Способ определения доли кристаллов в стеклокерамическом диэлектрике
Предложен комплексный метод количественной оценки доли кристаллов в композиционной стеклокерамике, полученной при разном времени ее спекания, базируемый на определении диэлектрической проницаемости композита. Запропоновано комплексний метод оцінки частки кристалів у композиційній склокераміці при рі...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Datum: | 2009 |
| Hauptverfasser: | Дмитриев, М.В., Еримичой, И.Н., Панов, Л.И. |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russisch |
| Veröffentlicht: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2009
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52317 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Способ определения доли кристаллов в стеклокерамическом диэлектрике / М.В. Дмитриев, И.Н. Еримичой, Л.И. Панов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2009. — № 5. — С. 50-53. — Бібліогр.: 17 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineÄhnliche Einträge
Способ определения доли кристаллов в стеклокерамическом диэлектрике
von: Dmitriev, M. V., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Dmitriev, M. V., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Прогнозирование параметров стеклокерамики со стеклокристаллической матрицей для разных соотношений компонентов и режимов спекания
von: Дмитриев, М.В., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Дмитриев, М.В., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Оценка параметров компонентов моноармированой стеклокерамики со стеклокристаллической матрицей
von: Дмитриев, М.В., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Дмитриев, М.В., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Прогноз диэлектрических потерь в стеклокерамике для разных соотношений массовых долей компонентов
von: Дмитриев, М.В., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Дмитриев, М.В., et al.
Veröffentlicht: (2012)
Прогнозирование диэлектрических свойств некристаллизующейся моноармированной полиматричной стеклокерамики
von: Дмитриев, М.В., et al.
Veröffentlicht: (2008)
von: Дмитриев, М.В., et al.
Veröffentlicht: (2008)
Способ электродугового восстановления кремния
von: Соловьев, О.В., et al.
Veröffentlicht: (2005)
von: Соловьев, О.В., et al.
Veröffentlicht: (2005)
Высокотемпературная люминесценция кристаллов ZnSe:Yb
von: Махний, В.П., et al.
Veröffentlicht: (2016)
von: Махний, В.П., et al.
Veröffentlicht: (2016)
Ионизационный отжиг полупроводниковых кристаллов. Часть вторая: эксперимент
von: Гаркавенко, А.С., et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: Гаркавенко, А.С., et al.
Veröffentlicht: (2014)
Исследование кристаллов Cu₂ZnSnTe₄ и гетеропереходов на их основе
von: Ковалюк, Т.Т., et al.
Veröffentlicht: (2015)
von: Ковалюк, Т.Т., et al.
Veröffentlicht: (2015)
Ионизационный отжиг полупроводниковых кристаллов. Часть первая: Теоретические предпосылки
von: Гаркавенко, А.С., et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: Гаркавенко, А.С., et al.
Veröffentlicht: (2014)
Исследование кристаллов Cu₂ZnSnSe₄ и гетеропереходов на их на основе
von: Ковалюк, Т.Т., et al.
Veröffentlicht: (2018)
von: Ковалюк, Т.Т., et al.
Veröffentlicht: (2018)
Исследование ширины запрещенной зоны смешанных кристаллов ZnSxSe₁₋x
von: Трубаева, О.Г., et al.
Veröffentlicht: (2018)
von: Трубаева, О.Г., et al.
Veröffentlicht: (2018)
Элементы твердотельной электроники на основе КНИ-структур и нитевидных кристаллов Si для криогенных температур
von: Дружинин, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: Дружинин, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2014)
Влияние содержания серы на сцинтилляционные свойства смешанных кристаллов ZnSxSe1–x
von: Трубаева, O.Г., et al.
Veröffentlicht: (2018)
von: Трубаева, O.Г., et al.
Veröffentlicht: (2018)
Физические свойства и зонная структура кристаллов (3HgTe)1-x(Al₂Te₃)x, легированных марганцем
von: Марьянчук, П.Д., et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: Марьянчук, П.Д., et al.
Veröffentlicht: (2014)
Магнитные и кинетические свойства кристаллов Hg1–x–yCdxDyySe
von: Ковалюк, Т.Т., et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: Ковалюк, Т.Т., et al.
Veröffentlicht: (2014)
Высокоинформативный комплексный метод определения типа моторного масла
von: Мамыкин, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2019)
von: Мамыкин, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2019)
Гетеропереходы, сформированные отжигом слоистых кристаллов GaSe и InSe в парах цинка
von: Кудринский, З.Р., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Кудринский, З.Р., et al.
Veröffentlicht: (2012)
Степенная связь параметров композиционного материала и его компонентов
von: Дмитриев, М.В.
Veröffentlicht: (2002)
von: Дмитриев, М.В.
Veröffentlicht: (2002)
Методика определения параметров структурной и кластерной моделей толстых резистивных пленок
von: Стерхова, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2001)
von: Стерхова, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2001)
Исследование процесса термической деполяризации сегнетокерамики (Pb,Sr)(Zr,Ti)O₃
von: Кузенко, Д.В., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Кузенко, Д.В., et al.
