Buchumschlag

Индуктивность, перестраиваемая электрическим полем

Показана возможность создания миниатюрного пассивного индуктивного элемента, перестраиваемого под воздействием электрического поля. Даны рекомендации по практическому применению индуктивных элементов предлагаемой конструкции. Показана можливість створення мініатюрного пасивного індуктивного елементу...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Datum:	2009
Hauptverfasser:	Семёнов, А.А., Усанов, Д.А.
Format:	Artikel
Sprache:	Russisch
Veröffentlicht:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2009
Schlagworte:	Новые компоненты для электронной аппаратуры
Online Zugang:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52303
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:	Индуктивность, перестраиваемая электрическим полем / А.А. Семёнов, Д.А. Усанов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2009. — № 5. — С. 3-6. — Бібліогр.: 10 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Ähnliche Einträge

Перестраиваемая линия задержки сигнала СВЧ-диапазона на основе сегнетоэлектрических и алмазных пленок
von: Афанасьев, М.С., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Индуктивность, перестраиваемая электрическим полем
von: Semenov, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Массивы нанопроводов из антимонида индия для перспективных термоэлектрических устройств
von: Горох, Г.Г., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Алмазные многоэлементные фотоприемные устройства УФ-диапазона
von: Алтухов, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Матричные кремниевые микрокатоды для автоэмиссионных дисплеев
von: Дружинин, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Конденсаторы на основе интеркалата GaSe <KNO₃>
von: Ковалюк, З.Д., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Первичные источники тока Li/Cu₄Bi₅S₁₀
von: Дудяк, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Реальная и предельная чувствительность некоторых приемников излучения ТГц/суб-ТГц-диапазонов
von: Шевчик-Шекера, А.В.
Veröffentlicht: (2012)

Малогабаритные высокоинформативные холестерические дисплеи с памятью
von: Сорокин, В.М., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Органические светоизлучающие структуры — технологии XXI века
von: Сорокин, В.М., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Диоды Ганна из InP с катодным контактом, инжектирующим горячие электроны. Часть 1. Межфазные взаимодействия в катодных контактах
von: Болтовец, Н.С., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Фотоконденсатор на основе нанокомпозита n-InSe<RbNO₃>
von: Нетяга, В.В., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Дискретные фотоприемники средневолнового ИК-диапазона спектра на основе HgCdTe
von: Цибрий, З.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2017)

Моделирование электротоковых микрореле
von: Мухуров, Н.И., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Термоэлектрические микрогенераторы. Современное состояние и перспективы использования
von: Струтинская, Л.Т.
Veröffentlicht: (2008)

Термоэлектрические преобразователи электрических и оптических сигналов — новый класс термоэлектрических устройств
von: Шер, Э.М.
Veröffentlicht: (2008)

Ohmic contacts to InN-based materials
von: Sai, P.O.
Veröffentlicht: (2016)

Deformation-induced effects in indium antimonide microstructures at cryogenic temperatures for sensor applications
von: Druzhinin, A.O., et al.
Veröffentlicht: (2019)

Electrical connectors for surface solderless mounting
von: Yefimenko, A.A.
Veröffentlicht: (2012)

Sensitive element of multifunctional sensor for measuring temperature, strain and magnetic field induction
von: Druzhinin, A.A., et al.
Veröffentlicht: (2017)

Полупроводниковые матричные оптические модуляторы
von: Курмашов, Ш.Д., et al.
Veröffentlicht: (1999)

Воздействие электрического и магнитного полей на параметры полупроводниковых приборов
von: Ащеулов, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2000)

Координатно-чувствительный анизотропный датчик лазерного излучения
von: Ащеулов, А.А., et al.
Veröffentlicht: (1998)

Метод "прозрачной стенки'' для контроля лучистых потоков различной мощности
von: Ащеулов, А.А., et al.
Veröffentlicht: (1999)

Особенности технологии изготовления анизотропных термоэлектрических модулей
von: Ащеулов, А.А., et al.
Veröffentlicht: (1998)

Оптимизация надежности кремниевых p-i-n-фотодиодов по темновому току
von: Ащеулов, А.А., et al.
Veröffentlicht: (1999)

Варикап на основе сверхрезкого p—n-перехода
von: Головяшкин, А.Н., et al.
Veröffentlicht: (2001)

Контактные системы на основе тугоплавких металлов в диодах миллиметрового диапазона
von: Болтовец, Н.С., et al.
Veröffentlicht: (1999)

Влияние радиационного облучения на характеристики солнечных элементов из поликристаллического кремния
von: Завадский, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2001)

Функционально интегрированный магнитометрический преобразователь
von: Большакова, И.А., et al.
Veröffentlicht: (2000)

Кремниевые p–n-фотодиоды для ближней ультрафиолетовой области спектра
von: Добровольский, Ю.Г., et al.
Veröffentlicht: (2001)

Метод компенсации действия радиации на магнитоуправляемые микросхемы
von: Викулина, Л.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2001)

Миниатюрные полупроводниковые преобразователи для измерения импульсных давлений
von: Байцар, Р.И., et al.
Veröffentlicht: (1998)

Новые подложки для алмазоподобных пленочных элементов электроники
von: Завьялов, С.В.
Veröffentlicht: (2000)

Схемное решение термостабилизации выходного сигнала полупроводниковых датчиков
von: Викулина, Л.Ф.
Veröffentlicht: (1998)

Магниточувствительные транзисторы
von: Викулина, Л.Ф.
Veröffentlicht: (1998)

Магнитоуправляемый переключатель
von: Викулина, Л.Ф.
Veröffentlicht: (1999)

Классификационный анализ акустооптических устройств управления лазерным пучком
von: Данилов, В.В.
Veröffentlicht: (2000)

Газочувствительные и светочувствительные варикапы для датчиков
von: Негоденко, О.Н., et al.
Veröffentlicht: (2000)

Особенности построения полупроводниковых вибрационно-частотных сенсоров
von: Байцар, Р.И., et al.
Veröffentlicht: (1998)