Модификация барьерной структуры на основе pAlGaInAs–nGaAs последовательно соединенными потенциальными барьерами

• Published in: Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Date: 2009
• Main Authors: Каримов, А.В., Ёдгорова, Д.М., Гиясова, Ф.А., Зоирова, Л.Х., Абдулхаев, О.А., Джураев, Д.Р.
• Format: Article
• Language: Russian
• Published: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2009
• Subjects: Материалы электроники
• Online Access: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52099
• Journal Title: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Cite this: Модификация барьерной структуры на основе pAlGaInAs–nGaAs последовательно соединенными потенциальными барьерами / А.В. Каримов, Д.М. Ёдгорова, Ф.А. Гиясова, Л.Х. Зоирова, О.А. Абдулхаев, Д.Р. Джураев // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2009. — № 4. — С. 52-58. — Бібліогр.: 15 назв. — рос.

Исследовано влияние последовательно соединенных потенциальных барьеров на физические процессы, протекающие в гетеропереходе на примере одно- и многобарьерных структур. В результате модификации увеличивается фоточувствительность приемника и расширяется его спектральный диапазон. Досліджено вплив послідовно з'єднанних потенційних бар'єрів на фізичні процеси, що протікають в p-n-гетеропереході на прикладі одно- і багатобар'єрних структур. Показано, що модифікація гетеропереходу шляхом створення послідовно з'єднанного бар'єру до підкладки і до гетерошару призводять до переводу пасивної паразитної частини підкладки в категорію активної і до її модуляції з двох сторін, а сформований до гетерошару третій бар'єр виключає інжекцію носіїв в базову область і істотно зменшує ємність структури. There have been researched how the consistently connected potential barriers influence on physical processes running in p-n-heterojunction on an example of one- and multibarrier structures. It is shown, that updating of the heterojunction by creation of the consistently connected barrier to a substrate and to heterolayer result in convertion of a passive parasitic part of a substrate to the active category and its modulation from the two-parties. The third barrier generated to heterolayer excludes the injection of carriers to the base area and essentially reduces capacity of structure.