Разработка схемы и топологии элементов матрицы управляемых автоэмиссионных кремниевых микрокатодов
Разработаны приборные элементы на локальных трехмерных КНИ-структурах. Сравниваются расчетные и экспериментальные характеристики КНИ МОП-транзисторов. Спроектирована топология микрокатода, интегрированного со схемой управления. Показано приклади приладних елементів для мікросистемних застосувань, як...
Saved in:
| Published in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Date: | 2009 |
| Main Authors: | , , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2009
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52308 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Разработка схемы и топологии элементов матрицы управляемых автоэмиссионных кремниевых микрокатодов / А.А. Дружинин, В.И. Голота, И.Т. Когут, Ю.Н. Ховерко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2009. — № 5. — С. 20-25. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-52308 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Дружинин, А.А. Голота, В.И. Когут, И.Т. Ховерко, Ю.Н. 2013-12-29T17:08:52Z 2013-12-29T17:08:52Z 2009 Разработка схемы и топологии элементов матрицы управляемых автоэмиссионных кремниевых микрокатодов / А.А. Дружинин, В.И. Голота, И.Т. Когут, Ю.Н. Ховерко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2009. — № 5. — С. 20-25. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. 2225-5818 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52308 Разработаны приборные элементы на локальных трехмерных КНИ-структурах. Сравниваются расчетные и экспериментальные характеристики КНИ МОП-транзисторов. Спроектирована топология микрокатода, интегрированного со схемой управления. Показано приклади приладних елементів для мікросистемних застосувань, які сформовані на локальній тривимірній КНІ-структурі. Встановлено область застосування компактної EKV-моделі МОН-транзистора для розрахунку характеристик КНІ МОН-транзисторів. Порівнюються розрахункові і експериментальні вихідні характеристики КНІ МОН-транзистора, в якому підканальна область з.єднана із витоком. Розроблено схему керування кремнієвим мікрокатодом, яка забезпечує лінійну зміну автоемісійних струмів при фіксованій напрузі на електродах. Розроблено топологію мікрокатода, інтегрованого зі схемою керування, яку можна тиражувати в матриці великих розмірів.· Examples of device elements for microsystems, developed on local three-dimensional structure are shown. The application area of compact EKV models of the MOS transistor for calculation of SOI MOS-transistors characteristics has been established. The calculated and experimental output characteristics of the SOI MOS-transistor, in which the under channel area is connected to a source, have been compared. The control circuits of the silicon microcathode, providing linear change of field emission currents at the fixed voltage on electrodes have been developed. The layout of the microcathode, integrated with the control circuit, which can be multiplicated into large size matrixes have been designed. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Функциональная микро- и наноэлектроника Разработка схемы и топологии элементов матрицы управляемых автоэмиссионных кремниевых микрокатодов Розробка схеми і топології елементів матриці керованих автоемісійних кремнієвих мікрокатодів Development of the circuit and layout of elements of an operated field emission silicon microcathodes matrix Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Разработка схемы и топологии элементов матрицы управляемых автоэмиссионных кремниевых микрокатодов |
| spellingShingle |
Разработка схемы и топологии элементов матрицы управляемых автоэмиссионных кремниевых микрокатодов Дружинин, А.А. Голота, В.И. Когут, И.Т. Ховерко, Ю.Н. Функциональная микро- и наноэлектроника |
| title_short |
Разработка схемы и топологии элементов матрицы управляемых автоэмиссионных кремниевых микрокатодов |
| title_full |
Разработка схемы и топологии элементов матрицы управляемых автоэмиссионных кремниевых микрокатодов |
| title_fullStr |
Разработка схемы и топологии элементов матрицы управляемых автоэмиссионных кремниевых микрокатодов |
| title_full_unstemmed |
Разработка схемы и топологии элементов матрицы управляемых автоэмиссионных кремниевых микрокатодов |
| title_sort |
разработка схемы и топологии элементов матрицы управляемых автоэмиссионных кремниевых микрокатодов |
| author |
Дружинин, А.А. Голота, В.И. Когут, И.Т. Ховерко, Ю.Н. |
| author_facet |
Дружинин, А.А. Голота, В.И. Когут, И.Т. Ховерко, Ю.Н. |
| topic |
Функциональная микро- и наноэлектроника |
| topic_facet |
Функциональная микро- и наноэлектроника |
| publishDate |
2009 |
| language |
Russian |
| container_title |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| format |
Article |
| title_alt |
Розробка схеми і топології елементів матриці керованих автоемісійних кремнієвих мікрокатодів Development of the circuit and layout of elements of an operated field emission silicon microcathodes matrix |
| description |
Разработаны приборные элементы на локальных трехмерных КНИ-структурах. Сравниваются расчетные и экспериментальные характеристики КНИ МОП-транзисторов. Спроектирована топология микрокатода, интегрированного со схемой управления.
