Buchumschlag

Модификация барьерной структуры на основе pAlGaInAs–nGaAs последовательно соединенными потенциальными барьерами

Исследовано влияние последовательно соединенных потенциальных барьеров на физические процессы, протекающие в гетеропереходе на примере одно- и многобарьерных структур. В результате модификации увеличивается фоточувствительность приемника и расширяется его спектральный диапазон. Досліджено вплив посл...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Datum:2009
Hauptverfasser: Каримов, А.В., Ёдгорова, Д.М., Гиясова, Ф.А., Зоирова, Л.Х., Абдулхаев, О.А., Джураев, Д.Р.
Format: Artikel
Sprache:Russisch
Veröffentlicht: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2009
Schlagworte:
Материалы электроники
Online Zugang:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52099
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Модификация барьерной структуры на основе pAlGaInAs–nGaAs последовательно соединенными потенциальными барьерами / А.В. Каримов, Д.М. Ёдгорова, Ф.А. Гиясова, Л.Х. Зоирова, О.А. Абдулхаев, Д.Р. Джураев // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2009. — № 4. — С. 52-58. — Бібліогр.: 15 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Ähnliche Einträge

Ähnliche Einträge