Многофункциональная гомопереходная арсенид-галлиевая n–p–m-структура
Приведены особенности технологии изготовления и фотоэлектрических характеристик обратновключенной n–p–m-структуры на основе арсенида галлия.
Saved in:
| Published in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Date: | 2009 |
| Main Authors: | , , , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2009
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52327 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Многофункциональная гомопереходная арсенид-галлиевая n–p–m-структура / А.В. Каримов, Д.М. Ёдгорова, О.А. Абдулхаев, Ф.А. Гиясова, Ж.Т. Назаров // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2009. — № 6. — С. 31-34. — Бібліогр.: 12 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862682129133993984 |
|---|---|
| author | Каримов, А.В. Ёдгорова, Д.М. Абдулхаев, О.А. Гиясова, Ф.А. Назаров, Ж.Т. |
| author_facet | Каримов, А.В. Ёдгорова, Д.М. Абдулхаев, О.А. Гиясова, Ф.А. Назаров, Ж.Т. |
| citation_txt | Многофункциональная гомопереходная арсенид-галлиевая n–p–m-структура / А.В. Каримов, Д.М. Ёдгорова, О.А. Абдулхаев, Ф.А. Гиясова, Ж.Т. Назаров // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2009. — № 6. — С. 31-34. — Бібліогр.: 12 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description | Приведены особенности технологии изготовления и фотоэлектрических характеристик обратновключенной n–p–m-структуры на основе арсенида галлия.
|
| first_indexed | 2025-12-07T15:51:56Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-52327 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 2225-5818 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T15:51:56Z |
| publishDate | 2009 |
| publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Каримов, А.В. Ёдгорова, Д.М. Абдулхаев, О.А. Гиясова, Ф.А. Назаров, Ж.Т. 2013-12-29T22:07:25Z 2013-12-29T22:07:25Z 2009 Многофункциональная гомопереходная арсенид-галлиевая n–p–m-структура / А.В. Каримов, Д.М. Ёдгорова, О.А. Абдулхаев, Ф.А. Гиясова, Ж.Т. Назаров // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2009. — № 6. — С. 31-34. — Бібліогр.: 12 назв. — рос. 2225-5818 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52327 Приведены особенности технологии изготовления и фотоэлектрических характеристик обратновключенной n–p–m-структуры на основе арсенида галлия. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Функциональная микро- и наноэлектроника Многофункциональная гомопереходная арсенид-галлиевая n–p–m-структура Багатофункціональна гомоперехідна аренід-галієва n-p-m-структура Multifunctional homojunction gallium arsenide n-p-m-structure Article published earlier |
| spellingShingle | Многофункциональная гомопереходная арсенид-галлиевая n–p–m-структура Каримов, А.В. Ёдгорова, Д.М. Абдулхаев, О.А. Гиясова, Ф.А. Назаров, Ж.Т. Функциональная микро- и наноэлектроника |
| title | Многофункциональная гомопереходная арсенид-галлиевая n–p–m-структура |
| title_alt | Багатофункціональна гомоперехідна аренід-галієва n-p-m-структура Multifunctional homojunction gallium arsenide n-p-m-structure |
| title_full | Многофункциональная гомопереходная арсенид-галлиевая n–p–m-структура |
| title_fullStr | Многофункциональная гомопереходная арсенид-галлиевая n–p–m-структура |
| title_full_unstemmed | Многофункциональная гомопереходная арсенид-галлиевая n–p–m-структура |
| title_short | Многофункциональная гомопереходная арсенид-галлиевая n–p–m-структура |
| title_sort | многофункциональная гомопереходная арсенид-галлиевая n–p–m-структура |
| topic | Функциональная микро- и наноэлектроника |
| topic_facet | Функциональная микро- и наноэлектроника |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52327 |
| work_keys_str_mv | AT karimovav mnogofunkcionalʹnaâgomoperehodnaâarsenidgallievaânpmstruktura AT edgorovadm mnogofunkcionalʹnaâgomoperehodnaâarsenidgallievaânpmstruktura AT abdulhaevoa mnogofunkcionalʹnaâgomoperehodnaâarsenidgallievaânpmstruktura AT giâsovafa mnogofunkcionalʹnaâgomoperehodnaâarsenidgallievaânpmstruktura AT nazarovžt mnogofunkcionalʹnaâgomoperehodnaâarsenidgallievaânpmstruktura AT karimovav bagatofunkcíonalʹnagomoperehídnaarenídgalíêvanpmstruktura AT edgorovadm bagatofunkcíonalʹnagomoperehídnaarenídgalíêvanpmstruktura AT abdulhaevoa bagatofunkcíonalʹnagomoperehídnaarenídgalíêvanpmstruktura AT giâsovafa bagatofunkcíonalʹnagomoperehídnaarenídgalíêvanpmstruktura AT nazarovžt bagatofunkcíonalʹnagomoperehídnaarenídgalíêvanpmstruktura AT karimovav multifunctionalhomojunctiongalliumarsenidenpmstructure AT edgorovadm multifunctionalhomojunctiongalliumarsenidenpmstructure AT abdulhaevoa multifunctionalhomojunctiongalliumarsenidenpmstructure AT giâsovafa multifunctionalhomojunctiongalliumarsenidenpmstructure AT nazarovžt multifunctionalhomojunctiongalliumarsenidenpmstructure |