Гибридный автодинный сенсор магнитного резонанса

Разработан автодинный сенсор, который позволяет проводить наблюдения геликонного резонанса однокатушечным методом и получать сигналы ЭПР, определять кинетические характеристики полупроводниковых материалов бесконтактным методом на частотах ~500 МГц в температурном диапазоне 77-300 К. Приведено конст...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Published in:Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Date:2009
Main Authors: Браиловский, В.В., Верига, А.Д., Политанский, Л.Ф.
Format: Article
Language:Russian
Published: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2009
Subjects:
Online Access:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52304
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Cite this:Гибридный автодинный сенсор магнитного резонанса / В.В. Браиловский, А.Д. Верига, Л.Ф. Политанский // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2009. — № 5. — С. 7-10. — Бібліогр.: 17 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Description
Summary:Разработан автодинный сенсор, который позволяет проводить наблюдения геликонного резонанса однокатушечным методом и получать сигналы ЭПР, определять кинетические характеристики полупроводниковых материалов бесконтактным методом на частотах ~500 МГц в температурном диапазоне 77-300 К. Приведено конструкцію автодинного сенсора у вигляді вимірювальної комірки, який забезпечує спостереження однокатушковим методом геліконного резонансу і отримання сигналів ЕПР, визначення кінетичних характеристик напівпровідникових матеріалів безконтактним методом на частотах порядка 500 МГц в температурному діапазоні 77-300 К.· An autodyne sensor designed as a measuring cell is proposed in this paper. It provides observation of a helicon resonance using one-coil method and obtaining of electron spin resonance (ESR) signals. The developed sensor also allows to determine kinetic characteristics of semiconductors by contactless method at frequencies of ~500 MHz in the temperature range from 77 to 300 К.
ISSN:2225-5818