Каримов, А., Ёдгорова, Д., Гиясова, Ф., Зоирова, Л., Абдулхаев, О., & Джураев, Д. (2009). Модификация барьерной структуры на основе pAlGaInAs–nGaAs последовательно соединенными потенциальными барьерами. Технология и конструирование в электронной аппаратуре.
Chicago-Zitierstil (17. Ausg.)Каримов, А.В, Д.М Ёдгорова, Ф.А Гиясова, Л.Х Зоирова, О.А Абдулхаев, und Д.Р Джураев. "Модификация барьерной структуры на основе PAlGaInAs–nGaAs последовательно соединенными потенциальными барьерами." Технология и конструирование в электронной аппаратуре 2009.
MLA-Zitierstil (8. Ausg.)Каримов, А.В, et al. "Модификация барьерной структуры на основе PAlGaInAs–nGaAs последовательно соединенными потенциальными барьерами." Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2009.
Achtung: Diese Zitate sind unter Umständen nicht zu 100% korrekt.