Многофункциональная гомопереходная арсенид-галлиевая n–p–m-структура

• Veröffentlicht in: Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Datum: 2009
• Hauptverfasser: Каримов, А.В., Ёдгорова, Д.М., Абдулхаев, О.А., Гиясова, Ф.А., Назаров, Ж.Т.
• Format: Artikel
• Sprache: Russian
• Veröffentlicht: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2009
• Schlagworte: Функциональная микро- и наноэлектроника
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52327
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Многофункциональная гомопереходная арсенид-галлиевая n–p–m-структура / А.В. Каримов, Д.М. Ёдгорова, О.А. Абдулхаев, Ф.А. Гиясова, Ж.Т. Назаров // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2009. — № 6. — С. 31-34. — Бібліогр.: 12 назв. — рос.

Приведены особенности технологии изготовления и фотоэлектрических характеристик обратновключенной n–p–m-структуры на основе арсенида галлия.