Модификация барьерной структуры на основе pAlGaInAs–nGaAs последовательно соединенными потенциальными барьерами
Исследовано влияние последовательно соединенных потенциальных барьеров на физические процессы, протекающие в гетеропереходе на примере одно- и многобарьерных структур. В результате модификации увеличивается фоточувствительность приемника и расширяется его спектральный диапазон. Досліджено вплив посл...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Дата: | 2009 |
| Автори: | , , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2009
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52099 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Модификация барьерной структуры на основе pAlGaInAs–nGaAs последовательно соединенными потенциальными барьерами / А.В. Каримов, Д.М. Ёдгорова, Ф.А. Гиясова, Л.Х. Зоирова, О.А. Абдулхаев, Д.Р. Джураев // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2009. — № 4. — С. 52-58. — Бібліогр.: 15 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-52099 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Каримов, А.В. Ёдгорова, Д.М. Гиясова, Ф.А. Зоирова, Л.Х. Абдулхаев, О.А. Джураев, Д.Р. 2013-12-28T00:20:50Z 2013-12-28T00:20:50Z 2009 Модификация барьерной структуры на основе pAlGaInAs–nGaAs последовательно соединенными потенциальными барьерами / А.В. Каримов, Д.М. Ёдгорова, Ф.А. Гиясова, Л.Х. Зоирова, О.А. Абдулхаев, Д.Р. Джураев // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2009. — № 4. — С. 52-58. — Бібліогр.: 15 назв. — рос. 2225-5818 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52099 Материалы электроники Исследовано влияние последовательно соединенных потенциальных барьеров на физические процессы, протекающие в гетеропереходе на примере одно- и многобарьерных структур. В результате модификации увеличивается фоточувствительность приемника и расширяется его спектральный диапазон. Досліджено вплив послідовно з'єднанних потенційних бар'єрів на фізичні процеси, що протікають в p-n-гетеропереході на прикладі одно- і багатобар'єрних структур. Показано, що модифікація гетеропереходу шляхом створення послідовно з'єднанного бар'єру до підкладки і до гетерошару призводять до переводу пасивної паразитної частини підкладки в категорію активної і до її модуляції з двох сторін, а сформований до гетерошару третій бар'єр виключає інжекцію носіїв в базову область і істотно зменшує ємність структури. There have been researched how the consistently connected potential barriers influence on physical processes running in p-n-heterojunction on an example of one- and multibarrier structures. It is shown, that updating of the heterojunction by creation of the consistently connected barrier to a substrate and to heterolayer result in convertion of a passive parasitic part of a substrate to the active category and its modulation from the two-parties. The third barrier generated to heterolayer excludes the injection of carriers to the base area and essentially reduces capacity of structure. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Материалы электроники Модификация барьерной структуры на основе pAlGaInAs–nGaAs последовательно соединенными потенциальными барьерами Модифікація бар'єрної структури на основі pAlGaInAs–nGaAs послідовно з'єднанними потенційними бар'єрами Modification of barrier structure on the basis of pAlGaInAs–nGaAs by consecutively connected potential barriers Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Модификация барьерной структуры на основе pAlGaInAs–nGaAs последовательно соединенными потенциальными барьерами |
| spellingShingle |
Модификация барьерной структуры на основе pAlGaInAs–nGaAs последовательно соединенными потенциальными барьерами Каримов, А.В. Ёдгорова, Д.М. Гиясова, Ф.А. Зоирова, Л.Х. Абдулхаев, О.А. Джураев, Д.Р. Материалы электроники |
| title_short |
Модификация барьерной структуры на основе pAlGaInAs–nGaAs последовательно соединенными потенциальными барьерами |
| title_full |
Модификация барьерной структуры на основе pAlGaInAs–nGaAs последовательно соединенными потенциальными барьерами |
| title_fullStr |
Модификация барьерной структуры на основе pAlGaInAs–nGaAs последовательно соединенными потенциальными барьерами |
| title_full_unstemmed |
Модификация барьерной структуры на основе pAlGaInAs–nGaAs последовательно соединенными потенциальными барьерами |
| title_sort |
модификация барьерной структуры на основе palgainas–ngaas последовательно соединенными потенциальными барьерами |
| author |
Каримов, А.В. Ёдгорова, Д.М. Гиясова, Ф.А. Зоирова, Л.Х. Абдулхаев, О.А. Джураев, Д.Р. |
| author_facet |
Каримов, А.В. Ёдгорова, Д.М. Гиясова, Ф.А. Зоирова, Л.Х. Абдулхаев, О.А. Джураев, Д.Р. |
| topic |
Материалы электроники |
| topic_facet |
Материалы электроники |
| publishDate |
2009 |
| language |
Russian |
| container_title |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| format |
Article |
| title_alt |
Модифікація бар'єрної структури на основі pAlGaInAs–nGaAs послідовно з'єднанними потенційними бар'єрами Modification of barrier structure on the basis of pAlGaInAs–nGaAs by consecutively connected potential barriers |
| description |
Исследовано влияние последовательно соединенных потенциальных барьеров на физические процессы, протекающие в гетеропереходе на примере одно- и многобарьерных структур. В результате модификации увеличивается фоточувствительность приемника и расширяется его спектральный диапазон.