Показано приклади приладних елементів для мікросистемних застосувань, які сформовані на локальній тривимірній КНІ-структурі. Встановлено область застосування компактної EKV-моделі МОН-транзистора для розрахунку характеристик КНІ МОН-транзисторів. Порівнюються розрахункові і експериментальні вихідні характеристики КНІ МОН-транзистора, в якому підканальна область з.єднана із витоком. Розроблено схему керування кремнієвим мікрокатодом, яка забезпечує лінійну зміну автоемісійних струмів при фіксованій напрузі на електродах. Розроблено топологію мікрокатода, інтегрованого зі схемою керування, яку можна тиражувати в матриці великих розмірів.·
Examples of device elements for microsystems, developed on local three-dimensional structure are shown. The application area of compact EKV models of the MOS transistor for calculation of SOI MOS-transistors characteristics has been established. The calculated and experimental output characteristics of the SOI MOS-transistor, in which the under channel area is connected to a source, have been compared. The control circuits of the silicon microcathode, providing linear change of field emission currents at the fixed voltage on electrodes have been developed. The layout of the microcathode, integrated with the control circuit, which can be multiplicated into large size matrixes have been designed.
|
| issn |
2225-5818 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52308 |
| citation_txt |
Разработка схемы и топологии элементов матрицы управляемых автоэмиссионных кремниевых микрокатодов / А.А. Дружинин, В.И. Голота, И.Т. Когут, Ю.Н. Ховерко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2009. — № 5. — С. 20-25. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. |
| work_keys_str_mv |
AT družininaa razrabotkashemyitopologiiélementovmatricyupravlâemyhavtoémissionnyhkremnievyhmikrokatodov AT golotavi razrabotkashemyitopologiiélementovmatricyupravlâemyhavtoémissionnyhkremnievyhmikrokatodov AT kogutit razrabotkashemyitopologiiélementovmatricyupravlâemyhavtoémissionnyhkremnievyhmikrokatodov AT hoverkoûn razrabotkashemyitopologiiélementovmatricyupravlâemyhavtoémissionnyhkremnievyhmikrokatodov AT družininaa rozrobkashemiítopologííelementívmatricíkerovanihavtoemísíinihkremníêvihmíkrokatodív AT golotavi rozrobkashemiítopologííelementívmatricíkerovanihavtoemísíinihkremníêvihmíkrokatodív AT kogutit rozrobkashemiítopologííelementívmatricíkerovanihavtoemísíinihkremníêvihmíkrokatodív AT hoverkoûn rozrobkashemiítopologííelementívmatricíkerovanihavtoemísíinihkremníêvihmíkrokatodív AT družininaa developmentofthecircuitandlayoutofelementsofanoperatedfieldemissionsiliconmicrocathodesmatrix AT golotavi developmentofthecircuitandlayoutofelementsofanoperatedfieldemissionsiliconmicrocathodesmatrix AT kogutit developmentofthecircuitandlayoutofelementsofanoperatedfieldemissionsiliconmicrocathodesmatrix AT hoverkoûn developmentofthecircuitandlayoutofelementsofanoperatedfieldemissionsiliconmicrocathodesmatrix |
| first_indexed |
2025-12-07T21:18:17Z |
| last_indexed |
2025-12-07T21:18:17Z |
| _version_ |
1850885850292813824 |