APA (7th ed.) Citation

Болтовец, Н., Борисенко, А., Иванов, В., Федорович, О., Кривуца, В., & Б.П, П. (2009). Формирование мезаструктур 4НSiC p–i–n-диодов методом ионно-плазменного травления. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України.

Chicago Style (17th ed.) Citation

Болтовец, Н.С, А.Г Борисенко, В.Н Иванов, О.А Федорович, В.А Кривуца, and Полозов Б.П. Формирование мезаструктур 4НSiC P–i–n-диодов методом ионно-плазменного травления. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України, 2009.

MLA (8th ed.) Citation

Болтовец, Н.С, et al. Формирование мезаструктур 4НSiC P–i–n-диодов методом ионно-плазменного травления. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України, 2009.