Разработка схемы и топологии элементов матрицы управляемых автоэмиссионных кремниевых микрокатодов

• Veröffentlicht in: Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Datum: 2009
• Hauptverfasser: Дружинин, А.А., Голота, В.И., Когут, И.Т., Ховерко, Ю.Н.
• Format: Artikel
• Sprache: Russisch
• Veröffentlicht: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2009
• Schlagworte: Функциональная микро- и наноэлектроника
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52308
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Разработка схемы и топологии элементов матрицы управляемых автоэмиссионных кремниевых микрокатодов / А.А. Дружинин, В.И. Голота, И.Т. Когут, Ю.Н. Ховерко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2009. — № 5. — С. 20-25. — Бібліогр.: 10 назв. — рос.

Разработаны приборные элементы на локальных трехмерных КНИ-структурах. Сравниваются расчетные и экспериментальные характеристики КНИ МОП-транзисторов. Спроектирована топология микрокатода, интегрированного со схемой управления. Показано приклади приладних елементів для мікросистемних застосувань, які сформовані на локальній тривимірній КНІ-структурі. Встановлено область застосування компактної EKV-моделі МОН-транзистора для розрахунку характеристик КНІ МОН-транзисторів. Порівнюються розрахункові і експериментальні вихідні характеристики КНІ МОН-транзистора, в якому підканальна область з.єднана із витоком. Розроблено схему керування кремнієвим мікрокатодом, яка забезпечує лінійну зміну автоемісійних струмів при фіксованій напрузі на електродах. Розроблено топологію мікрокатода, інтегрованого зі схемою керування, яку можна тиражувати в матриці великих розмірів.· Examples of device elements for microsystems, developed on local three-dimensional structure are shown. The application area of compact EKV models of the MOS transistor for calculation of SOI MOS-transistors characteristics has been established. The calculated and experimental output characteristics of the SOI MOS-transistor, in which the under channel area is connected to a source, have been compared. The control circuits of the silicon microcathode, providing linear change of field emission currents at the fixed voltage on electrodes have been developed. The layout of the microcathode, integrated with the control circuit, which can be multiplicated into large size matrixes have been designed.