Фотоприемники ультрафиолетового излучения на основе тонких пленок ZnS

Фотоприемники ультрафиолетового излучения на основе тонких пленок ZnS

Исследовалась чувствительность тонкопленочных фотоприемников на основе ZnS в ультрафиолетовой и видимой области спектра при низких уровнях облучения. Показано, что оптимизацией толщины переходного слоя (ZnS)х·(CdSe)1-х можно значительно уменьшить длинноволновую чувствительность.· Отримано високоефек...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Datum:2009
Hauptverfasser: Бобренко, Ю.Н., Ярошенко, Н.В., Шереметова, Г.И., Семикина, Т.В., Атдаев, Б.С.
Format: Artikel
Sprache:Russian
Veröffentlicht: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2009
Schlagworte:
Функциональная микро- и наноэлектроника
Online Zugang:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52310
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Фотоприемники ультрафиолетового излучения на основе тонких пленок ZnS / Ю.Н. Бобренко, Н.В. Ярошенко, Г.И. Шереметова, Т.В. Семикина, Б.С. Атдаев // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2009. — № 5. — С. 29-31. — Бібліогр.: 3 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-52310
record_format dspace
spelling Бобренко, Ю.Н.
Ярошенко, Н.В.
Шереметова, Г.И.
Семикина, Т.В.
Атдаев, Б.С.
2013-12-29T17:16:22Z
2013-12-29T17:16:22Z
2009
Фотоприемники ультрафиолетового излучения на основе тонких пленок ZnS / Ю.Н. Бобренко, Н.В. Ярошенко, Г.И. Шереметова, Т.В. Семикина, Б.С. Атдаев // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2009. — № 5. — С. 29-31. — Бібліогр.: 3 назв. — рос.
2225-5818
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52310
Исследовалась чувствительность тонкопленочных фотоприемников на основе ZnS в ультрафиолетовой и видимой области спектра при низких уровнях облучения. Показано, что оптимизацией толщины переходного слоя (ZnS)х·(CdSe)1-х можно значительно уменьшить длинноволновую чувствительность.·
Отримано високоефективні фотодіоди на основі гетеропереходу р-Cu1,8S/п-ZnS/(ZnS)х(CdSe)1-х/CdSe/Mo з ва·рійованою товщиною внутрішнього перехідного шару. Показано, що ефективним методом зниження чутливості за межою УФ-області є граничне зменшення товщини варизонного шару.
High efficient photodiodes on the base of p-Cu1,8S/ï-ZnS/(ZnS)x(CdSe)1-x/CdSe/Mo-structure with variband interlayer were fabricated. Optimization of this layer thickness was shown to be efficient method of reduction of photosensitivity behind UV region while preserving one in UV region.
ru
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Функциональная микро- и наноэлектроника
Фотоприемники ультрафиолетового излучения на основе тонких пленок ZnS
Фотоприймачи ультрафіолетового випромінювання на основі тонких плівок ZnS
Ultraviolet photosensors based on ZnS thin films
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title Фотоприемники ультрафиолетового излучения на основе тонких пленок ZnS
spellingShingle Фотоприемники ультрафиолетового излучения на основе тонких пленок ZnS
Бобренко, Ю.Н.
Ярошенко, Н.В.
Шереметова, Г.И.
Семикина, Т.В.
Атдаев, Б.С.
Функциональная микро- и наноэлектроника
title_short Фотоприемники ультрафиолетового излучения на основе тонких пленок ZnS
title_full Фотоприемники ультрафиолетового излучения на основе тонких пленок ZnS
title_fullStr Фотоприемники ультрафиолетового излучения на основе тонких пленок ZnS
title_full_unstemmed Фотоприемники ультрафиолетового излучения на основе тонких пленок ZnS
title_sort фотоприемники ультрафиолетового излучения на основе тонких пленок zns
author Бобренко, Ю.Н.
Ярошенко, Н.В.
Шереметова, Г.И.
Семикина, Т.В.
Атдаев, Б.С.
author_facet Бобренко, Ю.Н.
Ярошенко, Н.В.
Шереметова, Г.И.
Семикина, Т.В.
Атдаев, Б.С.
topic Функциональная микро- и наноэлектроника
topic_facet Функциональная микро- и наноэлектроника
publishDate 2009
language Russian
container_title Технология и конструирование в электронной аппаратуре
publisher Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
format Article
title_alt Фотоприймачи ультрафіолетового випромінювання на основі тонких плівок ZnS
Ultraviolet photosensors based on ZnS thin films
description Исследовалась чувствительность тонкопленочных фотоприемников на основе ZnS в ультрафиолетовой и видимой области спектра при низких уровнях облучения. Показано, что оптимизацией толщины переходного слоя (ZnS)х·(CdSe)1-х можно значительно уменьшить длинноволновую чувствительность.· Отримано високоефективні фотодіоди на основі гетеропереходу р-Cu1,8S/п-ZnS/(ZnS)х(CdSe)1-х/CdSe/Mo з ва·рійованою товщиною внутрішнього перехідного шару. Показано, що ефективним методом зниження чутливості за межою УФ-області є граничне зменшення товщини варизонного шару. High efficient photodiodes on the base of p-Cu1,8S/ï-ZnS/(ZnS)x(CdSe)1-x/CdSe/Mo-structure with variband interlayer were fabricated. Optimization of this layer thickness was shown to be efficient method of reduction of photosensitivity behind UV region while preserving one in UV region.
issn 2225-5818
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52310
citation_txt Фотоприемники ультрафиолетового излучения на основе тонких пленок ZnS / Ю.Н. Бобренко, Н.В. Ярошенко, Г.И. Шереметова, Т.В. Семикина, Б.С. Атдаев // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2009. — № 5. — С. 29-31. — Бібліогр.: 3 назв. — рос.
work_keys_str_mv AT bobrenkoûn fotopriemnikiulʹtrafioletovogoizlučeniânaosnovetonkihplenokzns
AT ârošenkonv fotopriemnikiulʹtrafioletovogoizlučeniânaosnovetonkihplenokzns
AT šeremetovagi fotopriemnikiulʹtrafioletovogoizlučeniânaosnovetonkihplenokzns
AT semikinatv fotopriemnikiulʹtrafioletovogoizlučeniânaosnovetonkihplenokzns
AT atdaevbs fotopriemnikiulʹtrafioletovogoizlučeniânaosnovetonkihplenokzns
AT bobrenkoûn fotopriimačiulʹtrafíoletovogovipromínûvannânaosnovítonkihplívokzns
AT ârošenkonv fotopriimačiulʹtrafíoletovogovipromínûvannânaosnovítonkihplívokzns
AT šeremetovagi fotopriimačiulʹtrafíoletovogovipromínûvannânaosnovítonkihplívokzns
AT semikinatv fotopriimačiulʹtrafíoletovogovipromínûvannânaosnovítonkihplívokzns
AT atdaevbs fotopriimačiulʹtrafíoletovogovipromínûvannânaosnovítonkihplívokzns
AT bobrenkoûn ultravioletphotosensorsbasedonznsthinfilms
AT ârošenkonv ultravioletphotosensorsbasedonznsthinfilms
AT šeremetovagi ultravioletphotosensorsbasedonznsthinfilms
AT semikinatv ultravioletphotosensorsbasedonznsthinfilms
AT atdaevbs ultravioletphotosensorsbasedonznsthinfilms
first_indexed 2025-12-07T17:12:33Z
last_indexed 2025-12-07T17:12:33Z
_version_ 1850870389613264896

Ähnliche Einträge