Способ определения доли кристаллов в стеклокерамическом диэлектрике
Предложен комплексный метод количественной оценки доли кристаллов в композиционной стеклокерамике, полученной при разном времени ее спекания, базируемый на определении диэлектрической проницаемости композита. Запропоновано комплексний метод оцінки частки кристалів у композиційній склокераміці при рі...
Saved in:
| Published in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Date: | 2009 |
| Main Authors: | Дмитриев, М.В., Еримичой, И.Н., Панов, Л.И. |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2009
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52317 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Способ определения доли кристаллов в стеклокерамическом диэлектрике / М.В. Дмитриев, И.Н. Еримичой, Л.И. Панов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2009. — № 5. — С. 50-53. — Бібліогр.: 17 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineSimilar Items
Способ определения доли кристаллов в стеклокерамическом диэлектрике
by: Dmitriev, M. V., et al.
Published: (2009)
by: Dmitriev, M. V., et al.
Published: (2009)
Оценка параметров компонентов моноармированой стеклокерамики со стеклокристаллической матрицей
by: Дмитриев, М.В., et al.
Published: (2009)
by: Дмитриев, М.В., et al.
Published: (2009)
Прогнозирование параметров стеклокерамики со стеклокристаллической матрицей для разных соотношений компонентов и режимов спекания
by: Дмитриев, М.В., et al.
Published: (2009)
by: Дмитриев, М.В., et al.
Published: (2009)
Прогноз диэлектрических потерь в стеклокерамике для разных соотношений массовых долей компонентов
by: Дмитриев, М.В., et al.
Published: (2012)
by: Дмитриев, М.В., et al.
Published: (2012)
Прогнозирование диэлектрических свойств некристаллизующейся моноармированной полиматричной стеклокерамики
by: Дмитриев, М.В., et al.
Published: (2008)
by: Дмитриев, М.В., et al.
Published: (2008)
Способ электродугового восстановления кремния
by: Соловьев, О.В., et al.
Published: (2005)
by: Соловьев, О.В., et al.
Published: (2005)
Высокотемпературная люминесценция кристаллов ZnSe:Yb
by: Махний, В.П., et al.
Published: (2016)
by: Махний, В.П., et al.
Published: (2016)
Ионизационный отжиг полупроводниковых кристаллов. Часть вторая: эксперимент
by: Гаркавенко, А.С., et al.
Published: (2014)
by: Гаркавенко, А.С., et al.
Published: (2014)
Исследование кристаллов Cu₂ZnSnTe₄ и гетеропереходов на их основе
by: Ковалюк, Т.Т., et al.
Published: (2015)
by: Ковалюк, Т.Т., et al.
Published: (2015)
Ионизационный отжиг полупроводниковых кристаллов. Часть первая: Теоретические предпосылки
by: Гаркавенко, А.С., et al.
Published: (2014)
by: Гаркавенко, А.С., et al.
Published: (2014)
Исследование кристаллов Cu₂ZnSnSe₄ и гетеропереходов на их на основе
by: Ковалюк, Т.Т., et al.
Published: (2018)
by: Ковалюк, Т.Т., et al.
Published: (2018)
Исследование ширины запрещенной зоны смешанных кристаллов ZnSxSe₁₋x
by: Трубаева, О.Г., et al.
Published: (2018)
by: Трубаева, О.Г., et al.
Published: (2018)
Элементы твердотельной электроники на основе КНИ-структур и нитевидных кристаллов Si для криогенных температур
by: Дружинин, А.А., et al.
Published: (2014)
by: Дружинин, А.А., et al.
Published: (2014)
Влияние содержания серы на сцинтилляционные свойства смешанных кристаллов ZnSxSe1–x
by: Трубаева, O.Г., et al.
Published: (2018)
by: Трубаева, O.Г., et al.
Published: (2018)
Физические свойства и зонная структура кристаллов (3HgTe)1-x(Al₂Te₃)x, легированных марганцем
by: Марьянчук, П.Д., et al.
Published: (2014)
by: Марьянчук, П.Д., et al.
Published: (2014)
Высокоинформативный комплексный метод определения типа моторного масла
by: Мамыкин, А.В., et al.
Published: (2019)
by: Мамыкин, А.В., et al.
Published: (2019)
Магнитные и кинетические свойства кристаллов Hg1–x–yCdxDyySe
by: Ковалюк, Т.Т., et al.
Published: (2014)
by: Ковалюк, Т.Т., et al.
Published: (2014)
Гетеропереходы, сформированные отжигом слоистых кристаллов GaSe и InSe в парах цинка
by: Кудринский, З.Р., et al.
Published: (2012)
by: Кудринский, З.Р., et al.
Published: (2012)
Степенная связь параметров композиционного материала и его компонентов
by: Дмитриев, М.В.
Published: (2002)
by: Дмитриев, М.В.
Published: (2002)
Методика определения параметров структурной и кластерной моделей толстых резистивных пленок
by: Стерхова, А.В., et al.
Published: (2001)
by: Стерхова, А.В., et al.
