Зображення обкладинки

Способ определения доли кристаллов в стеклокерамическом диэлектрике

Предложен комплексный метод количественной оценки доли кристаллов в композиционной стеклокерамике, полученной при разном времени ее спекания, базируемый на определении диэлектрической проницаемости композита. Запропоновано комплексний метод оцінки частки кристалів у композиційній склокераміці при рі...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Опубліковано в:	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Дата:	2009
ISSN:	2225-5818
Автори:	Дмитриев, М.В., Еримичой, И.Н., Панов, Л.И.
Формат:	Стаття
Мова:	Російська
Опубліковано:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2009
Теми:	Материалы электроники
Онлайн доступ:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52317
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Способ определения доли кристаллов в стеклокерамическом диэлектрике / М.В. Дмитриев, И.Н. Еримичой, Л.И. Панов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2009. — № 5. — С. 50-53. — Бібліогр.: 17 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси

Способ определения доли кристаллов в стеклокерамическом диэлектрике
за авторством: Dmitriev, M. V., та інші
Опубліковано: (2009)

Оценка параметров компонентов моноармированой стеклокерамики со стеклокристаллической матрицей
за авторством: Дмитриев, М.В., та інші
Опубліковано: (2009)

Прогнозирование параметров стеклокерамики со стеклокристаллической матрицей для разных соотношений компонентов и режимов спекания
за авторством: Дмитриев, М.В., та інші
Опубліковано: (2009)

Прогноз диэлектрических потерь в стеклокерамике для разных соотношений массовых долей компонентов
за авторством: Дмитриев, М.В., та інші
Опубліковано: (2012)

Зависимость диэлектрической проницаемости кристаллизующейся фазы стеклокерамики от времени спекания
за авторством: Дмитриев, М.В., та інші
Опубліковано: (2010)

Прогнозирование диэлектрических свойств некристаллизующейся моноармированной полиматричной стеклокерамики
за авторством: Дмитриев, М.В., та інші
Опубліковано: (2008)

Способ электродугового восстановления кремния
за авторством: Соловьев, О.В., та інші
Опубліковано: (2005)

Высокотемпературная люминесценция кристаллов ZnSe:Yb
за авторством: Махний, В.П., та інші
Опубліковано: (2016)

Ионизационный отжиг полупроводниковых кристаллов. Часть вторая: эксперимент
за авторством: Гаркавенко, А.С., та інші
Опубліковано: (2014)

Исследование кристаллов Cu₂ZnSnTe₄ и гетеропереходов на их основе
за авторством: Ковалюк, Т.Т., та інші
Опубліковано: (2015)

Ионизационный отжиг полупроводниковых кристаллов. Часть первая: Теоретические предпосылки
за авторством: Гаркавенко, А.С., та інші
Опубліковано: (2014)

Исследование кристаллов Cu₂ZnSnSe₄ и гетеропереходов на их на основе
за авторством: Ковалюк, Т.Т., та інші
Опубліковано: (2018)

Исследование ширины запрещенной зоны смешанных кристаллов ZnSxSe₁₋x
за авторством: Трубаева, О.Г., та інші
Опубліковано: (2018)

Элементы твердотельной электроники на основе КНИ-структур и нитевидных кристаллов Si для криогенных температур
за авторством: Дружинин, А.А., та інші
Опубліковано: (2014)

Влияние содержания серы на сцинтилляционные свойства смешанных кристаллов ZnSxSe1–x
за авторством: Трубаева, O.Г., та інші
Опубліковано: (2018)

Физические свойства и зонная структура кристаллов (3HgTe)1-x(Al₂Te₃)x, легированных марганцем
за авторством: Марьянчук, П.Д., та інші
Опубліковано: (2014)

Высокоинформативный комплексный метод определения типа моторного масла
за авторством: Мамыкин, А.В., та інші
Опубліковано: (2019)

Магнитные и кинетические свойства кристаллов Hg1–x–yCdxDyySe
за авторством: Ковалюк, Т.Т., та інші
Опубліковано: (2014)

