Измерения ВАХ импульсных кремниевых ЛПД на участке лавинного пробоя

Рассмотрены особенности измерения ВАХ импульсных кремниевых лавинно-пролетных диодов и использования их параметров для прогнозирования надежности ЛПДK Розглянуто аспекти вимірювань вольт-амперных характеристик імпульсних лавинно-пролітних діодів (ЛПД). Визначено основні параметри ВАХ імпульсних ЛПД:...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Published in:Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Date:2009
Main Author: Кудрик, Я.Я.
Format: Article
Language:Russian
Published: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2009
Subjects:
Online Access:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52311
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Cite this:Измерения ВАХ импульсных кремниевых ЛПД на участке лавинного пробоя / Я.Я. Кудрик // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2009. — № 5. — С. 32-33. — Бібліогр.: 8 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
_version_ 1862619989426569216
author Кудрик, Я.Я.
author_facet Кудрик, Я.Я.
citation_txt Измерения ВАХ импульсных кремниевых ЛПД на участке лавинного пробоя / Я.Я. Кудрик // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2009. — № 5. — С. 32-33. — Бібліогр.: 8 назв. — рос.
collection DSpace DC
container_title Технология и конструирование в электронной аппаратуре
description Рассмотрены особенности измерения ВАХ импульсных кремниевых лавинно-пролетных диодов и использования их параметров для прогнозирования надежности ЛПДK Розглянуто аспекти вимірювань вольт-амперных характеристик імпульсних лавинно-пролітних діодів (ЛПД). Визначено основні параметри ВАХ імпульсних ЛПД: густина критичного струму, стрибок напруги на ділянці негативного диференціального опору, напруга лавинного пробою. Приведено спосіб визначення температурного опору ділянки «p.n-перехід.корпус», необхідного для розрахунку режиму роботи ЛПД. Показано можливість використання величини ΔU для прогнозування ранніх відмов ЛПД.· Some aspects of measurement of I-V-curves for IMPATT diodes are considered. There were determined the main parameters of the pulsed I-V-curves for IMPATT diodes: density of critical current, voltage step in the region of negative differential resistance and avalanche breakdown region. A method for determination of p-n junction-package thermal resistance that is required for calculation of IMPATT diode operating mode is given. A possibility to use ΔU magnitude for prediction of early failures of IMPATT diodes was demonstrated.
first_indexed 2025-12-07T13:20:07Z
format Article
fulltext
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-52311
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
issn 2225-5818
language Russian
last_indexed 2025-12-07T13:20:07Z
publishDate 2009
publisher Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
record_format dspace
spelling Кудрик, Я.Я.
2013-12-29T17:18:32Z
2013-12-29T17:18:32Z
2009
Измерения ВАХ импульсных кремниевых ЛПД на участке лавинного пробоя / Я.Я. Кудрик // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2009. — № 5. — С. 32-33. — Бібліогр.: 8 назв. — рос.
2225-5818
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52311
Рассмотрены особенности измерения ВАХ импульсных кремниевых лавинно-пролетных диодов и использования их параметров для прогнозирования надежности ЛПДK
Розглянуто аспекти вимірювань вольт-амперных характеристик імпульсних лавинно-пролітних діодів (ЛПД). Визначено основні параметри ВАХ імпульсних ЛПД: густина критичного струму, стрибок напруги на ділянці негативного диференціального опору, напруга лавинного пробою. Приведено спосіб визначення температурного опору ділянки «p.n-перехід.корпус», необхідного для розрахунку режиму роботи ЛПД. Показано можливість використання величини ΔU для прогнозування ранніх відмов ЛПД.·
Some aspects of measurement of I-V-curves for IMPATT diodes are considered. There were determined the main parameters of the pulsed I-V-curves for IMPATT diodes: density of critical current, voltage step in the region of negative differential resistance and avalanche breakdown region. A method for determination of p-n junction-package thermal resistance that is required for calculation of IMPATT diode operating mode is given. A possibility to use ΔU magnitude for prediction of early failures of IMPATT diodes was demonstrated.
ru
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Функциональная микро- и наноэлектроника
Измерения ВАХ импульсных кремниевых ЛПД на участке лавинного пробоя
Вимірювання ВАХ імпульсних кремнієвих ЛПД наділянці лавинного пробою
The measurements of pulsed I-V-curves for silicon IMPATT diodes in the avalanche breakdown region
Article
published earlier
spellingShingle Измерения ВАХ импульсных кремниевых ЛПД на участке лавинного пробоя
Кудрик, Я.Я.
Функциональная микро- и наноэлектроника
title Измерения ВАХ импульсных кремниевых ЛПД на участке лавинного пробоя
title_alt Вимірювання ВАХ імпульсних кремнієвих ЛПД наділянці лавинного пробою
The measurements of pulsed I-V-curves for silicon IMPATT diodes in the avalanche breakdown region
title_full Измерения ВАХ импульсных кремниевых ЛПД на участке лавинного пробоя
title_fullStr Измерения ВАХ импульсных кремниевых ЛПД на участке лавинного пробоя
title_full_unstemmed Измерения ВАХ импульсных кремниевых ЛПД на участке лавинного пробоя
title_short Измерения ВАХ импульсных кремниевых ЛПД на участке лавинного пробоя
title_sort измерения вах импульсных кремниевых лпд на участке лавинного пробоя
topic Функциональная микро- и наноэлектроника
topic_facet Функциональная микро- и наноэлектроника
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52311
work_keys_str_mv AT kudrikââ izmereniâvahimpulʹsnyhkremnievyhlpdnaučastkelavinnogoproboâ
AT kudrikââ vimírûvannâvahímpulʹsnihkremníêvihlpdnadílâncílavinnogoproboû
AT kudrikââ themeasurementsofpulsedivcurvesforsiliconimpattdiodesintheavalanchebreakdownregion