Published: (2001)
Исследование процесса термической деполяризации сегнетокерамики (Pb,Sr)(Zr,Ti)O₃
by: Кузенко, Д.В., et al.
Published: (2011)
by: Кузенко, Д.В., et al.
Published: (2011)
Синтез и исследование нанопорошков ферромолибдата стронция с высокой степенью сверхструктурного упорядочения для спинтроники
by: Ярмолич, М.В., et al.
Published: (2016)
by: Ярмолич, М.В., et al.
Published: (2016)
Использование керамики на основе твердых растворов (Ni, Co, Mn, Cu)₃O₄для толстопленочных терморезисторов
by: Шпотюк, О.И., et al.
Published: (2002)
by: Шпотюк, О.И., et al.
Published: (2002)
Влияние морфологии поверхности подложек ZnSe:Te на их оптические свойства
by: Махний, В.П., et al.
Published: (2016)
by: Махний, В.П., et al.
Published: (2016)
Выращивание крупногабаритных монокристаллов вольфрамата кадмия с высокой оптической однородностью
by: Сольский, И.М.
Published: (2005)
by: Сольский, И.М.
Published: (2005)
Деградационные превращения в топологически разупорядоченных твердых телах: 2. Мономолекулярная модель кинетики
by: Балицкая, В.А., et al.
Published: (2004)
by: Балицкая, В.А., et al.
Published: (2004)
Эффективные сцинтилляционные материалы на основе твердых растворов ZnS1–xTex и перспективы их применения
by: Катрунов, К.А., et al.
Published: (2011)
by: Катрунов, К.А., et al.
Published: (2011)
Вольт-фарадные характеристики ионно-имплантированных структур GaAs
by: Горев, Н.Б., et al.
Published: (2008)
by: Горев, Н.Б., et al.
Published: (2008)
Система паст "Аналог-4" расширяет возможности толстопленочной технологии
by: Пучкова, Н.С., et al.
Published: (2000)
by: Пучкова, Н.С., et al.
Published: (2000)
Диагностика глубоких центров на границе пленка–подложка в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs
by: Горев, Н.Б., et al.
Published: (2010)
by: Горев, Н.Б., et al.
Published: (2010)
Деградационные превращения в топологически разупорядоченных твердых телах: 1. Математические модели кинетики
by: Вакив, Н.М., et al.
Published: (2003)
by: Вакив, Н.М., et al.
Published: (2003)
Температурные и концентрационные зависимости подвижности носителей заряда в твердых растворах (PbS)1–x(Sm2S3)x
by: Гасанов, Г.А., et al.
Published: (2008)
by: Гасанов, Г.А., et al.
Published: (2008)
Разработка сцинтилляторов на основе соединений AIIBVI для медицинского и технического радиационного приборостроения
by: Старжинский, Н.Г., et al.
Published: (2009)
by: Старжинский, Н.Г., et al.
Published: (2009)
Оптико-акустические эффекты в решетчатых упаковках (опаловые матрицы как метаматериал)
by: Чернега, Н.В., et al.
Published: (2010)
by: Чернега, Н.В., et al.
Published: (2010)
Получение оптически однородных монокристаллов ниобата лития больших размеров
by: Сольский, И.М., et al.
Published: (2005)
by: Сольский, И.М., et al.
Published: (2005)
Получение пригодного для сенсорики пористого кремния методом неэлектролитического травления MacEtch
by: Яцунский, И.Р.
Published: (2013)
by: Яцунский, И.Р.
Published: (2013)
Фотолюминесцентный метод исследования пластической деформации на границе раздела «SiO₂—Si»
by: Кулинич, О.А., et al.
Published: (2012)
by: Кулинич, О.А., et al.
Published: (2012)
Формирование резких границ раздела в эпитаксиальных структурах p+-AlGaAs/n-GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии
by: Вакив, Н.М., et al.
Published: (2014)
by: Вакив, Н.М., et al.
Published: (2014)
Широкозонные халькогенидные сцинтилляторы на основе соединений AIIBVI
by: Старжинский, Н.Г., et al.
Published: (2012)
by: Старжинский, Н.Г., et al.
Published: (2012)
Строение и высокотемпературная сверхпроводимость пленок Bi₂Sr₂CaCu₂Oy
by: Самойлович, М.И., et al.
Published: (2007)
by: Самойлович, М.И., et al.
Published: (2007)
Similar Items
-
Способ определения доли кристаллов в стеклокерамическом диэлектрике
by: Dmitriev, M. V., et al.
Published: (2009) -
Оценка параметров компонентов моноармированой стеклокерамики со стеклокристаллической матрицей
by: Дмитриев, М.В., et al.
Published: (2009) -
Прогнозирование параметров стеклокерамики со стеклокристаллической матрицей для разных соотношений компонентов и режимов спекания
by: Дмитриев, М.В., et al.
Published: (2009) -
Прогноз диэлектрических потерь в стеклокерамике для разных соотношений массовых долей компонентов
by: Дмитриев, М.В., et al.
Published: (2012) -
Прогнозирование диэлектрических свойств некристаллизующейся моноармированной полиматричной стеклокерамики
by: Дмитриев, М.В., et al.
Published: (2008)