Степенная связь параметров композиционного материала и его компонентов
за авторством: Дмитриев, М.В.
Опубліковано: (2002)

Влияние термозависимых превращений в стекле композиционной стеклокерамики на ее диэлектрическую проницаемость
за авторством: Дмитриев, М.В.
Опубліковано: (2000)

Гетеропереходы, сформированные отжигом слоистых кристаллов GaSe и InSe в парах цинка
за авторством: Кудринский, З.Р., та інші
Опубліковано: (2012)

Влияние самоинтеркаляции меди на термоэлектрические свойства легированных кристаллов Bi₂Te₃<Cu> в процессе их хранения
за авторством: Алиева, А.П., та інші
Опубліковано: (2016)

Методика определения параметров структурной и кластерной моделей толстых резистивных пленок
за авторством: Стерхова, А.В., та інші
Опубліковано: (2001)

Исследование процесса термической деполяризации сегнетокерамики (Pb,Sr)(Zr,Ti)O₃
за авторством: Кузенко, Д.В., та інші
Опубліковано: (2011)

Синтез и исследование нанопорошков ферромолибдата стронция с высокой степенью сверхструктурного упорядочения для спинтроники
за авторством: Ярмолич, М.В., та інші
Опубліковано: (2016)

Использование керамики на основе твердых растворов (Ni, Co, Mn, Cu)₃O₄для толстопленочных терморезисторов
за авторством: Шпотюк, О.И., та інші
Опубліковано: (2002)

Влияние морфологии поверхности подложек ZnSe:Te на их оптические свойства
за авторством: Махний, В.П., та інші
Опубліковано: (2016)

Выращивание крупногабаритных монокристаллов вольфрамата кадмия с высокой оптической однородностью
за авторством: Сольский, И.М.
Опубліковано: (2005)

Зависимость свойств толстопленочных терморезисторов от состава базовой шпинели
за авторством: Гадзаман, И.В., та інші
Опубліковано: (2005)

Деградационные превращения в топологически разупорядоченных твердых телах: 2. Мономолекулярная модель кинетики
за авторством: Балицкая, В.А., та інші
Опубліковано: (2004)

Исследование свойств пленок нитрида и оксида кремния, полученных методом плазмохимического осаждения на кремниевую подложку
за авторством: Рубцевич, И.И., та інші
Опубліковано: (2011)

Эффективные сцинтилляционные материалы на основе твердых растворов ZnS1–xTex и перспективы их применения
за авторством: Катрунов, К.А., та інші
Опубліковано: (2011)

Диагностика глубоких центров на границе пленка–подложка в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs
за авторством: Горев, Н.Б., та інші
Опубліковано: (2010)

Вольт-фарадные характеристики ионно-имплантированных структур GaAs
за авторством: Горев, Н.Б., та інші
Опубліковано: (2008)

Система паст "Аналог-4" расширяет возможности толстопленочной технологии
за авторством: Пучкова, Н.С., та інші
Опубліковано: (2000)

Деградационные превращения в топологически разупорядоченных твердых телах: 1. Математические модели кинетики
за авторством: Вакив, Н.М., та інші
Опубліковано: (2003)

Стабильность свойств пьезокерамических материалов при внешних воздействиях
за авторством: Кузенко, Д.В., та інші
Опубліковано: (2010)

Температурные и концентрационные зависимости подвижности носителей заряда в твердых растворах (PbS)1–x(Sm2S3)x
за авторством: Гасанов, Г.А., та інші
Опубліковано: (2008)

Разработка сцинтилляторов на основе соединений AIIBVI для медицинского и технического радиационного приборостроения
за авторством: Старжинский, Н.Г., та інші
Опубліковано: (2009)

Условия использования стеклообразных халькогенидных сплавов в дозиметрии высокоэнергетичных γ-квантов
за авторством: Вакив, Н.М., та інші
Опубліковано: (2005)