Исследование погрешности сопротивления тонкопленочного резистора
Исследована погрешность сопротивления тонкопленочного резистора, вызванная исключением контактных площадок перекрытия резистивного и проводящего слоев. Розглянуто конструкцію тонкоплівкового резистора без контактних площадок перекриття резистивного елементу і провідника. Досліджена залежність похибк...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Дата: | 2009 |
| Автор: | |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2009
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52314 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Исследование погрешности сопротивления тонкопленочного резистора / В.Г. Спирин // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2009. — № 5. — С. 42-44. — Бібліогр.: 7 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| Резюме: | Исследована погрешность сопротивления тонкопленочного резистора, вызванная исключением контактных площадок перекрытия резистивного и проводящего слоев.
Розглянуто конструкцію тонкоплівкового резистора без контактних площадок перекриття резистивного елементу і провідника. Досліджена залежність похибки опору такого резистора від несуміщення фотошаблона з провідним шаром підкладки при другій фотолітографії, яка досягає свого максимального значення при коефіцієнті форми резистора, що дорівнює 1,0.
A relationship between a thin-film resistor resistance error and mask misalignment with a substrate conductive layer at the second photolithography stage for a thin-film resistor design in which the resistive element does not overlap conductor pads is studied. The error value is at a maximum when the resistor aspect ratio is equal to 1.0.
|
|---|---|
| ISSN: | 2225-5818 |