Влияние облучения кремния низкоэнергетическими ионами аргона на образование в нем электрически активных дефектов

• Опубліковано в: : Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Дата: 2009
• Автори: Попов, В.М., Шустов, Ю.М., Клименко, А.С., Поканевич, А.П.
• Формат: Стаття
• Мова: Russian
• Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2009
• Теми: Материалы электроники
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52098
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Влияние облучения кремния низкоэнергетическими ионами аргона на образование в нем электрически активных дефектов / В.М. Попов, Ю.М. Шустов, А.С. Клименко, А.П. Поканевич // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2009. — № 4. — С. 48-51. — Бібліогр.: 9 назв. — рос.

Показано, что травление кремния ионами с низкой энергией является эффективным средством целенаправленной модификации электрофизических свойств его поверхности. Досліджено вплив травлення кремнію р-типу іонами аргону з енергією 3,6 кеВ на утворення електрично активних дефектів (ЕАД) в приповерхневому...