Измерения ВАХ импульсных кремниевых ЛПД на участке лавинного пробоя

Рассмотрены особенности измерения ВАХ импульсных кремниевых лавинно-пролетных диодов и использования их параметров для прогнозирования надежности ЛПДK Розглянуто аспекти вимірювань вольт-амперных характеристик імпульсних лавинно-пролітних діодів (ЛПД). Визначено основні параметри ВАХ імпульсних ЛПД:...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Published in:Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Date:2009
Main Author: Кудрик, Я.Я.
Format: Article
Language:Russian
Published: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2009
Subjects:
Online Access:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52311
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Cite this:Измерения ВАХ импульсных кремниевых ЛПД на участке лавинного пробоя / Я.Я. Кудрик // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2009. — № 5. — С. 32-33. — Бібліогр.: 8 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-52311
record_format dspace
spelling Кудрик, Я.Я.
2013-12-29T17:18:32Z
2013-12-29T17:18:32Z
2009
Измерения ВАХ импульсных кремниевых ЛПД на участке лавинного пробоя / Я.Я. Кудрик // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2009. — № 5. — С. 32-33. — Бібліогр.: 8 назв. — рос.
2225-5818
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52311
Рассмотрены особенности измерения ВАХ импульсных кремниевых лавинно-пролетных диодов и использования их параметров для прогнозирования надежности ЛПДK
Розглянуто аспекти вимірювань вольт-амперных характеристик імпульсних лавинно-пролітних діодів (ЛПД). Визначено основні параметри ВАХ імпульсних ЛПД: густина критичного струму, стрибок напруги на ділянці негативного диференціального опору, напруга лавинного пробою. Приведено спосіб визначення температурного опору ділянки «p.n-перехід.корпус», необхідного для розрахунку режиму роботи ЛПД. Показано можливість використання величини ΔU для прогнозування ранніх відмов ЛПД.·
Some aspects of measurement of I-V-curves for IMPATT diodes are considered. There were determined the main parameters of the pulsed I-V-curves for IMPATT diodes: density of critical current, voltage step in the region of negative differential resistance and avalanche breakdown region. A method for determination of p-n junction-package thermal resistance that is required for calculation of IMPATT diode operating mode is given. A possibility to use ΔU magnitude for prediction of early failures of IMPATT diodes was demonstrated.
ru
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Функциональная микро- и наноэлектроника
Измерения ВАХ импульсных кремниевых ЛПД на участке лавинного пробоя
Вимірювання ВАХ імпульсних кремнієвих ЛПД наділянці лавинного пробою
The measurements of pulsed I-V-curves for silicon IMPATT diodes in the avalanche breakdown region
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title Измерения ВАХ импульсных кремниевых ЛПД на участке лавинного пробоя
spellingShingle Измерения ВАХ импульсных кремниевых ЛПД на участке лавинного пробоя
Кудрик, Я.Я.
Функциональная микро- и наноэлектроника
title_short Измерения ВАХ импульсных кремниевых ЛПД на участке лавинного пробоя
title_full Измерения ВАХ импульсных кремниевых ЛПД на участке лавинного пробоя
title_fullStr Измерения ВАХ импульсных кремниевых ЛПД на участке лавинного пробоя
title_full_unstemmed Измерения ВАХ импульсных кремниевых ЛПД на участке лавинного пробоя
title_sort измерения вах импульсных кремниевых лпд на участке лавинного пробоя
author Кудрик, Я.Я.
author_facet Кудрик, Я.Я.
topic Функциональная микро- и наноэлектроника
topic_facet Функциональная микро- и наноэлектроника
publishDate 2009
language Russian
container_title Технология и конструирование в электронной аппаратуре
publisher Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
format Article
title_alt Вимірювання ВАХ імпульсних кремнієвих ЛПД наділянці лавинного пробою
The measurements of pulsed I-V-curves for silicon IMPATT diodes in the avalanche breakdown region
description Рассмотрены особенности измерения ВАХ импульсных кремниевых лавинно-пролетных диодов и использования их параметров для прогнозирования надежности ЛПДK Розглянуто аспекти вимірювань вольт-амперных характеристик імпульсних лавинно-пролітних діодів (ЛПД). Визначено основні параметри ВАХ імпульсних ЛПД: густина критичного струму, стрибок напруги на ділянці негативного диференціального опору, напруга лавинного пробою. Приведено спосіб визначення температурного опору ділянки «p.n-перехід.корпус», необхідного для розрахунку режиму роботи ЛПД. Показано можливість використання величини ΔU для прогнозування ранніх відмов ЛПД.· Some aspects of measurement of I-V-curves for IMPATT diodes are considered. There were determined the main parameters of the pulsed I-V-curves for IMPATT diodes: density of critical current, voltage step in the region of negative differential resistance and avalanche breakdown region. A method for determination of p-n junction-package thermal resistance that is required for calculation of IMPATT diode operating mode is given. A possibility to use ΔU magnitude for prediction of early failures of IMPATT diodes was demonstrated.
issn 2225-5818
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52311
citation_txt Измерения ВАХ импульсных кремниевых ЛПД на участке лавинного пробоя / Я.Я. Кудрик // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2009. — № 5. — С. 32-33. — Бібліогр.: 8 назв. — рос.
work_keys_str_mv AT kudrikââ izmereniâvahimpulʹsnyhkremnievyhlpdnaučastkelavinnogoproboâ
AT kudrikââ vimírûvannâvahímpulʹsnihkremníêvihlpdnadílâncílavinnogoproboû
AT kudrikââ themeasurementsofpulsedivcurvesforsiliconimpattdiodesintheavalanchebreakdownregion
first_indexed 2025-12-07T13:20:07Z
last_indexed 2025-12-07T13:20:07Z
_version_ 1850855766627450880