Многофункциональная гомопереходная арсенид-галлиевая n–p–m-структура - Каримов, А.В.; Ёдгорова, Д.М.; Абдулхаев, О.А.; Гиясова, Ф.А.; Назаров, Ж.Т. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2009)
Приведены особенности технологии изготовления и фотоэлектрических характеристик обратновключенной n–p–m-структуры на основе арсенида галлия.