Гибридный автодинный сенсор магнитного резонанса
Разработан автодинный сенсор, который позволяет проводить наблюдения геликонного резонанса однокатушечным методом и получать сигналы ЭПР, определять кинетические характеристики полупроводниковых материалов бесконтактным методом на частотах ~500 МГц в температурном диапазоне 77-300 К. Приведено конст...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Дата: | 2009 |
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2009
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52304 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Гибридный автодинный сенсор магнитного резонанса / В.В. Браиловский, А.Д. Верига, Л.Ф. Политанский // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2009. — № 5. — С. 7-10. — Бібліогр.: 17 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| Резюме: | Разработан автодинный сенсор, который позволяет проводить наблюдения геликонного резонанса однокатушечным методом и получать сигналы ЭПР, определять кинетические характеристики полупроводниковых материалов бесконтактным методом на частотах ~500 МГц в температурном диапазоне 77-300 К.
Приведено конструкцію автодинного сенсора у вигляді вимірювальної комірки, який забезпечує спостереження однокатушковим методом геліконного резонансу і отримання сигналів ЕПР, визначення кінетичних характеристик напівпровідникових матеріалів безконтактним методом на частотах порядка 500 МГц в температурному діапазоні 77-300 К.·
An autodyne sensor designed as a measuring cell is proposed in this paper. It provides observation of a helicon resonance using one-coil method and obtaining of electron spin resonance (ESR) signals. The developed sensor also allows to determine kinetic characteristics of semiconductors by contactless method at frequencies of ~500 MHz in the temperature range from 77 to 300 К.
|
|---|---|
| ISSN: | 2225-5818 |