Veröffentlicht: (2011)
Синтез и исследование нанопорошков ферромолибдата стронция с высокой степенью сверхструктурного упорядочения для спинтроники
von: Ярмолич, М.В., et al.
Veröffentlicht: (2016)
von: Ярмолич, М.В., et al.
Veröffentlicht: (2016)
Использование керамики на основе твердых растворов (Ni, Co, Mn, Cu)₃O₄для толстопленочных терморезисторов
von: Шпотюк, О.И., et al.
Veröffentlicht: (2002)
von: Шпотюк, О.И., et al.
Veröffentlicht: (2002)
Влияние морфологии поверхности подложек ZnSe:Te на их оптические свойства
von: Махний, В.П., et al.
Veröffentlicht: (2016)
von: Махний, В.П., et al.
Veröffentlicht: (2016)
Выращивание крупногабаритных монокристаллов вольфрамата кадмия с высокой оптической однородностью
von: Сольский, И.М.
Veröffentlicht: (2005)
von: Сольский, И.М.
Veröffentlicht: (2005)
Деградационные превращения в топологически разупорядоченных твердых телах: 2. Мономолекулярная модель кинетики
von: Балицкая, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2004)
von: Балицкая, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2004)
Эффективные сцинтилляционные материалы на основе твердых растворов ZnS1–xTex и перспективы их применения
von: Катрунов, К.А., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Катрунов, К.А., et al.
Veröffentlicht: (2011)
Система паст "Аналог-4" расширяет возможности толстопленочной технологии
von: Пучкова, Н.С., et al.
Veröffentlicht: (2000)
von: Пучкова, Н.С., et al.
Veröffentlicht: (2000)
Диагностика глубоких центров на границе пленка–подложка в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs
von: Горев, Н.Б., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Горев, Н.Б., et al.
Veröffentlicht: (2010)
Вольт-фарадные характеристики ионно-имплантированных структур GaAs
von: Горев, Н.Б., et al.
Veröffentlicht: (2008)
von: Горев, Н.Б., et al.
Veröffentlicht: (2008)
Деградационные превращения в топологически разупорядоченных твердых телах: 1. Математические модели кинетики
von: Вакив, Н.М., et al.
Veröffentlicht: (2003)
von: Вакив, Н.М., et al.
Veröffentlicht: (2003)
Температурные и концентрационные зависимости подвижности носителей заряда в твердых растворах (PbS)1–x(Sm2S3)x
von: Гасанов, Г.А., et al.
Veröffentlicht: (2008)
von: Гасанов, Г.А., et al.
Veröffentlicht: (2008)
Разработка сцинтилляторов на основе соединений AIIBVI для медицинского и технического радиационного приборостроения
von: Старжинский, Н.Г., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Старжинский, Н.Г., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Оптико-акустические эффекты в решетчатых упаковках (опаловые матрицы как метаматериал)
von: Чернега, Н.В., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Чернега, Н.В., et al.
Veröffentlicht: (2010)
Получение оптически однородных монокристаллов ниобата лития больших размеров
von: Сольский, И.М., et al.
Veröffentlicht: (2005)
von: Сольский, И.М., et al.
Veröffentlicht: (2005)
Получение пригодного для сенсорики пористого кремния методом неэлектролитического травления MacEtch
von: Яцунский, И.Р.
Veröffentlicht: (2013)
von: Яцунский, И.Р.
Veröffentlicht: (2013)
Фотолюминесцентный метод исследования пластической деформации на границе раздела «SiO₂—Si»
von: Кулинич, О.А., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Кулинич, О.А., et al.
Veröffentlicht: (2012)
Формирование резких границ раздела в эпитаксиальных структурах p+-AlGaAs/n-GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии
von: Вакив, Н.М., et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: Вакив, Н.М., et al.
Veröffentlicht: (2014)
Широкозонные халькогенидные сцинтилляторы на основе соединений AIIBVI
von: Старжинский, Н.Г., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Старжинский, Н.Г., et al.
Veröffentlicht: (2012)
Строение и высокотемпературная сверхпроводимость пленок Bi₂Sr₂CaCu₂Oy
von: Самойлович, М.И., et al.
Veröffentlicht: (2007)
von: Самойлович, М.И., et al.
Veröffentlicht: (2007)
Ähnliche Einträge
-
Способ определения доли кристаллов в стеклокерамическом диэлектрике
von: Dmitriev, M. V., et al.
Veröffentlicht: (2009) -
Прогнозирование параметров стеклокерамики со стеклокристаллической матрицей для разных соотношений компонентов и режимов спекания
von: Дмитриев, М.В., et al.
Veröffentlicht: (2009) -
Оценка параметров компонентов моноармированой стеклокерамики со стеклокристаллической матрицей
von: Дмитриев, М.В., et al.
Veröffentlicht: (2009) -
Прогноз диэлектрических потерь в стеклокерамике для разных соотношений массовых долей компонентов
von: Дмитриев, М.В., et al.
Veröffentlicht: (2012) -
Прогнозирование диэлектрических свойств некристаллизующейся моноармированной полиматричной стеклокерамики
von: Дмитриев, М.В., et al.
Veröffentlicht: (2008)