Каримов, А., Ёдгорова, Д., Гиясова, Ф., Зоирова, Л., Абдулхаев, О., & Джураев, Д. (2009). Модификация барьерной структуры на основе pAlGaInAs–nGaAs последовательно соединенными потенциальными барьерами. Технология и конструирование в электронной аппаратуре.
Чикаго стиль цитування (17-те видання)Каримов, А.В, Д.М Ёдгорова, Ф.А Гиясова, Л.Х Зоирова, О.А Абдулхаев, та Д.Р Джураев. "Модификация барьерной структуры на основе PAlGaInAs–nGaAs последовательно соединенными потенциальными барьерами." Технология и конструирование в электронной аппаратуре 2009.
Стиль цитування MLA (8-ме видання)Каримов, А.В, et al. "Модификация барьерной структуры на основе PAlGaInAs–nGaAs последовательно соединенными потенциальными барьерами." Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2009.
Попередження: стилі цитування не завжди правильні на всі 100%.