Болтовец, Н., Борисенко, А., Иванов, В., Федорович, О., Кривуца, В., & Б.П, П. (2009). Формирование мезаструктур 4НSiC p–i–n-диодов методом ионно-плазменного травления. Технология и конструирование в электронной аппаратуре.
Чикаго стиль цитування (17-те видання)Болтовец, Н.С, А.Г Борисенко, В.Н Иванов, О.А Федорович, В.А Кривуца, та Полозов Б.П. "Формирование мезаструктур 4НSiC P–i–n-диодов методом ионно-плазменного травления." Технология и конструирование в электронной аппаратуре 2009.
Стиль цитування MLA (8-ме видання)Болтовец, Н.С, et al. "Формирование мезаструктур 4НSiC P–i–n-диодов методом ионно-плазменного травления." Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2009.
Попередження: стилі цитування не завжди правильні на всі 100%.