Фотоприемники ультрафиолетового излучения на основе тонких пленок ZnS
Исследовалась чувствительность тонкопленочных фотоприемников на основе ZnS в ультрафиолетовой и видимой области спектра при низких уровнях облучения. Показано, что оптимизацией толщины переходного слоя (ZnS)х·(CdSe)1-х можно значительно уменьшить длинноволновую чувствительность.· Отримано високоефек...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Datum: | 2009 |
| Hauptverfasser: | , , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russisch |
| Veröffentlicht: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2009
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52310 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Фотоприемники ультрафиолетового излучения на основе тонких пленок ZnS / Ю.Н. Бобренко, Н.В. Ярошенко, Г.И. Шереметова, Т.В. Семикина, Б.С. Атдаев // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2009. — № 5. — С. 29-31. — Бібліогр.: 3 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862708602937016320 |
|---|---|
| author | Бобренко, Ю.Н. Ярошенко, Н.В. Шереметова, Г.И. Семикина, Т.В. Атдаев, Б.С. |
| author_facet | Бобренко, Ю.Н. Ярошенко, Н.В. Шереметова, Г.И. Семикина, Т.В. Атдаев, Б.С. |
| citation_txt | Фотоприемники ультрафиолетового излучения на основе тонких пленок ZnS / Ю.Н. Бобренко, Н.В. Ярошенко, Г.И. Шереметова, Т.В. Семикина, Б.С. Атдаев // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2009. — № 5. — С. 29-31. — Бібліогр.: 3 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description | Исследовалась чувствительность тонкопленочных фотоприемников на основе ZnS в ультрафиолетовой и видимой области спектра при низких уровнях облучения. Показано, что оптимизацией толщины переходного слоя (ZnS)х·(CdSe)1-х можно значительно уменьшить длинноволновую чувствительность.·
Отримано високоефективні фотодіоди на основі гетеропереходу р-Cu1,8S/п-ZnS/(ZnS)х(CdSe)1-х/CdSe/Mo з ва·рійованою товщиною внутрішнього перехідного шару. Показано, що ефективним методом зниження чутливості за межою УФ-області є граничне зменшення товщини варизонного шару.
High efficient photodiodes on the base of p-Cu1,8S/ï-ZnS/(ZnS)x(CdSe)1-x/CdSe/Mo-structure with variband interlayer were fabricated. Optimization of this layer thickness was shown to be efficient method of reduction of photosensitivity behind UV region while preserving one in UV region.
|
| first_indexed | 2025-12-07T17:12:33Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-52310 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 2225-5818 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T17:12:33Z |
| publishDate | 2009 |
| publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Бобренко, Ю.Н. Ярошенко, Н.В. Шереметова, Г.И. Семикина, Т.В. Атдаев, Б.С. 2013-12-29T17:16:22Z 2013-12-29T17:16:22Z 2009 Фотоприемники ультрафиолетового излучения на основе тонких пленок ZnS / Ю.Н. Бобренко, Н.В. Ярошенко, Г.И. Шереметова, Т.В. Семикина, Б.С. Атдаев // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2009. — № 5. — С. 29-31. — Бібліогр.: 3 назв. — рос. 2225-5818 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52310 Исследовалась чувствительность тонкопленочных фотоприемников на основе ZnS в ультрафиолетовой и видимой области спектра при низких уровнях облучения. Показано, что оптимизацией толщины переходного слоя (ZnS)х·(CdSe)1-х можно значительно уменьшить длинноволновую чувствительность.· Отримано високоефективні фотодіоди на основі гетеропереходу р-Cu1,8S/п-ZnS/(ZnS)х(CdSe)1-х/CdSe/Mo з ва·рійованою товщиною внутрішнього перехідного шару. Показано, що ефективним методом зниження чутливості за межою УФ-області є граничне зменшення товщини варизонного шару. High efficient photodiodes on the base of p-Cu1,8S/ï-ZnS/(ZnS)x(CdSe)1-x/CdSe/Mo-structure with variband interlayer were fabricated. Optimization of this layer thickness was shown to be efficient method of reduction of photosensitivity behind UV region while preserving one in UV region. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Функциональная микро- и наноэлектроника Фотоприемники ультрафиолетового излучения на основе тонких пленок ZnS Фотоприймачи ультрафіолетового випромінювання на основі тонких плівок ZnS Ultraviolet photosensors based on ZnS thin films Article published earlier |
| spellingShingle | Фотоприемники ультрафиолетового излучения на основе тонких пленок ZnS Бобренко, Ю.Н. Ярошенко, Н.В. Шереметова, Г.И. Семикина, Т.В. Атдаев, Б.С. Функциональная микро- и наноэлектроника |
| title | Фотоприемники ультрафиолетового излучения на основе тонких пленок ZnS |
| title_alt | Фотоприймачи ультрафіолетового випромінювання на основі тонких плівок ZnS Ultraviolet photosensors based on ZnS thin films |
| title_full | Фотоприемники ультрафиолетового излучения на основе тонких пленок ZnS |
| title_fullStr | Фотоприемники ультрафиолетового излучения на основе тонких пленок ZnS |
| title_full_unstemmed | Фотоприемники ультрафиолетового излучения на основе тонких пленок ZnS |
| title_short | Фотоприемники ультрафиолетового излучения на основе тонких пленок ZnS |
| title_sort | фотоприемники ультрафиолетового излучения на основе тонких пленок zns |
| topic | Функциональная микро- и наноэлектроника |
| topic_facet | Функциональная микро- и наноэлектроника |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52310 |
| work_keys_str_mv | AT bobrenkoûn fotopriemnikiulʹtrafioletovogoizlučeniânaosnovetonkihplenokzns AT ârošenkonv fotopriemnikiulʹtrafioletovogoizlučeniânaosnovetonkihplenokzns AT šeremetovagi fotopriemnikiulʹtrafioletovogoizlučeniânaosnovetonkihplenokzns AT semikinatv fotopriemnikiulʹtrafioletovogoizlučeniânaosnovetonkihplenokzns AT atdaevbs fotopriemnikiulʹtrafioletovogoizlučeniânaosnovetonkihplenokzns AT bobrenkoûn fotopriimačiulʹtrafíoletovogovipromínûvannânaosnovítonkihplívokzns AT ârošenkonv fotopriimačiulʹtrafíoletovogovipromínûvannânaosnovítonkihplívokzns AT šeremetovagi fotopriimačiulʹtrafíoletovogovipromínûvannânaosnovítonkihplívokzns AT semikinatv fotopriimačiulʹtrafíoletovogovipromínûvannânaosnovítonkihplívokzns AT atdaevbs fotopriimačiulʹtrafíoletovogovipromínûvannânaosnovítonkihplívokzns AT bobrenkoûn ultravioletphotosensorsbasedonznsthinfilms AT ârošenkonv ultravioletphotosensorsbasedonznsthinfilms AT šeremetovagi ultravioletphotosensorsbasedonznsthinfilms AT semikinatv ultravioletphotosensorsbasedonznsthinfilms AT atdaevbs ultravioletphotosensorsbasedonznsthinfilms |