Формирование мезаструктур 4НSiC p–i–n-диодов методом ионно-плазменного травления
Представлены результаты исследования и оптимизации процесса формирования карбидокремниевой мезаструктуры для p-i-n-диода на промышленной технологической базе. Исследованы характеристики диодов в интервале температуры 25-500 °С. Представлено результати дослідження та оптимізації процесу формування ме...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Дата: | 2009 |
| Автори: | , , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Російська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2009
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52315 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Формирование мезаструктур 4НSiC p–i–n-диодов методом ионно-плазменного травления / Н.С. Болтовец, А.Г. Борисенко, В.Н. Иванов, О.А. Федорович, В.А. Кривуца, Б.П. Полозов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2009. — № 5. — С. 45-48. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862547901081714688 |
|---|---|
| author | Болтовец, Н.С. Борисенко, А.Г. Иванов, В.Н. Федорович, О.А. Кривуца, В.А. Полозов Б.П. |
| author_facet | Болтовец, Н.С. Борисенко, А.Г. Иванов, В.Н. Федорович, О.А. Кривуца, В.А. Полозов Б.П. |
| citation_txt | Формирование мезаструктур 4НSiC p–i–n-диодов методом ионно-плазменного травления / Н.С. Болтовец, А.Г. Борисенко, В.Н. Иванов, О.А. Федорович, В.А. Кривуца, Б.П. Полозов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2009. — № 5. — С. 45-48. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description | Представлены результаты исследования и оптимизации процесса формирования карбидокремниевой мезаструктуры для p-i-n-диода на промышленной технологической базе. Исследованы характеристики диодов в интервале температуры 25-500 °С.
Представлено результати дослідження та оптимізації процесу формування мезаструктур 4НSiC p-i-n-діодів на промисловій технологічній базі. Досліджено вольт-амперні характеристики та характеристики перемикання p-i-n-діодів в інтервалі температури 25-500°С.·
The results of research and optimization of 4HSiC p-i-ndiodes mesastructures manufacturing method are presented as well as analysis of current-voltage characteristics and switching characteristics of p-i-n-diodes in the 25-500°C temperature range.
|
| first_indexed | 2025-11-25T17:21:38Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-52315 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 2225-5818 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-11-25T17:21:38Z |
| publishDate | 2009 |
| publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Болтовец, Н.С. Борисенко, А.Г. Иванов, В.Н. Федорович, О.А. Кривуца, В.А. Полозов Б.П. 2013-12-29T17:43:22Z 2013-12-29T17:43:22Z 2009 Формирование мезаструктур 4НSiC p–i–n-диодов методом ионно-плазменного травления / Н.С. Болтовец, А.Г. Борисенко, В.Н. Иванов, О.А. Федорович, В.А. Кривуца, Б.П. Полозов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2009. — № 5. — С. 45-48. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. 2225-5818 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52315 Представлены результаты исследования и оптимизации процесса формирования карбидокремниевой мезаструктуры для p-i-n-диода на промышленной технологической базе. Исследованы характеристики диодов в интервале температуры 25-500 °С. Представлено результати дослідження та оптимізації процесу формування мезаструктур 4НSiC p-i-n-діодів на промисловій технологічній базі. Досліджено вольт-амперні характеристики та характеристики перемикання p-i-n-діодів в інтервалі температури 25-500°С.· The results of research and optimization of 4HSiC p-i-ndiodes mesastructures manufacturing method are presented as well as analysis of current-voltage characteristics and switching characteristics of p-i-n-diodes in the 25-500°C temperature range. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Технологические процессы и оборудование Формирование мезаструктур 4НSiC p–i–n-диодов методом ионно-плазменного травления Формування мезаструктур 4НSiC p-i-n-діодів методом іонно-плазмового травлення Forming of 4HSiC p-i-n-diodes mesastructures by the ion-plasmous etching method Article published earlier |
| spellingShingle | Формирование мезаструктур 4НSiC p–i–n-диодов методом ионно-плазменного травления Болтовец, Н.С. Борисенко, А.Г. Иванов, В.Н. Федорович, О.А. Кривуца, В.А. Полозов Б.П. Технологические процессы и оборудование |
| title | Формирование мезаструктур 4НSiC p–i–n-диодов методом ионно-плазменного травления |
| title_alt | Формування мезаструктур 4НSiC p-i-n-діодів методом іонно-плазмового травлення Forming of 4HSiC p-i-n-diodes mesastructures by the ion-plasmous etching method |
| title_full | Формирование мезаструктур 4НSiC p–i–n-диодов методом ионно-плазменного травления |
| title_fullStr | Формирование мезаструктур 4НSiC p–i–n-диодов методом ионно-плазменного травления |
| title_full_unstemmed | Формирование мезаструктур 4НSiC p–i–n-диодов методом ионно-плазменного травления |
| title_short | Формирование мезаструктур 4НSiC p–i–n-диодов методом ионно-плазменного травления |
| title_sort | формирование мезаструктур 4нsic p–i–n-диодов методом ионно-плазменного травления |
| topic | Технологические процессы и оборудование |
| topic_facet | Технологические процессы и оборудование |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52315 |
| work_keys_str_mv | AT boltovecns formirovaniemezastruktur4nsicpindiodovmetodomionnoplazmennogotravleniâ AT borisenkoag formirovaniemezastruktur4nsicpindiodovmetodomionnoplazmennogotravleniâ AT ivanovvn formirovaniemezastruktur4nsicpindiodovmetodomionnoplazmennogotravleniâ AT fedorovičoa formirovaniemezastruktur4nsicpindiodovmetodomionnoplazmennogotravleniâ AT krivucava formirovaniemezastruktur4nsicpindiodovmetodomionnoplazmennogotravleniâ AT polozovbp formirovaniemezastruktur4nsicpindiodovmetodomionnoplazmennogotravleniâ AT boltovecns formuvannâmezastruktur4nsicpindíodívmetodomíonnoplazmovogotravlennâ AT borisenkoag formuvannâmezastruktur4nsicpindíodívmetodomíonnoplazmovogotravlennâ AT ivanovvn formuvannâmezastruktur4nsicpindíodívmetodomíonnoplazmovogotravlennâ AT fedorovičoa formuvannâmezastruktur4nsicpindíodívmetodomíonnoplazmovogotravlennâ AT krivucava formuvannâmezastruktur4nsicpindíodívmetodomíonnoplazmovogotravlennâ AT polozovbp formuvannâmezastruktur4nsicpindíodívmetodomíonnoplazmovogotravlennâ AT boltovecns formingof4hsicpindiodesmesastructuresbytheionplasmousetchingmethod AT borisenkoag formingof4hsicpindiodesmesastructuresbytheionplasmousetchingmethod AT ivanovvn formingof4hsicpindiodesmesastructuresbytheionplasmousetchingmethod AT fedorovičoa formingof4hsicpindiodesmesastructuresbytheionplasmousetchingmethod AT krivucava formingof4hsicpindiodesmesastructuresbytheionplasmousetchingmethod AT polozovbp formingof4hsicpindiodesmesastructuresbytheionplasmousetchingmethod |