Досліджено вплив послідовно з'єднанних потенційних бар'єрів на фізичні процеси, що протікають в p-n-гетеропереході на прикладі одно- і багатобар'єрних структур. Показано, що модифікація гетеропереходу шляхом створення послідовно з'єднанного бар'єру до підкладки і до гетерошару призводять до переводу пасивної паразитної частини підкладки в категорію активної і до її модуляції з двох сторін, а сформований до гетерошару третій бар'єр виключає інжекцію носіїв в базову область і істотно зменшує ємність структури.
There have been researched how the consistently connected potential barriers influence on physical processes running in p-n-heterojunction on an example of one- and multibarrier structures. It is shown, that updating of the heterojunction by creation of the consistently connected barrier to a substrate and to heterolayer result in convertion of a passive parasitic part of a substrate to the active category and its modulation from the two-parties. The third barrier generated to heterolayer excludes the injection of carriers to the base area and essentially reduces capacity of structure.
|
| issn |
2225-5818 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52099 |
| citation_txt |
Модификация барьерной структуры на основе pAlGaInAs–nGaAs последовательно соединенными потенциальными барьерами / А.В. Каримов, Д.М. Ёдгорова, Ф.А. Гиясова, Л.Х. Зоирова, О.А. Абдулхаев, Д.Р. Джураев // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2009. — № 4. — С. 52-58. — Бібліогр.: 15 назв. — рос. |
| work_keys_str_mv |
AT karimovav modifikaciâbarʹernoistrukturynaosnovepalgainasngaasposledovatelʹnosoedinennymipotencialʹnymibarʹerami AT edgorovadm modifikaciâbarʹernoistrukturynaosnovepalgainasngaasposledovatelʹnosoedinennymipotencialʹnymibarʹerami AT giâsovafa modifikaciâbarʹernoistrukturynaosnovepalgainasngaasposledovatelʹnosoedinennymipotencialʹnymibarʹerami AT zoirovalh modifikaciâbarʹernoistrukturynaosnovepalgainasngaasposledovatelʹnosoedinennymipotencialʹnymibarʹerami AT abdulhaevoa modifikaciâbarʹernoistrukturynaosnovepalgainasngaasposledovatelʹnosoedinennymipotencialʹnymibarʹerami AT džuraevdr modifikaciâbarʹernoistrukturynaosnovepalgainasngaasposledovatelʹnosoedinennymipotencialʹnymibarʹerami AT karimovav modifíkacíâbarêrnoístrukturinaosnovípalgainasngaasposlídovnozêdnannimipotencíinimibarêrami AT edgorovadm modifíkacíâbarêrnoístrukturinaosnovípalgainasngaasposlídovnozêdnannimipotencíinimibarêrami AT giâsovafa modifíkacíâbarêrnoístrukturinaosnovípalgainasngaasposlídovnozêdnannimipotencíinimibarêrami AT zoirovalh modifíkacíâbarêrnoístrukturinaosnovípalgainasngaasposlídovnozêdnannimipotencíinimibarêrami AT abdulhaevoa modifíkacíâbarêrnoístrukturinaosnovípalgainasngaasposlídovnozêdnannimipotencíinimibarêrami AT džuraevdr modifíkacíâbarêrnoístrukturinaosnovípalgainasngaasposlídovnozêdnannimipotencíinimibarêrami AT karimovav modificationofbarrierstructureonthebasisofpalgainasngaasbyconsecutivelyconnectedpotentialbarriers AT edgorovadm modificationofbarrierstructureonthebasisofpalgainasngaasbyconsecutivelyconnectedpotentialbarriers AT giâsovafa modificationofbarrierstructureonthebasisofpalgainasngaasbyconsecutivelyconnectedpotentialbarriers AT zoirovalh modificationofbarrierstructureonthebasisofpalgainasngaasbyconsecutivelyconnectedpotentialbarriers AT abdulhaevoa modificationofbarrierstructureonthebasisofpalgainasngaasbyconsecutivelyconnectedpotentialbarriers AT džuraevdr modificationofbarrierstructureonthebasisofpalgainasngaasbyconsecutivelyconnectedpotentialbarriers |
| first_indexed |
2025-11-28T04:36:09Z |
| last_indexed |
2025-11-28T04:36:09Z |
| _version_ |
1850853355118657536 |