Buchumschlag

Наноструктурированная композитная пленка для сенсоров влажности

Получена наноструктурированная композитная пленка для применения в качестве чувствительного элемента интегральных сенсоров влажности с повышенной чувствительностью и улучшенными эксплуатационными характеристиками. Отримано наноструктуровану композитну плівку, яка дозволяє створювати інтегральні сенс...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Datum:	2009
Hauptverfasser:	Коваленко, К.Л., Шаран, Н.Н., Севастьянов, В.В.
Format:	Artikel
Sprache:	Russisch
Veröffentlicht:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2009
Schlagworte:	Материалы электроники
Online Zugang:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52316
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:	Наноструктурированная композитная пленка для сенсоров влажности / К.Л. Коваленко, Н.Н. Шаран, В.В. Севастьянов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2009. — № 5. — С. 49-50. — Бібліогр.: 3 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Ähnliche Einträge

Наноструктурированная композитная пленка для сенсоров влажности
von: Kovalenko, K. L., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Диагностика глубоких центров на границе пленка–подложка в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs
von: Горев, Н.Б., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Высокоэффективные катодные элементы для газоразрядных источников света
von: Севастьянов, В.В., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Термостабильные интерференционные оксидные покрытия для активных элементов лазеров ИК-диапазона
von: Загоруйко, Ю.А., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Использование "эффекта текстуры" для повышения прочности конструкционных материалов
von: Гохман, А.Р., et al.
Veröffentlicht: (2000)

Получение и свойства пористого карбида кремния
von: Светличная, Л.А., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Физико-технические параметры монокристаллов для светозвуко-проводов акустооптических устройств
von: Данилов, В.В.
Veröffentlicht: (2002)

Прогноз диэлектрических потерь в стеклокерамике для разных соотношений массовых долей компонентов
von: Дмитриев, М.В., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Разработка сцинтилляторов на основе соединений AIIBVI для медицинского и технического радиационного приборостроения
von: Старжинский, Н.Г., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Прогнозирование параметров стеклокерамики со стеклокристаллической матрицей для разных соотношений компонентов и режимов спекания
von: Дмитриев, М.В., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Синтез и исследование нанопорошков ферромолибдата стронция с высокой степенью сверхструктурного упорядочения для спинтроники
von: Ярмолич, М.В., et al.
Veröffentlicht: (2016)

Элементы твердотельной электроники на основе КНИ-структур и нитевидных кристаллов Si для криогенных температур
von: Дружинин, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Использование керамики на основе твердых растворов (Ni, Co, Mn, Cu)₃O₄для толстопленочных терморезисторов
von: Шпотюк, О.И., et al.
Veröffentlicht: (2002)

Модифицированный фосфид галлия для лазеров и мощных светодиодов
von: Гаркавенко, А.С., et al.
Veröffentlicht: (2001)

Электрические и топологические свойства пленок оксидов, термически выращенных на подложках InSe
von: Катеринчук, В.Н., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Электропроводящие тонкие пленки для BaCuTeF прозрачных контактов в полупроводниковой электронике
von: Готра, З.Ю., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Механизм регулярных формоизменений микропроволоки при воздействии токовых нагрузок
von: Моисеев, Л.М., et al.
Veröffentlicht: (2003)

Фотохромная чувствительность модифицированных пленок бактериородопсина для устройств молекулярной электроники
von: Адамов, Г.Е., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Влияние отжига на ВАХ гетероперехода n-ZnO—p-InSe
von: Ковалюк, З.Д., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Физические свойства и зонная структура кристаллов (3HgTe)1-x(Al₂Te₃)x, легированных марганцем
von: Марьянчук, П.Д., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Получение пригодного для сенсорики пористого кремния методом неэлектролитического травления MacEtch
von: Яцунский, И.Р.
Veröffentlicht: (2013)

Формирование гетероструктур GaTe/CdSe для использования в солнечных элементах
von: Балицкий, А.А.
Veröffentlicht: (2005)

Гетероструктуры, полученные методом отжига монокристаллов InSe в парах серы
von: Ковалюк, З.Д., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Электрические свойства анизотипных гетеропереходов n-TiO₂:Mn/p-CdTe
von: Мостовой, А.И., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Исследование процесса термической деполяризации сегнетокерамики (Pb,Sr)(Zr,Ti)O₃
von: Кузенко, Д.В., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Влияние пластической деформации на анизотропию электропроводности трансформаторной стали
von: Усов, В.В.
Veröffentlicht: (2001)

Способ определения доли кристаллов в стеклокерамическом диэлектрике
von: Дмитриев, М.В., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Оценка параметров компонентов моноармированой стеклокерамики со стеклокристаллической матрицей
von: Дмитриев, М.В., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Взрывная кристаллизация тонких пленок полупроводников при облучении y-квантами
von: Храмов, Е.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2003)

Прогнозирование диэлектрических свойств некристаллизующейся моноармированной полиматричной стеклокерамики
von: Дмитриев, М.В., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Эффективные сцинтилляционные материалы на основе твердых растворов ZnS1–xTex и перспективы их применения
von: Катрунов, К.А., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Исследование влияни кислорода на скорость и анизотропию глубинного травления кремния в плазмохимическом реакторе с управляемым магнитним полем
von: Гладковский, В.В., et al.
Veröffentlicht: (2017)

Диэлектрическая релаксация Коул-Коула
von: Новиков, В.В., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Влияние электронного облучения на оптические свойства пленок нанокристаллического SiC на подложках из монокристалла Al₂O₃
von: Семенов, A.В., et al.
Veröffentlicht: (2017)

Исследование спектров фотолюминесценции низкоразмерных структур InSb, сформированных в матрице GaSb
von: Андронова, Е.В., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Моделирование деградации радиационно-оптических свойств халькогенидных стеклообразных полупроводников
von: Вакив, Н.М.
Veröffentlicht: (2000)

Исследование стойкости слоев поликремния в КНИ-структурах при воздействии электронного облучения и сильного магнитного поля
von: Ховерко, Ю.Н.
Veröffentlicht: (2010)

Мощные резисторы нового поколения на основе углеродных (алмазоподобных) пленок
von: Ротнер, С.М., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Вольт-фарадные характеристики ионно-имплантированных структур GaAs
von: Горев, Н.Б., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Система паст "Аналог-4" расширяет возможности толстопленочной технологии
von: Пучкова, Н.С., et al.
Veröffentlicht: (2000)