Влияние термического окисления на анизотропию электропроводности и фотопроводимости наноструктурированного кремния

Влияние термического окисления на анизотропию электропроводности и фотопроводимости наноструктурированного кремния

Обнаружено, что термическое окисление оказывает различное влияние на проводимость слоев пористого кремния, измеряемую вдоль различных кристаллографических направлений, что можно объяснить наличием потенциальных барьеров на границах связанных кремниевых нанокристаллов....

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Datum:2009
Hauptverfasser: Форш, П.А., Форш, Е.А., Мартышов, М.Н., Тимошенко, В.Ю., Кашкаров, П.К.
Format: Artikel
Sprache:Russian
Veröffentlicht: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2009
Schlagworte:
Функциональная микро- и наноэлектроника
Online Zugang:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52328
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Влияние термического окисления на анизотропию электропроводности и фотопроводимости наноструктурированного кремния / П.А Форш., Е.А. Форш, М.Н. Мартышов, В.Ю. Тимошенко, П.К. Кашкаров // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2009. — № 6. — С. 35-37. — Бібліогр.: 12 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-52328
record_format dspace
spelling Форш, П.А.
Форш, Е.А.
Мартышов, М.Н.
Тимошенко, В.Ю.
Кашкаров, П.К.
2013-12-29T22:11:57Z
2013-12-29T22:11:57Z
2009
Влияние термического окисления на анизотропию электропроводности и фотопроводимости наноструктурированного кремния / П.А Форш., Е.А. Форш, М.Н. Мартышов, В.Ю. Тимошенко, П.К. Кашкаров // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2009. — № 6. — С. 35-37. — Бібліогр.: 12 назв. — рос.
2225-5818
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52328
Обнаружено, что термическое окисление оказывает различное влияние на проводимость слоев пористого кремния, измеряемую вдоль различных кристаллографических направлений, что можно объяснить наличием потенциальных барьеров на границах связанных кремниевых нанокристаллов.
ru
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Функциональная микро- и наноэлектроника
Влияние термического окисления на анизотропию электропроводности и фотопроводимости наноструктурированного кремния
Вплив термічного окислення на анізотропію електропровідності і фотопровідності наноструктурованого кремнію
Effect of thermal annealing on an anisotropy of electroconductivity and photoconductivity of nanostructured silicon
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title Влияние термического окисления на анизотропию электропроводности и фотопроводимости наноструктурированного кремния
spellingShingle Влияние термического окисления на анизотропию электропроводности и фотопроводимости наноструктурированного кремния
Форш, П.А.
Форш, Е.А.
Мартышов, М.Н.
Тимошенко, В.Ю.
Кашкаров, П.К.
Функциональная микро- и наноэлектроника
title_short Влияние термического окисления на анизотропию электропроводности и фотопроводимости наноструктурированного кремния
title_full Влияние термического окисления на анизотропию электропроводности и фотопроводимости наноструктурированного кремния
title_fullStr Влияние термического окисления на анизотропию электропроводности и фотопроводимости наноструктурированного кремния
title_full_unstemmed Влияние термического окисления на анизотропию электропроводности и фотопроводимости наноструктурированного кремния
title_sort влияние термического окисления на анизотропию электропроводности и фотопроводимости наноструктурированного кремния
author Форш, П.А.
Форш, Е.А.
Мартышов, М.Н.
Тимошенко, В.Ю.
Кашкаров, П.К.
author_facet Форш, П.А.
Форш, Е.А.
Мартышов, М.Н.
Тимошенко, В.Ю.
Кашкаров, П.К.
topic Функциональная микро- и наноэлектроника
topic_facet Функциональная микро- и наноэлектроника
publishDate 2009
language Russian
container_title Технология и конструирование в электронной аппаратуре
publisher Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
format Article
title_alt Вплив термічного окислення на анізотропію електропровідності і фотопровідності наноструктурованого кремнію
Effect of thermal annealing on an anisotropy of electroconductivity and photoconductivity of nanostructured silicon
description Обнаружено, что термическое окисление оказывает различное влияние на проводимость слоев пористого кремния, измеряемую вдоль различных кристаллографических направлений, что можно объяснить наличием потенциальных барьеров на границах связанных кремниевых нанокристаллов.
issn 2225-5818
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52328
citation_txt Влияние термического окисления на анизотропию электропроводности и фотопроводимости наноструктурированного кремния / П.А Форш., Е.А. Форш, М.Н. Мартышов, В.Ю. Тимошенко, П.К. Кашкаров // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2009. — № 6. — С. 35-37. — Бібліогр.: 12 назв. — рос.
work_keys_str_mv AT foršpa vliânietermičeskogookisleniânaanizotropiûélektroprovodnostiifotoprovodimostinanostrukturirovannogokremniâ
AT foršea vliânietermičeskogookisleniânaanizotropiûélektroprovodnostiifotoprovodimostinanostrukturirovannogokremniâ
AT martyšovmn vliânietermičeskogookisleniânaanizotropiûélektroprovodnostiifotoprovodimostinanostrukturirovannogokremniâ
AT timošenkovû vliânietermičeskogookisleniânaanizotropiûélektroprovodnostiifotoprovodimostinanostrukturirovannogokremniâ
AT kaškarovpk vliânietermičeskogookisleniânaanizotropiûélektroprovodnostiifotoprovodimostinanostrukturirovannogokremniâ
AT foršpa vplivtermíčnogookislennânaanízotropíûelektroprovídnostíífotoprovídnostínanostrukturovanogokremníû
AT foršea vplivtermíčnogookislennânaanízotropíûelektroprovídnostíífotoprovídnostínanostrukturovanogokremníû
AT martyšovmn vplivtermíčnogookislennânaanízotropíûelektroprovídnostíífotoprovídnostínanostrukturovanogokremníû
AT timošenkovû vplivtermíčnogookislennânaanízotropíûelektroprovídnostíífotoprovídnostínanostrukturovanogokremníû
AT kaškarovpk vplivtermíčnogookislennânaanízotropíûelektroprovídnostíífotoprovídnostínanostrukturovanogokremníû
AT foršpa effectofthermalannealingonananisotropyofelectroconductivityandphotoconductivityofnanostructuredsilicon
AT foršea effectofthermalannealingonananisotropyofelectroconductivityandphotoconductivityofnanostructuredsilicon
AT martyšovmn effectofthermalannealingonananisotropyofelectroconductivityandphotoconductivityofnanostructuredsilicon
AT timošenkovû effectofthermalannealingonananisotropyofelectroconductivityandphotoconductivityofnanostructuredsilicon
AT kaškarovpk effectofthermalannealingonananisotropyofelectroconductivityandphotoconductivityofnanostructuredsilicon
first_indexed 2025-12-07T17:23:45Z
last_indexed 2025-12-07T17:23:45Z
_version_ 1850871094002581504

Ähnliche Einträge