Влияние термического окисления на анизотропию электропроводности и фотопроводимости наноструктурированного кремния

Обнаружено, что термическое окисление оказывает различное влияние на проводимость слоев пористого кремния, измеряемую вдоль различных кристаллографических направлений, что можно объяснить наличием потенциальных барьеров на границах связанных кремниевых нанокристаллов....

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Дата:2009
Автори: Форш, П.А., Форш, Е.А., Мартышов, М.Н., Тимошенко, В.Ю., Кашкаров, П.К.
Формат: Стаття
Мова:Російська
Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2009
Теми:
Онлайн доступ:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52328
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Влияние термического окисления на анизотропию электропроводности и фотопроводимости наноструктурированного кремния / П.А Форш., Е.А. Форш, М.Н. Мартышов, В.Ю. Тимошенко, П.К. Кашкаров // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2009. — № 6. — С. 35-37. — Бібліогр.: 12 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
_version_ 1862710430904877056
author Форш, П.А.
Форш, Е.А.
Мартышов, М.Н.
Тимошенко, В.Ю.
Кашкаров, П.К.
author_facet Форш, П.А.
Форш, Е.А.
Мартышов, М.Н.
Тимошенко, В.Ю.
Кашкаров, П.К.
citation_txt Влияние термического окисления на анизотропию электропроводности и фотопроводимости наноструктурированного кремния / П.А Форш., Е.А. Форш, М.Н. Мартышов, В.Ю. Тимошенко, П.К. Кашкаров // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2009. — № 6. — С. 35-37. — Бібліогр.: 12 назв. — рос.
collection DSpace DC
container_title Технология и конструирование в электронной аппаратуре
description Обнаружено, что термическое окисление оказывает различное влияние на проводимость слоев пористого кремния, измеряемую вдоль различных кристаллографических направлений, что можно объяснить наличием потенциальных барьеров на границах связанных кремниевых нанокристаллов.
first_indexed 2025-12-07T17:23:45Z
format Article
fulltext
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-52328
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
issn 2225-5818
language Russian
last_indexed 2025-12-07T17:23:45Z
publishDate 2009
publisher Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
record_format dspace
spelling Форш, П.А.
Форш, Е.А.
Мартышов, М.Н.
Тимошенко, В.Ю.
Кашкаров, П.К.
2013-12-29T22:11:57Z
2013-12-29T22:11:57Z
2009
Влияние термического окисления на анизотропию электропроводности и фотопроводимости наноструктурированного кремния / П.А Форш., Е.А. Форш, М.Н. Мартышов, В.Ю. Тимошенко, П.К. Кашкаров // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2009. — № 6. — С. 35-37. — Бібліогр.: 12 назв. — рос.
2225-5818
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52328
Обнаружено, что термическое окисление оказывает различное влияние на проводимость слоев пористого кремния, измеряемую вдоль различных кристаллографических направлений, что можно объяснить наличием потенциальных барьеров на границах связанных кремниевых нанокристаллов.
ru
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Функциональная микро- и наноэлектроника
Влияние термического окисления на анизотропию электропроводности и фотопроводимости наноструктурированного кремния
Вплив термічного окислення на анізотропію електропровідності і фотопровідності наноструктурованого кремнію
Effect of thermal annealing on an anisotropy of electroconductivity and photoconductivity of nanostructured silicon
Article
published earlier
spellingShingle Влияние термического окисления на анизотропию электропроводности и фотопроводимости наноструктурированного кремния
Форш, П.А.
Форш, Е.А.
Мартышов, М.Н.
Тимошенко, В.Ю.
Кашкаров, П.К.
Функциональная микро- и наноэлектроника
title Влияние термического окисления на анизотропию электропроводности и фотопроводимости наноструктурированного кремния
title_alt Вплив термічного окислення на анізотропію електропровідності і фотопровідності наноструктурованого кремнію
Effect of thermal annealing on an anisotropy of electroconductivity and photoconductivity of nanostructured silicon
title_full Влияние термического окисления на анизотропию электропроводности и фотопроводимости наноструктурированного кремния
title_fullStr Влияние термического окисления на анизотропию электропроводности и фотопроводимости наноструктурированного кремния
title_full_unstemmed Влияние термического окисления на анизотропию электропроводности и фотопроводимости наноструктурированного кремния
title_short Влияние термического окисления на анизотропию электропроводности и фотопроводимости наноструктурированного кремния
title_sort влияние термического окисления на анизотропию электропроводности и фотопроводимости наноструктурированного кремния
topic Функциональная микро- и наноэлектроника
topic_facet Функциональная микро- и наноэлектроника
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52328
work_keys_str_mv AT foršpa vliânietermičeskogookisleniânaanizotropiûélektroprovodnostiifotoprovodimostinanostrukturirovannogokremniâ
AT foršea vliânietermičeskogookisleniânaanizotropiûélektroprovodnostiifotoprovodimostinanostrukturirovannogokremniâ
AT martyšovmn vliânietermičeskogookisleniânaanizotropiûélektroprovodnostiifotoprovodimostinanostrukturirovannogokremniâ
AT timošenkovû vliânietermičeskogookisleniânaanizotropiûélektroprovodnostiifotoprovodimostinanostrukturirovannogokremniâ
AT kaškarovpk vliânietermičeskogookisleniânaanizotropiûélektroprovodnostiifotoprovodimostinanostrukturirovannogokremniâ
AT foršpa vplivtermíčnogookislennânaanízotropíûelektroprovídnostíífotoprovídnostínanostrukturovanogokremníû
AT foršea vplivtermíčnogookislennânaanízotropíûelektroprovídnostíífotoprovídnostínanostrukturovanogokremníû
AT martyšovmn vplivtermíčnogookislennânaanízotropíûelektroprovídnostíífotoprovídnostínanostrukturovanogokremníû
AT timošenkovû vplivtermíčnogookislennânaanízotropíûelektroprovídnostíífotoprovídnostínanostrukturovanogokremníû
AT kaškarovpk vplivtermíčnogookislennânaanízotropíûelektroprovídnostíífotoprovídnostínanostrukturovanogokremníû
AT foršpa effectofthermalannealingonananisotropyofelectroconductivityandphotoconductivityofnanostructuredsilicon
AT foršea effectofthermalannealingonananisotropyofelectroconductivityandphotoconductivityofnanostructuredsilicon
AT martyšovmn effectofthermalannealingonananisotropyofelectroconductivityandphotoconductivityofnanostructuredsilicon
AT timošenkovû effectofthermalannealingonananisotropyofelectroconductivityandphotoconductivityofnanostructuredsilicon
AT kaškarovpk effectofthermalannealingonananisotropyofelectroconductivityandphotoconductivityofnanostructuredsilicon