Влияние термического окисления на анизотропию электропроводности и фотопроводимости наноструктурированного кремния
Обнаружено, что термическое окисление оказывает различное влияние на проводимость слоев пористого кремния, измеряемую вдоль различных кристаллографических направлений, что можно объяснить наличием потенциальных барьеров на границах связанных кремниевых нанокристаллов....
Saved in:
| Published in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Date: | 2009 |
| Main Authors: | , , , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2009
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52328 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Влияние термического окисления на анизотропию электропроводности и фотопроводимости наноструктурированного кремния / П.А Форш., Е.А. Форш, М.Н. Мартышов, В.Ю. Тимошенко, П.К. Кашкаров // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2009. — № 6. — С. 35-37. — Бібліогр.: 12 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862710430904877056 |
|---|---|
| author | Форш, П.А. Форш, Е.А. Мартышов, М.Н. Тимошенко, В.Ю. Кашкаров, П.К. |
| author_facet | Форш, П.А. Форш, Е.А. Мартышов, М.Н. Тимошенко, В.Ю. Кашкаров, П.К. |
| citation_txt | Влияние термического окисления на анизотропию электропроводности и фотопроводимости наноструктурированного кремния / П.А Форш., Е.А. Форш, М.Н. Мартышов, В.Ю. Тимошенко, П.К. Кашкаров // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2009. — № 6. — С. 35-37. — Бібліогр.: 12 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description | Обнаружено, что термическое окисление оказывает различное влияние на проводимость слоев пористого кремния, измеряемую вдоль различных кристаллографических направлений, что можно объяснить наличием потенциальных барьеров на границах связанных кремниевых нанокристаллов.
|
| first_indexed | 2025-12-07T17:23:45Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-52328 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 2225-5818 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T17:23:45Z |
| publishDate | 2009 |
| publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Форш, П.А. Форш, Е.А. Мартышов, М.Н. Тимошенко, В.Ю. Кашкаров, П.К. 2013-12-29T22:11:57Z 2013-12-29T22:11:57Z 2009 Влияние термического окисления на анизотропию электропроводности и фотопроводимости наноструктурированного кремния / П.А Форш., Е.А. Форш, М.Н. Мартышов, В.Ю. Тимошенко, П.К. Кашкаров // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2009. — № 6. — С. 35-37. — Бібліогр.: 12 назв. — рос. 2225-5818 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52328 Обнаружено, что термическое окисление оказывает различное влияние на проводимость слоев пористого кремния, измеряемую вдоль различных кристаллографических направлений, что можно объяснить наличием потенциальных барьеров на границах связанных кремниевых нанокристаллов. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Функциональная микро- и наноэлектроника Влияние термического окисления на анизотропию электропроводности и фотопроводимости наноструктурированного кремния Вплив термічного окислення на анізотропію електропровідності і фотопровідності наноструктурованого кремнію Effect of thermal annealing on an anisotropy of electroconductivity and photoconductivity of nanostructured silicon Article published earlier |
| spellingShingle | Влияние термического окисления на анизотропию электропроводности и фотопроводимости наноструктурированного кремния Форш, П.А. Форш, Е.А. Мартышов, М.Н. Тимошенко, В.Ю. Кашкаров, П.К. Функциональная микро- и наноэлектроника |
| title | Влияние термического окисления на анизотропию электропроводности и фотопроводимости наноструктурированного кремния |
| title_alt | Вплив термічного окислення на анізотропію електропровідності і фотопровідності наноструктурованого кремнію Effect of thermal annealing on an anisotropy of electroconductivity and photoconductivity of nanostructured silicon |
| title_full | Влияние термического окисления на анизотропию электропроводности и фотопроводимости наноструктурированного кремния |
| title_fullStr | Влияние термического окисления на анизотропию электропроводности и фотопроводимости наноструктурированного кремния |
| title_full_unstemmed | Влияние термического окисления на анизотропию электропроводности и фотопроводимости наноструктурированного кремния |
| title_short | Влияние термического окисления на анизотропию электропроводности и фотопроводимости наноструктурированного кремния |
| title_sort | влияние термического окисления на анизотропию электропроводности и фотопроводимости наноструктурированного кремния |
| topic | Функциональная микро- и наноэлектроника |
| topic_facet | Функциональная микро- и наноэлектроника |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52328 |
| work_keys_str_mv | AT foršpa vliânietermičeskogookisleniânaanizotropiûélektroprovodnostiifotoprovodimostinanostrukturirovannogokremniâ AT foršea vliânietermičeskogookisleniânaanizotropiûélektroprovodnostiifotoprovodimostinanostrukturirovannogokremniâ AT martyšovmn vliânietermičeskogookisleniânaanizotropiûélektroprovodnostiifotoprovodimostinanostrukturirovannogokremniâ AT timošenkovû vliânietermičeskogookisleniânaanizotropiûélektroprovodnostiifotoprovodimostinanostrukturirovannogokremniâ AT kaškarovpk vliânietermičeskogookisleniânaanizotropiûélektroprovodnostiifotoprovodimostinanostrukturirovannogokremniâ AT foršpa vplivtermíčnogookislennânaanízotropíûelektroprovídnostíífotoprovídnostínanostrukturovanogokremníû AT foršea vplivtermíčnogookislennânaanízotropíûelektroprovídnostíífotoprovídnostínanostrukturovanogokremníû AT martyšovmn vplivtermíčnogookislennânaanízotropíûelektroprovídnostíífotoprovídnostínanostrukturovanogokremníû AT timošenkovû vplivtermíčnogookislennânaanízotropíûelektroprovídnostíífotoprovídnostínanostrukturovanogokremníû AT kaškarovpk vplivtermíčnogookislennânaanízotropíûelektroprovídnostíífotoprovídnostínanostrukturovanogokremníû AT foršpa effectofthermalannealingonananisotropyofelectroconductivityandphotoconductivityofnanostructuredsilicon AT foršea effectofthermalannealingonananisotropyofelectroconductivityandphotoconductivityofnanostructuredsilicon AT martyšovmn effectofthermalannealingonananisotropyofelectroconductivityandphotoconductivityofnanostructuredsilicon AT timošenkovû effectofthermalannealingonananisotropyofelectroconductivityandphotoconductivityofnanostructuredsilicon AT kaškarovpk effectofthermalannealingonananisotropyofelectroconductivityandphotoconductivityofnanostructuredsilicon |