. Phys.: Condens. Matter.� 2002.�
Vol. 14.� P. 8153�8175.
4. Buzynin A. N, Luk�yanov A. E, Osiko V. V., Voronkov V. V.
Non-equilibrium impurity redistribution in Si // Nucl. Instr. and Methods
in Phys. Res. B.� 2002.� Vol. Â 186.� P. 366�370.
5. Ïðàêòè÷åñêàÿ ðàñòðîâàÿ ýëåêòðîííàÿ ìèêðîñêîïèÿ / Ïîä
ðåä. Ä. Ãîóëäñòåéíà è Õ. ßêîâèöà.� Ì.: Ìèð, 1977.
6. Äåíèñþê Â. À., Ïîïîâ Â. Ì. Ëîêàëèçàöèÿ ðåêîìáèíàöèîí-
íî-àêòèâíûõ ïðèïîâåðõíîñòíûõ äåôåêòîâ â ïîëóïðîâîäíèêå
ÌÄÏ-ñòðóêòóð ïðè ïîìîùè ðàñòðîâîãî ýëåêòðîííîãî ìèêðî-
ñêîïà // Ðàäèîòåõíèêà è ýëåêòðîíèêà.� 1982.� Ò. 27.� ¹ 7.�
Ñ. 1443�1445.
7. Popov V. M., Klimenko A. S., Pokanevich A. P. Investigation
of electrically active defects in Si-based semiconductor structures //
Material Science and Engineering B.� 2002.� Vol. B 91�92.�
P. 248�252.
8. Martinuzzia S., Palaisa O., Ostapenko S. Scanning techniques
applied to the characterization of P and N type multicrystalline
silicon // Materials Science in Semiconductor Processing.� 2006.�
Vol. 9.� P. 230�235.
9. Ðåéâè Ê. Äåôåêòû è ïðèìåñè â ïîëóïðîâîäíèêîâîì êðåì-
íèè.� Ì.: Ìèð, 1984.
|
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-52098 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 2225-5818 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-11-25T21:00:26Z |
| publishDate | 2009 |
| publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Попов, В.М. Шустов, Ю.М. Клименко, А.С. Поканевич, А.П. 2013-12-28T00:16:13Z 2013-12-28T00:16:13Z 2009 Влияние облучения кремния низкоэнергетическими ионами аргона на образование в нем электрически активных дефектов / В.М. Попов, Ю.М. Шустов, А.С. Клименко, А.П. Поканевич // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2009. — № 4. — С. 48-51. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. 2225-5818 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52098 Показано, что травление кремния ионами с низкой энергией является эффективным средством целенаправленной модификации электрофизических свойств его поверхности. Досліджено вплив травлення кремнію р-типу іонами аргону з енергією 3,6 кеВ на утворення електрично активних дефектів (ЕАД) в приповерхневому шарі напівпровідника. Фоточутливість діодів Шотки, що сформовані на іонно-травленій поверхні, зростає, досягаючи максимальних значень в області ЕАД. Показано, що таке травлення кремнію є ефективним засобом модифікації електрофізичних властивостей його поверхні. The article displays the results of investigation of influence of low energy (3-6 keV) argon ion etching of p-type silicon on electrically active defects (EAD) formation. The photosensitivity of Schottky diodes on etched silicon surface is increased, reaching maximum values in sites of EAD. The etching of silicon by lowenergy ions was shown to be an effective tool for task - oriented modification of electrophysical properties of semiconductor surface. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Материалы электроники Влияние облучения кремния низкоэнергетическими ионами аргона на образование в нем электрически активных дефектов Вплив опромінення кремнію низькоенергетичними іонами аргону на утворення у ньому електрично активних дефектів The influence of low energy argon ion irradiation on generation of electrically active defects in silicon Article published earlier |
| spellingShingle | Влияние облучения кремния низкоэнергетическими ионами аргона на образование в нем электрически активных дефектов Попов, В.М. Шустов, Ю.М. Клименко, А.С. Поканевич, А.П. Материалы электроники |
| title | Влияние облучения кремния низкоэнергетическими ионами аргона на образование в нем электрически активных дефектов |
| title_alt | Вплив опромінення кремнію низькоенергетичними іонами аргону на утворення у ньому електрично активних дефектів The influence of low energy argon ion irradiation on generation of electrically active defects in silicon |
| title_full | Влияние облучения кремния низкоэнергетическими ионами аргона на образование в нем электрически активных дефектов |
| title_fullStr | Влияние облучения кремния низкоэнергетическими ионами аргона на образование в нем электрически активных дефектов |
| title_full_unstemmed | Влияние облучения кремния низкоэнергетическими ионами аргона на образование в нем электрически активных дефектов |
| title_short | Влияние облучения кремния низкоэнергетическими ионами аргона на образование в нем электрически активных дефектов |
| title_sort | влияние облучения кремния низкоэнергетическими ионами аргона на образование в нем электрически активных дефектов |
| topic | Материалы электроники |
| topic_facet | Материалы электроники |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52098 |
| work_keys_str_mv | AT popovvm vliânieoblučeniâkremniânizkoénergetičeskimiionamiargonanaobrazovanievnemélektričeskiaktivnyhdefektov AT šustovûm vliânieoblučeniâkremniânizkoénergetičeskimiionamiargonanaobrazovanievnemélektričeskiaktivnyhdefektov AT klimenkoas vliânieoblučeniâkremniânizkoénergetičeskimiionamiargonanaobrazovanievnemélektričeskiaktivnyhdefektov AT pokanevičap vliânieoblučeniâkremniânizkoénergetičeskimiionamiargonanaobrazovanievnemélektričeskiaktivnyhdefektov AT popovvm vplivopromínennâkremníûnizʹkoenergetičnimiíonamiargonunautvorennâunʹomuelektričnoaktivnihdefektív AT šustovûm vplivopromínennâkremníûnizʹkoenergetičnimiíonamiargonunautvorennâunʹomuelektričnoaktivnihdefektív AT klimenkoas vplivopromínennâkremníûnizʹkoenergetičnimiíonamiargonunautvorennâunʹomuelektričnoaktivnihdefektív AT pokanevičap vplivopromínennâkremníûnizʹkoenergetičnimiíonamiargonunautvorennâunʹomuelektričnoaktivnihdefektív AT popovvm theinfluenceoflowenergyargonionirradiationongenerationofelectricallyactivedefectsinsilicon AT šustovûm theinfluenceoflowenergyargonionirradiationongenerationofelectricallyactivedefectsinsilicon AT klimenkoas theinfluenceoflowenergyargonionirradiationongenerationofelectricallyactivedefectsinsilicon AT pokanevičap theinfluenceoflowenergyargonionirradiationongenerationofelectricallyactivedefectsinsilicon |